ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР Российский патент 2010 года по МПК G01N27/12 

Описание патента на изобретение RU2398219C1

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Изобретение может быть использовано для решения задач экологического контроля.

Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии между теплопроводностью паров вещества и газа-носителя (Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. М.: Высш. школа, 1987). Однако чувствительность такого датчика (детектора) ограничивается на вещества с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя. Например, при использовании этого датчика для анализа аммиака точность определения невысока.

Известен также датчик (Будников Г.К. Что такое химические сенсоры // Соросовский образовательный журнал. 1998, №3. С.75), позволяющий определять содержание аммиака с большей чувствительностью. Однако он сложен по конструкции и механизму получения отклика на присутствие определяемого компонента: включает в качестве преобразователя-полупроводника оксид металла (SnO2, In2O3, Nb2O5) и нанесенный на его поверхность адсорбционный слой специального материала, дающий названный отклик. Для получения отклика необходимы такие дополнительные операции, как нагревание оксида до 200-400°C, так как при комнатной температуре он является диэлектриком и не проводит электрический ток, хемосорбция на нагретой поверхности кислорода воздуха, сопровождающаяся образованием отрицательно заряженных ионов O2-, О- и взаимодействием последних с определяемым газом (его окислением). Таким образом, электропроводность полупроводникового (оксидного) слоя в воздухе определяется не непосредственно содержанием определяемого газа, а степенью заполнения поверхности хемосорбированным кислородом, которая в свою очередь изменяется пропорционально концентрации определяемого газа.

Ближайшим техническим решением к изобретению является датчик влажности газов, состоящий из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки селенида цинка, легированного арсенидом галлия, с нанесенными на ее поверхность металлическими электродами и непроводящей подложки (Патент РФ № 2161794. М. Кл. G01N 27/12, 25/56. 2001).

Недостатком этого известного устройства является его недостаточная чувствительность при контроле микропримесей аммиака.

Задачей изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика.

Указанный технический результат достигается тем, что в известном газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание и непроводящую подложку, полупроводниковое основание выполнено в виде поликристаллической пленки антимонида индия, легированного теллуридом цинка, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.

Сущность изобретения поясняется чертежами, где представлены: на фиг.1 - конструкция заявляемого датчика, на фиг.2 - кривая зависимости величины адсорбции аммиака от температуры, на фиг.3 - градуировочная кривая зависимости изменения электропроводности (Δσ) полупроводниковой пленки в процессе адсорбции при температуре 30°C от начального давления NH3(PNHз). Последняя наглядно демонстрирует его чувствительность.

Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде поликристаллической пленки антимонида индия, легированного теллуридом цинка, нанесенной на электродную площадку (2) пьезокварцевого резонатора 3 (фиг.1).

Принцип работы такого датчика основан на адсорбционно-десорбционных процессах, протекающих на полупроводниковой пленке, нанесенной на электродную площадку пьезокварцевого резонатора, и вызывающих изменение его электропроводности.

Работа датчика осуществляется следующим образом.

Датчик помещают в находящуюся при комнатной температуре камеру (ею может быть обычная стеклянная трубка), через которую пропускают (или в которой выдерживают) анализируемый на содержание аммиака газ. При контакте пропускаемого газа с поверхностью полупроводниковой пленки InSb(ZnTe) происходит избирательная адсорбция молекул NH3 и увеличение электропроводности пленки. По величине изменения электропроводности с помощью градуировочных кривых можно определить содержание аммиака в исследуемой среде.

Из анализа приведенной на фиг.3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость изменения электропроводности от содержания аммиака , следует: заявляемый датчик при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание аммиака с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков [2, 3].

Малые габариты устройства (рабочий объем менее 0,2 см3) в сочетании с малой массой пленки-адсорбента позволяют снизить постоянную датчика по времени до 10-20 мс.

Конструкция заявляемого датчика позволяет также улучшить и другие его характеристики: быстродействие, регенерируемость, способность работать не только в статическом, но и динамическом режиме.

Похожие патенты RU2398219C1

название год авторы номер документа
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Миронова Елена Валерьевна
RU2607733C1
ГАЗОАНАЛИЗАТОР УГАРНОГО ГАЗА 2009
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Новгородцева Любовь Владимировна
  • Васина Марина Владимировна
RU2395799C1
НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2010
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Новгородцева Любовь Владимировна
RU2423688C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2011
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Дубина Оксана Николаевна
RU2469300C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Новгородцева Любовь Владимировна
RU2589455C1
Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода 2019
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Новгородцева Любовь Владимировна
  • Эккерт Алиса Олеговна
  • Эккерт Роберт Владимирович
RU2710523C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ КИСЛОРОДА 2015
  • Кировская Ирина Алексеевна
  • Новгородцева Любовь Владимировна
RU2603337C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2007
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Филатова Татьяна Николаевна
RU2350936C1
ДАТЧИК ДИОКСИДА АЗОТА 2004
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Федяева Оксана Анатольевна
  • Миронова Елена Валерьевна
RU2274853C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ КИСЛОРОДА 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Букашкина Татьяна Леонидовна
RU2610349C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 398 219 C1

Реферат патента 2010 года ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Газоанализатор согласно изобретению содержит полупроводниковое основание, выполненное из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного теллуридом цинка, нанесенной на электродную площадку пьезо-кварцевого резонатора, которая служит подложкой. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичность его изготовления. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 398 219 C1

Полупроводниковый газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание и непроводящую подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного теллуридом цинка, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2010 года RU2398219C1

ДАТЧИК МОНООКСИДА УГЛЕРОДА 2002
  • Кировская И.А.
  • Азарова О.П.
RU2206083C1
ДАТЧИК ОКСИДА УГЛЕРОДА 2001
  • Кировская И.А.
  • Азарова О.П.
RU2209423C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВЛАЖНОСТИ И ПЛОТНОСТИ 2004
  • Вшивкова Ольга Владимировна
  • Калугин Владимир Фёдорович
  • Калугин Игорь Владимирович
RU2281486C2
ДАТЧИК УГАРНОГО ГАЗА 2006
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Тимошенко Оксана Тарасовна
RU2326371C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2007
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Филатова Татьяна Николаевна
RU2350936C1

RU 2 398 219 C1

Авторы

Кировская Ираида Алексеевна

Шубенкова Екатерина Гаррьевна

Даты

2010-08-27Публикация

2009-06-01Подача