СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА Российский патент 2011 года по МПК H01L21/265 

Описание патента на изобретение RU2433501C2

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов кремний-на-изоляторе, с низкой плотностью дефектов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора (Патент 4889829 США, МКИ H01L 21/76) путем формирования термической пленки SiO2 на Si-подложке, служащей для стабилизации электрических характеристик между формируемым в последствии методом осаждения изолирующим слоем и подложкой. Осажденный слой окисла и пленки термического SiO2 частично удаляются и остаются только в области формирования структуры кремний на изоляторе. Далее осаждают слой поликремния, предназначенный для создания структуры транзистора. В полупроводниковых приборах, изготовленных таким способом, образуются многослойные структуры, которые ухудшают параметры полупроводниковых приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора (Патент 5061642 США, МКИ H01L 21/477) путем имплантации О2 через подложку с образованием промежуточного слоя. Затем проводится отжиг подложки в атмосфере N2, в каждом цикле которого попеременно чередуются температура 1100°С и 500°С. Продолжительность цикла минута, количество циклов - 10. В результате происходит образование слоя SiO2 под слоем Si.

Недостатками этого способа являются:

- повышенная плотность дефектов в поверхностном слое Si;

- низкая технологическая воспроизводимость;

- значительные токи утечки.

Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем формирования скрытого слоя нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с плотностью тока пучка 0,7 мА/см2 и последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере Ar в течение 2-4 час.

Формирование скрытого слоя нитрида кремния взамен SiO2 обеспечивает существенное снижение плотности дефектов в поверхностном слое Si и позволяет сформировать более толстые изолированные слои в Si, за счет снижения дозы имплантации.

Технология способа состоит в следующем: сначала на пластинах Si выращивали слой термического окисла (25 нм), который в процессе имплантации N2 предотвращает распыление Si и уменьшает загрязнение поверхности. Имплантацию N2 выполняли при температуре подложки 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с плотностью тока пучка 0,7 мА/см2. Затем проводили термический отжиг при температуре 1200°С в атмосфере Ar в течение 2-4 час. Затем в верхнем слое Si создавали активные области полупроводникового прибора по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 20,5%.

Технический результат:

- снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности; улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования скрытого слоя нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с плотностью тока пучка 0,7 мА/см2 с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере Ar в течение 2-4 час позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Похожие патенты RU2433501C2

название год авторы номер документа
Способ изготовления силицида титана 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2751983C1
Способ изготовления полупроводниковой структуры 2016
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2629655C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2010
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2428764C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2018
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2688866C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2006
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2340038C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА 2012
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Уянаева Марьям Мустафаевна
RU2522930C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2009
  • Мустафаев Абдула Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2431904C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 2010
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2445722C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ 2017
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2660212C1
Способ изготовления мелкозалегающих переходов 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2748335C1

Реферат патента 2011 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора скрытый изолирующий слой формируют из нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550-650°С с энергией 140-160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аргона в течение 2-4 час. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 433 501 C2

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование скрытого изолирующего слоя в подложке кремния и создание на верхнем слое кремния активных областей полупроводникового прибора, отличающийся тем что скрытый изолирующий слой формируют из нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аргона в течение 2-4 ч.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2011 года RU2433501C2

1988
SU1597027A1
SU 1584645 A1, 20.02.2000
US 7071067 B1, 04.07.2006
US 6362051 B1, 26.03.2002
GB 1483888 A, 24.08.1977
Способ формирования складок типа плиссе или гофре на текстильном полотне 1984
  • Кирсанова Елена Александровна
  • Мазов Юрий Алексеевич
SU1189913A1

RU 2 433 501 C2

Авторы

Мустафаев Абдулла Гасанович

Мустафаев Гасан Абакарович

Мустафаев Арслан Гасанович

Даты

2011-11-10Публикация

2008-01-24Подача