КОНСТРУКЦИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С ДВУСТОРОННЕЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ Российский патент 2011 года по МПК H01L31/04 H01L31/18 

Описание патента на изобретение RU2432639C2

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (ФП).

Известна конструкция и способ изготовления кремниевых ФП в виде диодной структуры с p-n-переходом на всей рабочей поверхности, токосъемными металлическими контактами к легированному слою в форме гребенки, сплошным тыльным контактом и антиотражающим покрытием на лицевой (рабочей) стороне (книга «Полупроводниковые фотопреобразователи» Васильев A.M., Ландсман А.П., М., Советское Радио, 1971 г.). Процесс изготовления ФП основан на диффузионном легировании рабочей поверхности фосфором, химическом осаждении никелевого контакта, избирательном травлении контактного рисунка и нанесении антиотражающего покрытия. Недостатком получаемых ФП является сравнительно большая глубина p-n-перехода и, как следствие, невысокое значение их КПД.

Известна конструкция и способ изготовления кремниевых ФП с мелкозалегающим p-n-переходом на большей части рабочей поверхности и глубоким p-n-переходом под металлическими контактами на рабочей поверхности (Green M.A., Blakers A.W. et al. Improvements in flat-plate and concentrator silicon solar cell efficiency // 19th IEEE Photovolt. Spec. Conf., New Orleans, 1987.- P.49-52). Процесс изготовления включает проведение следующих операций на рабочей поверхности: диффузионное легирование на глубину менее 0,5 мкм, термическое окисление, лазерное скрайбирование канавок, химическое травление кремния в канавках, диффузионное легирование поверхности канавок на глубину более 1 мкм и электрохимическое осаждение никеля и меди в канавки. Недостатком получаемых ФП является поглощение коротковолновой части падающего излучения легированным слоем, имеющим низкий коэффициент собирания носителей тока к p-n-переходу и, как следствие, недостаточно высокий КПД ФП.

Известна конструкция и способ изготовления ФП с пассивирующей, антиотражающей (просветляющей) пленкой на фоточувствительной поверхности, свободной от легированных слоев и контактов, которые создаются на тыльной стороне в виде чередующихся, сильно легированных областей, образующих p-n-переходы и изотипные переходы (Sinton R.A., Swanson R.M. An optimization study of Si point-contact concentrator solar cell // 19th IEEE Photovolt. Spec. Conf., New Orleans, 1987, N.Y.1987. - P.1201-1208). Недостатком этих ФП является односторонняя фоточувствительность и сложный процесс изготовления, повышающий стоимость ФП.

В качестве прототипа принята конструкция и способ изготовления ФП с двусторонней рабочей поверхностью с диодной n+-р-р+ структурой и просветляющим покрытием, у которого конфигурация и площадь контактов на тыльной стороне совпадают в плане с конфигурацией и площадью контактов с рабочей стороны, а толщина базовой области не превышает диффузионную длину неосновных носителей заряда, вдоль рабочей стороны расположен р-n переход, а вдоль тыльной стороны изотипный переход, созданные методом диффузионного легирования (патент США №3948682, кл. 136/84, от 06.04.1976 г.). Недостатком прототипа является наличие на всей тыльной поверхности сильно легированного слоя кремния, верхние слои которого имеют очень низкую диффузионную длину неосновных носителей заряда, что снижает КПД ФП при освещении с тыльной стороны, а также высокая трудоемкость изготовления по сравнению с изготовлением ФП с односторонней рабочей поверхностью.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение КПД и снижение стоимости изготовления ФП.

Технический результат достигается тем, что в кремниевом фотопреобразователе с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащий n+-р (р+-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р+ (n-n+) переход в базовой области на тыльной стороне, просветляющую пленку и металлическую контактную сетку на лицевой и тыльной сторонах, просветляющая пленка содержит плотность встроенного электрического заряда не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в базовой области, причем n +-р (р+-n) переход и изотипный р-р+ (n-n+) переход под контактной сеткой выполнены на большей глубине, чем в промежутках контактной сетки.

Дополнительное снижение трудоемкости изготовления кремниевого фотопреобразователя достигается тем, что встроенный электрический заряд содержит пленка нитрида кремния.

Дополнительное повышение КПД кремниевого фотопреобразователя достигается тем, что встроенный электрический заряд содержится под пленкой нитрида кремния в пленке оксида алюминия толщиной не более 20 нм.

Технический результат достигается также тем, что в кремниевом фотопреобразователе с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащий n+-р (р+-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р+ (n-n+) переход в базовой области на тыльной стороне, просветляющую пленку и металлическую контактную сетку на лицевой и тыльной сторонах, просветляющая пленка содержит плотность встроенного электрического заряда не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в базовой области, причем изотипный р-р+ (n-n+) переход под контактной сеткой выполнен из легированных слоев, а в промежутках контактной сетки из слоев с носителями тока, наведенных встроенным электрическим зарядом.

Дополнительное снижение трудоемкости изготовления кремниевого фотопреобразователя достигается тем, что встроенный электрический заряд содержит пленка нитрида кремния.

Дополнительное повышение КПД кремниевого фотопреобразователя достигается тем, что встроенный электрический заряд содержится под пленкой нитрида кремния в пленке оксида алюминия толщиной не более 20 нм.

Технический результат достигается также тем, что в способе изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью, включающем диффузионное легирование базовой области фотопреобразователя донорной и акцепторной примесями, нанесение пассивирущей просветляющей пленки и сетки металлических контактов на обе стороны, химическим травлением уменьшают толщину легированных слоев на лицевой и тыльной сторонах в промежутках металлической контактной сетки и создают просветляющую пленку на лицевой и тыльной сторонах с встроенным электрическим зарядом плотностью не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в прилегающем слое кремния.

Дополнительное повышение КПД и снижение стоимости изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью достигается тем, что встроенный электрический заряд создают путем плазмохимического осаждения пленки нитрида кремния.

Еще большее повышение КПД кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью достигается тем, что встроенный электрический заряд создают путем атомно-слоевого осаждения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

Дополнительное снижение стоимости изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью достигается тем, что встроенный электрический заряд создают путем магнетронного нанесения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

В способе изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью, включающем диффузионное легирование базовой области фотопреобразователя донорной и акцепторной примесями, нанесение пассивирущей просветляющей пленки и сетки металлических контактов на обе стороны, просветляющую пленку создают на обеих сторонах с встроенным электрическим зарядом плотностью не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в прилегающем слое кремния, лазерной диффузией создают локально легированные слои n+-р (p+-n) перехода и изотипного p-р+ (n-n+) перехода и на эти легированные слои наносят металлическую контактную сетку.

Дополнительное повышение КПД и снижение стоимости изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью достигается тем, что встроенный электрический заряд создают путем плазмохимического осаждения пленки нитрида кремния.

Еще большее повышение КПД кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью достигается тем, что встроенный электрический заряд создают путем атомно-слоевого осаждения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

Дополнительное снижение стоимости изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью достигается тем, что встроенный электрический заряд создают путем магнетронного нанесения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

Сущность изобретения поясняется фиг.1-6, где в сечении показаны основные элементы конструкции двусторонних ФП.

На фиг.1 ФП состоит из пластины кристаллического кремния с базовой областью 1 р-типа проводимости, легированного слоя 2 n+-типа, образующего n+-р переход 3, и легированного слоя 4 p+-типа, образующего изотипный р-р+ переход 5. На сильно легированных фосфором (порядка 1020 см-3) n++ слоях 6 нанесены в виде сетки металлические контакты 7, а к сильно легированным бором (порядка 1020 см-3) р++ слоям 8 металлические контакты 9. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 7 и 9 на лицевой и тыльной сторонах больше глубины залегания от поверхности n+-р перехода 3 и изотипного р-р+ перехода 5 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 6 и 8. Лицевая сторона 10 ФП содержит пассивирующую просветляющую пленку 11 с встроенными положительными зарядами 12 плотностью не менее 1011 см-2, например, из нитрида кремния. Для повышения КПД ФП поверхность кремния на лицевой и тыльной сторонах имеет микротекстуру. На тыльной стороне 13 на поверхность кремния нанесена пленка 14 из Al2O3 с встроенными отрицательными электрическими зарядами 15 плотностью не менее 1011 см-2. Пленка 14 из Al2O3 с встроенным отрицательным зарядом имеет толщину не более 20 нм, а поверх пленки 14 нанесена просветляющая пленка 16, например, нитрида кремния толщиной около 80 нм с показателем преломления не менее 2,0.

На фиг.2 ФП состоит из пластины кристаллического кремния с базовой областью 1 n-типа проводимости, легированного слоя 2 р+-типа, образующего р+-n переход 3, и легированного слоя 4 n+-типа, образующего изотипный n-n+ переход 5. На сильно легированных бором (порядка 1020 см-3) р++ слоях 6 нанесены в виде сетки металлические контакты 7, а к сильно легированным фосфором (порядка 1020 см-3) n++ слоям 8 металлические контакты 9. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 7 и 9 на лицевой и тыльной сторонах больше глубины залегания от поверхности р+-n перехода 3 и изотипного n-n+ перехода 5 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 6 и 8. Лицевая сторона 10 ФП содержит пассивирующую пленку 14, например, из Al2O3 с встроенными отрицательными электрическими зарядами 15 плотностью не менее 1011 см-2, поверх которой нанесена просветляющая пленка 16, например, из нитрида кремния. Для повышения КПД ФП целесообразно использовать текстурирование поверхности кремния на лицевой и тыльной сторонах. На тыльной стороне 13 на поверхность кремния нанесена пассивирующая, просветляющая пленка 11 с встроенными положительными зарядами 12 плотностью не менее 1011 см-2, например, из нитрида кремния. Просветляющая, пассивирующая пленка 11 из нитрида кремния имеет толщину около 80 нм и показатель преломления не менее 2,0.

На фиг.3 ФП состоит из пластины кристаллического кремния с базовой областью 1 p-типа проводимости, легированного слоя 2 n+-типа, образующего n+-р переход 3 и легированных слоев 4 и 4* p+-типа, образующих изотипный p-p+ переход 5. На сильно легированных фосфором (порядка 1020 см-3) n++ слоях 6 нанесены в виде сетки металлические контакты 7, а к сильно легированным бором (порядка 1020 см-3) р++ слоям 8 металлические контакты 9. Лицевая сторона 10 ФП содержит пассивирующую просветляющую пленку 11 с встроенными положительными зарядами 12 плотностью не менее 1011 см-2, например, из нитрида кремния. Для повышения КПД ФП поверхность кремния на лицевой 10 и тыльной 13 сторонах имеет микротекстуру. На тыльной стороне 13 на поверхность кремния нанесена пленка 14 из Al2O3 с встроенными отрицательными электрическими зарядами 15 плотностью не менее 1011 см-2, которая создает в прилегающем кремнии слои 4* p+-типа с носителями тока, наведенными встроенным отрицательным электрическим зарядом. Поверх пленки 14 нанесена просветляющая пленка 16, например, нитрида кремния толщиной около 80 нм с показателем преломления не менее 2,0. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 7 на лицевой стороне больше глубины залегания от поверхности n+-р перехода 3 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 6. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 9 на тыльной стороне больше глубины залегания от поверхности изотипного р-р+ перехода 5 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 8 и разницы толщины легированных слоев 4 p+-типа и слоев 4* p+-типа с носителями тока, наведенными встроенным отрицательным электрическим зарядом.

На фиг.4 ФП состоит из пластины кристаллического кремния с базовой областью 1 n-типа проводимости, легированного слоя 2 p+-типа, образующего p+-n переход 3 и легированных слоев 4 и 4* n+-типа, образующих изотипный n-n+ переход 5. На сильно легированных бором (порядка 1020 см-3) р++ слоях 6 нанесены в виде сетки металлические контакты 7, а к сильно легированным фосфором (порядка 1020 см-3) n++ слоям 8 металлические контакты 9. Лицевая сторона 10 ФП содержит пассивирующую пленку 14, например, из Al2O3 с встроенными отрицательными электрическими зарядами 15 плотностью не менее 1011 см-2, поверх которой нанесена просветляющая пленка 16, например, из нитрида кремния. Для повышения КПД ФП целесообразно использовать текстурирование поверхности кремния на лицевой и тыльной сторонах. На тыльной стороне 13 на поверхность кремния нанесена пассивирующая, просветляющая пленка 11 с встроенными положительными зарядами 12 плотностью не менее 1011 см-2, например, из нитрида кремния, которая создает в прилегающем кремнии слои 4* n+ типа с носителями тока, наведенными встроенным положительным электрическим зарядом. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 7 на лицевой стороне больше глубины залегания от поверхности р+-n перехода 3 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 6. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 9 на тыльной стороне больше глубины залегания от поверхности изотипного n-n+ перехода 5 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 8 и разницы толщины легированных слоев 4 n+-типа и слоев 4* n+-типа с носителями тока, наведенными встроенным положительным электрическим зарядом.

На фиг.5 ФП состоит из пластины кристаллического кремния с базовой областью 1 р-типа проводимости, легированных слоев 2 и 2* n+-типа, образующих n+-р переход 3 и легированных слоев 4 и 4* р+-типа, образующих изотипный р-р+ переход 5. На сильно легированных фосфором (порядка 1020 см-3) n++ слоях 6 нанесены в виде сетки металлические контакты 7, а к сильно легированным бором (порядка 1020 см-3) р++ слоям 8 металлические контакты 9. Лицевая сторона 10 ФП содержит пассивирующую просветляющую пленку 11 с встроенными положительными зарядами 12 плотностью не менее 1011 см-2, например, из нитрида кремния. Для повышения КПД ФП поверхность кремния на лицевой 10 и тыльной 13 сторонах имеет микротекстуру. На тыльной стороне 13 на поверхность кремния нанесена пленка 14 из Al2O3 с встроенными отрицательными электрическими зарядами 15 плотностью не менее 1011 см-2, которая создает в прилегающем кремнии слои 4* р+-типа с носителями тока, наведенными встроенным отрицательным электрическим зарядом. Поверх пленки 14 нанесена просветляющая пленка 16, например, нитрида кремния толщиной около 80 нм с показателем преломления не менее 2,0. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 7 на лицевой стороне больше глубины залегания от поверхности n+-р перехода 3 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных n++ слоев 6 и разницы толщины легированных n+ слоев 2 и 2*, созданных разными методами диффузии. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 9 на тыльной стороне больше глубины залегания от поверхности изотипного р-р+ перехода 5 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных р++ слоев 8 и разницы толщины легированных слоев 4 р+-типа и слоев 4* р+-типа с носителями тока, наведенными встроенным отрицательным электрическим зарядом.

На фиг.6 ФП состоит из пластины кристаллического кремния с базовой областью 1 n-типа проводимости, легированных слоев 2 и 2* p+-типа, образующих p+-n переход 3 и легированных слоев 4 и 4* n+-типа, образующих изотипный n-n+ переход 5. На сильно легированных бором (порядка 1020 см-3) р++ слоях 6 нанесены в виде сетки металлические контакты 7, а к сильно легированным фосфором (порядка 1020 см-3) n++ слоям 8 металлические контакты 9. Лицевая сторона 10 ФП содержит пассивирующую пленку 14, например, из Al2O3 с встроенными отрицательными электрическими зарядами 15 плотностью не менее 1011 см-2, поверх которой нанесена просветляющая пленка 16, например, из нитрида кремния. Для повышения КПД ФП целесообразно использовать текстурирование поверхности кремния на лицевой и тыльной сторонах. На тыльной стороне 13 на поверхность кремния нанесена пассивирующая, просветляющая пленка 11 с встроенными положительными зарядами 12 плотностью не менее 1011 см-2, например, из нитрида кремния, которая создает в прилегающем кремнии слои 4* n+ типа с носителями тока, наведенными встроенным положительным электрическим зарядом. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 7 на лицевой стороне больше глубины залегания от поверхности p+-n перехода 3 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 6 и разницы толщины легированных p+ слоев 2 и 2*, созданных разными методами диффузии. Толщина легированных слоев под металлическими контактами 9 на тыльной стороне больше глубины залегания от поверхности изотипного n-n+ перехода 5 в промежутках контактов. Это превышение соответствует толщине сильно легированных слоев 8 и разницы толщины легированных слоев 4 n+-типа и слоев 4* n+-типа с носителями тока, наведенными встроенным положительным электрическим зарядом.

ФП из кремния изготовляются следующим образом.

Пример 1. ФП с конструкцией на фиг.1 изготовляют из пластин кремния толщиной около 200 мкм р-типа проводимости с диффузионной длиной неосновных носителей тока (ННТ) более 300 мкм. После удаления механически нарушенного слоя проводят текстурирование обеих сторон пластин. Лицевую сторону легируют диффузией фосфора, а тыльную сторону диффузией бора, получая р-n переход и изотипный переход. Трафаретной печатью наносят с двух сторон металлическую контактную сетку. Избирательным химическим травлением удаляют с обеих сторон сильно легированные (порядка 1020 см-3) слои n++- и р++-типа в промежутке между контактами. На тыльную сторону наносят пленку Al2O3, а затем на лицевую и тыльную стороны методом плазмохимического осаждения наносят пленку нитрида кремния с положительным встроенным зарядом. Пленку Al2O3 с встроенным отрицательным зарядом плотностью от 1011 до 1013 см-2 предпочтительно наносить методом атомно-слоевого осаждения или магнетронного распыления.

Пример 2. ФП с конструкцией на фиг.2 изготовляют из пластин кремния n-типа аналогично примеру 1. Отличие состоит в том, что лицевую сторону легируют диффузией бора, а тыльную сторону диффузией фосфора и пленку Al2O3 наносят с лицевой стороны.

Пример 3. ФП с конструкцией на фиг.3 изготовляют из пластин кремния р-типа аналогично примеру 1. Отличие состоит в том, что при избирательном химическом травлении с тыльной стороны удаляют в промежутке между контактами не только сильно легированный слой р++, но и p+ легированный слой.

Пример 4. ФП с конструкцией на фиг.4 изготовляют из пластин кремния n-типа аналогично примеру 3. Отличие состоит в том, что лицевую сторону легируют диффузией бора, а тыльную сторону диффузией фосфора и пленку Al2O3 наносят с лицевой стороны.

Пример 5. ФП с конструкцией на фиг.5 изготовляют из пластин кремния толщиной около 200 мкм р-типа проводимости с диффузионной длиной ННТ более 300 мкм. После удаления механически нарушенного слоя проводят текстурирование обеих сторон пластин. Лицевую сторону легируют диффузией фосфора, создавая n+ слой. Тыльную сторону химически травят, очищают поверхность и наносят пленку Al2O3. На обе стороны наносят пленку нитрида кремния. Затем методом лазерной диффузии создают локально легированные бором или алюминием слои p++ и р+-типа на тыльной стороне и легированные фосфором слои n++ и n+-типа на лицевой стороне. При воздействии лазера в пленках нитрида кремния и окиси алюминия происходит образование окон и канавок в кремнии, которые заполняют химическим осаждением контактов из никеля и меди+олова.

Пример 6. ФП с конструкцией на фиг.6 изготовляют из пластин кремния n-типа аналогично примеру 5. Отличие состоит в том, что лицевую сторону легируют диффузией бора, а тыльную сторону диффузией фосфора и пленку Al2O3 наносят с лицевой стороны.

ФП действует следующим образом. Тонкие (менее 0,5 мкм) n+ и p+ слои на лицевой и тыльной сторонах в промежутке между контактами обладают низким поглощением света, поэтому при освещении потоком светового излучения фоточувствительных сторон 10 и 13 на фиг.1-6 электронно-дырочные пары генерируются в основном в базовой области 1. ННТ, возникшие в n+ и р+ слоях, двигаются к n+-p (p+-n) переходу под действием электрического поля, образованного градиентом концентрации основных носителей. Наведенные встроенным зарядом n+ или p+ слои на тыльной стороне не имеют структурных дефектов, свойственных легированным слоям, и поэтому способствуют увеличению собирания ННТ из базовой области при освещении тыльной стороны. ННТ, возникшие в базовой области 1, двигаются за счет диффузии, однако при приближении к изотипному р-р+ (n-n+) переходу 5, отталкиваются электрическим полем изотипного перехода и дрейфуют к n+-p (p+-n) переходу. При условии малой толщины базовой области (меньше диффузионной длины ННТ) происходит практически полное собирание ННТ, что приводит к увеличению фототока и КПД и равной эффективности, как при освещении лицевой, так и тыльной сторон. По сравнению с прототипом предлагаемые двусторонние ФП имеют низкую себестоимость изготовления и обладают на 20% большей эффективностью при освещении с тыльной стороны.

Похожие патенты RU2432639C2

название год авторы номер документа
КРЕМНИЕВЫЙ ДВУХСТОРОННИЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2015
  • Борисов Валерий Константинович
  • Стребков Дмитрий Семенович
RU2601732C2
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2008
  • Заддэ Виталий Викторович
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Семенова Ольга Ивановна
RU2419180C2
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2009
  • Заддэ Виталий Викторович
  • Стребков Дмитрий Семенович
RU2417481C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2009
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Заддэ Виталий Викторович
RU2444087C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2009
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Заддэ Виталий Викторович
RU2410794C2
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 2009
  • Проценко Игорь Евгеньевич
  • Рудой Виктор Моисеевич
  • Болтаев Анатолий Петрович
  • Пудонин Федор Алексеевич
  • Дементьева Ольга Вадимовна
  • Займидорога Олег Антонович
RU2387048C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2009
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Чепа Алексей Васильевич
  • Кузнецов Александр Николаевич
  • Заддэ Виталий Викторович
RU2401480C1
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2007
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Заддэ Виталий Викторович
RU2331139C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2009
  • Заддэ Виталий Викторович
  • Стребков Дмитрий Семенович
RU2408111C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2009
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Заддэ Виталий Викторович
RU2417482C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 432 639 C2

Реферат патента 2011 года КОНСТРУКЦИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С ДВУСТОРОННЕЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. В кремниевом фотопреобразователе с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащем n+-р (р+-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р+ (n-n+) переход в базовой области на тыльной стороне, просветляющую пленку и металлическую контактную сетку на лицевой и тыльной сторонах, просветляющая пленка выполнена так, что плотность встроенного электрического заряда не менее 1·1011 см-2, знак этого заряда совпадает со знаком заряда основных носителей тока в базовой области, причем n+-р (р+-n) переход и изотипный р-р+ (n-n+) переход под контактной сеткой выполнены на большей глубине, чем в промежутках контактной сетки. Также предложены еще один вариант и два варианта способа изготовления. Изобретение обеспечивает повышение КПД и снижение стоимости изготовления фотопреобразователей. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Формула изобретения RU 2 432 639 C2

1. Кремниевый фотопреобразователь с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащий n+-р (р+-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р+ (n-n+) переход в базовой области на тыльной стороне, просветляющую пленку и металлическую контактную сетку на лицевой и тыльной сторонах, отличающийся тем, что просветляющая пленка содержит плотность встроенного электрического заряда не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в прилегающем слое кремния, причем n+-р (р+-n) переход и изотипный р-р+ (n-n+) переход под контактной сеткой выполнены на большей глубине, чем в промежутках контактной сетки.

2. Кремниевый фотопреобразователь с двусторонней фоточувствительностью по п.1, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд содержит пленка нитрида кремния.

3. Кремниевый фотопреобразователь с двусторонней фоточувствительностью по п.1, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд содержится под пленкой нитрида кремния в пленке оксида алюминия толщиной не более 20 нм.

4. Кремниевый фотопреобразователь с двусторонней фоточувствительностью, у которого толщина соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, содержащий n+-р (р+-n) переход на лицевой стороне, изотипный р-р+ (n-n+) переход в базовой области на тыльной стороне, просветляющую пленку и металлическую контактную сетку на лицевой и тыльной сторонах, отличающийся тем, что просветляющая пленка содержит плотность встроенного электрического заряда не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в прилегающем слое кремния, причем изотипный р-р+ (n-n+) переход под контактной сеткой выполнен из легированных слоев, а в промежутках контактной сетки из слоев с носителями тока, наведенных встроенным электрическим зарядом.

5. Кремниевый фотопреобразователь с двусторонней фоточувствительностью по п.4, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд содержит пленка нитрида кремния.

6. Кремниевый фотопреобразователь с двусторонней фоточувствительностью по п.4, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд содержится под пленкой нитрида кремния в пленке оксида алюминия толщиной не более 20 нм.

7. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью, включающий диффузионное легирование кремния донорной и акцепторной примесями, нанесение пассивирущей просветляющей пленки и сетки металлических контактов на лицевую и тыльную стороны, отличающийся тем, что химическим травлением уменьшают толщину легированных слоев на лицевой и тыльной сторонах в промежутках металлической контактной сетки и создают просветляющую пленку на лицевой и тыльной сторонах с встроенным электрическим зарядом плотностью не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в прилегающем слое кремния.

8. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью по п.7, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд создают путем плазмохимического осаждения пленки нитрида кремния.

9. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью по п.7, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд создают путем атомно-слоевого осаждения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

10. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью по п.7, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд создают путем магнетронного нанесения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

11. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью, включающий диффузионное легирование кремния донорной и акцепторной примесями, нанесение пассивирущей просветляющей пленки и сетки металлических контактов на лицевую и тыльную стороны, отличающийся тем, что просветляющую пленку на обеих сторонах создают с встроенным электрическим зарядом плотностью не менее 1·1011 см-2, знак которого совпадает со знаком заряда основных носителей тока в прилегающем слое кремния, лазерной диффузией создают локально легированные слои n+-р (р+-n) перехода и изотипного р-р+ (n-n+) перехода и на эти легированные слои наносят металлическую контактную сетку.

12. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью по п.11, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд создают путем плазмохимического осаждения пленки нитрида кремния.

13. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью по п.11, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд создают путем атомно-слоевого осаждения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

14. Способ изготовления кремниевого фотопреобразователя с двусторонней фоточувствительностью по п.11, отличающийся тем, что встроенный электрический заряд создают путем магнетронного нанесения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, а затем нитрида кремния.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2011 года RU2432639C2

US 3948682 A, 06.04.1976
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА (ВАРИАНТЫ) 2008
  • Арбузов Юрий Дмитриевич
  • Евдокимов Владимир Михайлович
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Шеповалова Ольга Вячеславовна
RU2371812C1
УСТАНОВКА ДЛЯ СБОРКИ ИЗДЕЛИЯ ПОД СВАРКУ 0
SU233139A1
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор 1970
  • Бордина Н.М.
  • Заддэ В.В.
  • Зайцева А.К.
  • Ландсман А.П.
  • Стребков Д.С.
  • Стрельцова В.И.
  • Унишков В.А.
SU434872A1

RU 2 432 639 C2

Авторы

Заддэ Виталий Викторович

Пинов Ахсарбек Борисович

Тимербулатов Тимур Рафкатович

Тимербулатов Владислав Тимурович

Токарев Владимир Евгеньевич

Даты

2011-10-27Публикация

2009-12-15Подача