ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КРИСТАЛЛ И ЕГО МОНТАЖНАЯ СТРУКТУРА Российский патент 2013 года по МПК H01L21/60 

Область техники

Данное изобретение относится к полупроводниковым кристаллам и монтажным структурам таких полупроводниковых кристаллов и, в частности, к структуре полупроводникового кристалла, который устанавливается на подложку с использованием клейкого вещества, имеющего свойство проводимости, и к монтажной структуре, обуславливающей то, как полупроводниковый кристалл устанавливается на подложку.

Уровень техники

В последние годы уменьшение в размерах и изготовление более тонких электронных устройств все более востребовано. В связи с этим были предложены различные способы монтажа кристалла ИС (интегральной схемы) или кристалла БИС (большой интегральной схемы) (здесь и далее вместе просто называемых «кристаллами») на монтажной плате. Например, «монтаж методом перевернутого кристалла» известен как способ монтажа, который осуществляет монтаж кристалла на монтажную плату малой площади. Монтаж методом перевернутого кристалла является способом монтажа с формированием столбикового электрода, называемого «контактным столбиком», на поверхности кристалла без герметизирующего покрытия, называемого «бескорпусным кристаллом», и с непосредственным электрическим соединением кристалла с монтажной платой со стороной цепи кристалла, обращенной вниз.

При монтаже методом перевернутого кристалла обычно используется анизотропный проводящий материал для соединения монтажной платы и кристалла. Анизотропный проводящий материал является соединяющим материалом, обладающим свойством проводимости в направлении толщины в участке соединения сжатием и изолирующим свойством в плоском направлении в участке соединения сжатием. Анизотропный проводящий материал в основном состоит из проводящих частиц и смолы, служащей клейким веществом (здесь и далее называемым «клейкой смолой»), (проводящие частицы распределены в клейкой смоле). При соединении тепло и давление воздействуют на участок соединения, тем самым распределяя клейкую смолу. На данном этапе противоположные электроды, которые обращены друг к другу, становятся электрически соединенными благодаря проводящим частицам, зажатым (захваченным) между противоположными электродами. Следует отметить, что количество проводящих частиц, добавленных к клейкой смоле, рассчитано в соответствии с площадью электродов для соединения и пространством между электродами.

Как правило, клейкое вещество в форме пасты, называемой АПП (анизотропной проводящей пастой), и клейкое вещество в виде пленки, называемой АППл (Анизотропной проводящей пленкой), известны как анизотропные проводящие материалы. АПП и АППл являются клейким веществом, в котором проводящие частицы, такие как частицы никеля или покрытые золотом пластиковые частицы, распределены в клейком веществе, состоящем из термоактивной смолы, такой как эпоксидная смола. Сравнивая АПП с АППл, проводящие частицы более подвижны в АПП по сравнению с АППл. Соответственно, АПП имеет недостаток, который заключается в том, что проводящие частицы не могут быть легко захвачены между электродами при соединении. В отличие от этого, АППл имеет преимущество, которое заключается в том, что проводящие частицы могут быть легко захвачены между электродами при соединении, и, таким образом, электрическое соединение между электродами может быть надежно обеспечено. В последние годы при том, что электронные устройства стали меньше и тоньше, расстояние между контактами в кристалле становится все меньше, и контактная площадка стала более микроскопической. Таким образом, в свете облегчения захвата проводящих частиц, АППл стала чаще использоваться в качестве клейкого вещества.

Фиг. 15 является видом снизу традиционного кристалла 70 БИС, который используется в качестве схемы возбуждения устройства с жидкокристаллическим дисплеем. На нижней поверхности кристалла 70 БИС обеспечиваются группа 710 входных контактных столбиков, включающая в себя множество входных контактных столбиков (входных контактов) 71, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны, и группа 720 выходных контактных столбиков, включающая в себя множество выходных контактных столбиков (выходных контактов) 72, расположенных в шахматном порядке вдоль другой длинной стороны. Группа 710 входных контактных столбиков и группа 720 выходных контактных столбиков соединены с помощью АППл с контактными площадками, расположенными на монтажной плате, на которой установлен кристалл 70 БИС. На контактные площадки, соединенные с группой 710 входных контактных столбиков, подаются электрические сигналы, заставляющие кристалл 70 БИС работать. С контактными площадками, соединенными с группой 720 выходных контактных столбиков, соединены линия сигналов развертки и линия видеосигналов, на которые подаются сигналы возбуждения от кристалла 70 БИС через соответствующие контактные площадки.

Далее описывается то, как кристалл (например, кристалл 70 БИС, изображенный на ФИГ. 15) устанавливается на монтажную плату с использованием АППл. Сначала, как изображено на Фиг. 16А, готовится монтажная плата 51, на которой формируются контактные площадки 53 для электрического соединения с кристаллом 50, и кристалл 50, на котором формируются контактные столбики 52, и АППл 54 наносится на монтажную плату 51 таким образом, чтобы покрыть контактные площадки 53. Затем, как изображено на Фиг. 16В, осуществляется термокомпрессионное соединение кристалла 50 с монтажной платой 51 с помощью инструмента 55 для термокомпрессии. Термокомпрессионное соединение осуществляется в состоянии, в котором положения контактных столбиков 52, предоставленных на нижней поверхности кристалла 50, и положения контактных площадок 53 на монтажной плате 51 выровнены. С помощью термокомпрессионного соединения смола, включающая в себя АППл 54 (здесь и далее называемая «смола АППл») плавится, и смола АППл растекается по сторонам от центра кристалла 50, как изображено на Фиг. 16С. В то время, как смолой АППл заполняется пространство между контактными столбиками 52, обеспечивается электрический контакт между контактными столбиками 52 на нижней поверхности кристалла 50 и контактными площадками 53 на монтажной плате 51 с помощью проводящих частиц, содержащихся в смоле АППл.

Следует отметить, что нижеследующие традиционные способы известны в области техники изобретения данной заявки. Публикация заявки на патент Японии, не прошедшей экспертизу, No. 2004-252466 раскрывает изобретение, представляющее собой кристаллы 80 и 85 ИС, имеющие нижнюю поверхность с конфигурацией, изображенной на Фиг. 17 и 18. На Фиг. 17 группа входных контактных столбиков, группа выходных контактных столбиков, соединенных с линиями видеосигналов, и группа выходных контактных столбиков, соединенных с линиями сигналов развертки, соответственно представлены ссылочными номерами 81, 82 и 83. На Фиг. 18 группа входных контактных столбиков, группа выходных контактных столбиков, соединенных с линиями видеосигналов, и группа выходных контактных столбиков, соединенных с линиями сигналов развертки, соответственно представлены ссылочными номерами 86, 87 и 88. В соответствии с кристаллами 80 и 85 ИС утверждается, что текучесть смолы АППл между выходными контактными столбиками увеличена, так как выходные контактные столбики не расположены в шахматном порядке. Кроме того, публикация заявки на патент Японии, не прошедшей экспертизу, No. 2006-106132 раскрывает структуру, имеющую группу контактов для испытаний 91 вдоль короткой стороны кристалла, как изображено на Фиг. 19, и структуру, имеющую группу контактов для испытаний 94, расположенную внутри относительно группы 93 входных контактов, как изображено на Фиг. 20. Здесь Фиг. 20 является частично увеличенным видом области, представленной ссылочным номером 95 на Фиг. 21. Более того, публикация заявки на патент Японии, не прошедшей экспертизу, No. 2007-173738 раскрывает способ предоставления участка нерабочего проводника проводки, тем самым предотвращая появление пузырьков воздуха, возникающих внутри герметизирующей смолы, у проводников проводки.

Документы предшествующего уровня техники

Патентные документы

Патентный документ 1. Публикация заявки на патент Японии, не прошедшей экспертизу, No. 2004-252466.

Патентный документ 2. Публикация заявки на патент Японии, не прошедшей экспертизу, No. 2006-106132.

Патентный документ 3. Публикация заявки на патент Японии, не прошедшей экспертизу, No. 2007-173738.

Сущность изобретения

Задачи, которые необходимо решить с помощью изобретения

В связи с тем фактом, что расстояние между контактами стало меньше, как было описано выше, часто возникает ситуация, когда электрическое соединение между выходными контактными столбиками кристалла и контактными площадками монтажной платы становится ненадежным (здесь и далее называемым «ненадежным соединением») на четырех углах нижней поверхности кристалла (здесь и далее называемых «угловыми участками»). Это будет разъяснено далее. Фиг. 22 является видом для объяснения растекания смолы АППл на нижней поверхности кристалла 70 БИС, где расстояние между контактами 70 кристалла БИС, изображенного на Фиг. 15, уменьшено. На Фиг. 22 направления, обозначенные стрелками, отображают растекание смолы АППл, и ширина каждой из стрелок отображает величину растекания (объем растекания) смолы АППл. Объем растекания в направлении коротких сторон от центрального участка существенно больше, что обозначено стрелками, представленными ссылочным номером 75, так как нет контактных столбиков в области между входными контактными столбиками 71 и выходными контактными столбиками 72. Из потоков в направлении длинных сторон от центрального участка объем растекания в направлении стороны выходных контактных столбиков 72 уменьшается от центра длинной стороны к угловым участкам, что указано стрелками, отображенными ссылочными номерами с 76 по 78. Это происходит из-за того, что смола АППл не может просто проходить через выходные контактные столбики 72, так как выходные контактные столбики 72 расположены в шахматном порядке с малым шагом. Кроме того, что касается смолы АППл, так как объем растекания в направлении, в котором смола АППл может легко растекаться, становится большим, объем растекания в направлении длинных сторон от центрального участка уменьшается в связи с увеличенным объемом растекания в направлении коротких сторон от центрального участка, как описано выше. Таким образом, объем растекания становится существенно ниже, в особенности, рядом с угловыми участками кристалла 70 БИС, что обозначено стрелками, отображенными ссылочным номером 78. В результате, ненадежное соединение, описанное выше, может иметь место рядом с угловыми участками. Следует отметить, что относительно растекания в направлении входных контактных столбиков 71 из потоков в направлении длинных сторон от центрального участка, так как входные контактные столбики 71 предоставлены на расстоянии, не меньше расстояния между выходными контактными столбиками 72, объем растекания, который не приводит к ненадежному соединению, обеспечивается даже рядом с угловыми участками, что указано стрелками, отображенными ссылочным номером 79.

Таким образом, целью данного изобретения является реализация полупроводникового кристалла, имеющего меньшее расстояние между контактами, причем кристалл должен быть способен предотвращать возникновение ненадежного соединения между кристаллом и подложкой, на которую кристалл устанавливается.

Средства решения задач

Первый аспект данного изобретения направлен на полупроводниковый кристалл, имеющий прямоугольную нижнюю поверхность, и включающий в себя первую группу столбиковых электродов и вторую группу столбиковых электродов, причем первая группа столбиковых электродов включает в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для приема входных сигналов от внешнего источника и расположенных вдоль одной длинной стороны нижней поверхности, причем вторая группа столбиковых электродов включает в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для вывода выходных сигналов и расположенных вдоль другой длинной стороны нижней поверхности, причем полупроводниковый кристалл включает в себя:

третью группу столбиковых электродов, расположенную в области между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, на нижней поверхности, причем третья группа столбиковых электродов включает в себя множество прямоугольных столбиковых электродов, которые имеют длинную сторону, продолжающуюся вдоль направления, перпендикулярного длинным сторонам нижней поверхности, где

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, являются электродами без внешнего электрического соединения.

В соответствии со вторым аспектом данного изобретения, в первом аспекте данного изобретения

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, содержат столбиковые электроды, предоставленные только рядом с одной короткой стороной и другой короткой стороной нижней поверхности.

В соответствии с третьим аспектом данного изобретения, в первом аспекте данного изобретения

длинная сторона множества столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, равна или больше половины расстояния между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

В соответствии с четвертым аспектом данного изобретения, в первом аспекте данного изобретения

третья группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайне мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

В соответствии с пятым аспектом данного изобретения, в первом аспекте данного изобретения

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении одной длинной стороны нижней поверхности, и столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении другой длинной стороны нижней поверхности, расположены чередуясь.

В соответствии с шестым аспектом данного изобретения, в первом аспекте данного изобретения

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

В соответствии с седьмым аспектом данного изобретения, в первом аспекте данного изобретения

третья группа столбиковых электродов содержит линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, и

множество столбиковых электродов, включенных в каждую линию столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

В соответствии с восьмым аспектом данного изобретения, в первом аспекте данного изобретения

вторая группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайней мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны нижней поверхности, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована третья группа столбиковых электродов.

Девятый аспект данного изобретения направлен на жидкокристаллический модуль, включающий в себя жидкокристаллическую панель, которая содержит первую подложку и вторую подложку, которые обращены друг к другу, причем первая подложка оснащена схемой возбуждения для возбуждения жидкокристаллической панели, где

полупроводниковый кристалл в соответствии с любым из аспектов данного изобретения с первого по восьмой установлен в качестве схемы возбуждения на первую подложку с использованием анизотропной проводящей пленки.

Десятый аспект данного изобретения направлен на монтажную структуру, в которой полупроводниковый кристалл, имеющий прямоугольную нижнюю поверхность, установлен на монтажную плату, на которой сформирована электрическая проводка, с использованием анизотропной проводящей пленки, где

полупроводниковый кристалл включает в себя:

первую группу столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для приема входных сигналов от электрической проводки на монтажной плате и расположенных вдоль одной длинной стороны нижней поверхности;

вторую группу столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для вывода выходных сигналов на электрическую проводку на монтажной плате и расположенных вдоль другой длинной стороны нижней поверхности; и

третью группу столбиковых электродов, предоставленную в области между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, причем третья группа столбиковых электродов включает в себя множество прямоугольных столбиковых электродов, которые имеют длинную сторону, продолжающуюся вдоль направления, перпендикулярного длинным сторонам нижней поверхности, и

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, являются электродами без электрического соединения с электрической проводкой монтажной платы.

В соответствии с одиннадцатым аспектом данного изобретения, в десятом аспекте данного изобретения

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, содержит столбиковые электроды, предоставленные только рядом с одной короткой стороной и другой короткой стороной нижней поверхности.

В соответствии с двенадцатым аспектом данного изобретения, в десятом аспекте данного изобретения

длинная сторона множества столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, равна или больше половины расстояния между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

В соответствии с тринадцатым аспектом данного изобретения, в десятом аспекте данного изобретения

третья группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайне мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

В соответствии с четырнадцатым аспектом данного изобретения, в десятом аспекте данного изобретения

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении одной длинной стороны нижней поверхности, и столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении другой длинной стороны нижней поверхности, расположены чередуясь.

В соответствии с пятнадцатым аспектом данного изобретения, в десятом аспекте данного изобретения

множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

В соответствии с шестнадцатым аспектом данного изобретения, в десятом аспекте данного изобретения

третья группа столбиковых электродов содержит линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, и

множество столбиковых электродов, включенных в каждую линию столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

В соответствии с семнадцатым аспектом данного изобретения, в десятом аспекте данного изобретения

вторая группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайней мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны нижней поверхности, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована третья группа столбиковых электродов.

В соответствии с восемнадцатым аспектом данного изобретения, в любом из аспектов данного изобретения с десятого по семнадцатый,

монтажная плата является одной из двух подложек, которые составляют жидкокристаллическую панель, включенную в жидкокристаллический модуль, и

полупроводниковый кристалл является схемой возбуждения для возбуждения жидкокристаллической панели.

Преимущества изобретения

В соответствии с первым аспектом данного изобретения, на нижней поверхности полупроводникового кристалла предоставляется третья группа столбиковых электродов, которая включает в себя множество столбиковых электродов, которые имеют длинную сторону, продолжающуюся вдоль направления, перпендикулярного длинным сторонам нижней поверхности полупроводникового кристалла, в области между первой группой столбиковых электродов для получения входных сигналов и второй группой столбиковых электродов для вывода выходных сигналов. Следовательно, когда полупроводниковый кристалл установлен на монтажную плату с использованием анизотропной проводящей пленки, растекание смолы (проводящей смолы), которая составляет анизотропную проводящую пленку, заблокировано третьей группой столбиковых электродов. Соответственно, по сравнению с традиционной конфигурацией, больший объем проводящей смолы растекается в направлении длинных сторон от центрального участка полупроводникового кристалла. В результате, значительное растекание проводящей смолы обеспечивается даже рядом с угловыми участками полупроводникового кристалла, тем самым предотвращая возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания проводящей смолы.

Кроме того, множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, не осуществляют функцию электрического соединения. Следовательно, так как электрический сигнал не передается через множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, существует возможность расположить множество столбиковых электродов для блокирования растекания проводящей смолы на нижней поверхности полупроводникового кристалла без учета расположения проводки и тому подобного. Соответственно, существует возможность сделать расстояние между контактами полупроводникового кристалла меньше, при этом не увеличивая размера кристалла.

В соответствии со вторым аспектом данного изобретения, столбиковые электроды для блокирования растекания проводящей смолы предоставлены только рядом с обеими короткими сторонами нижней поверхности полупроводникового кристалла. Следовательно, существует возможность дать большему объему проводящей смолы по сравнению с традиционным примером растекаться рядом с угловыми участками полупроводникового кристалла, при этом не уменьшая степень гибкости при разработке полупроводникового кристалла. Соответственно, существует возможность предотвратить возникновение ненадежного соединения рядом с угловыми участками, где объем растекания проводящей смолы наиболее вероятно будет недостаточным, при этом эффективно предотвращая увеличение размера кристалла.

В соответствии с третьим аспектом данного изобретения, на нижней поверхности полупроводникового кристалла большая часть объема растекания проводящей смолы в направлении коротких сторон от центрального участка блокируется третьей группой столбиковых электродов. Следовательно, возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания проводящей смолы рядом с угловыми участками полупроводникового кристалла надежно предотвращается.

В соответствии с четвертым аспектом данного изобретения в полупроводниковом кристалле, в котором длина столбиковых электродов ограничена, растекание проводящей смолы в направлении коротких сторон от центрального участка нижней поверхности полупроводникового кристалла может блокироваться относительно эффективно. Следовательно, достаточный объем растекания проводящей смолы обеспечивается даже рядом с угловыми участками полупроводникового кристалла. Соответственно, возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания проводящей смолы предотвращается в полупроводниковом кристалле, в котором длина столбиковых электродов ограничена.

В соответствии с пятым аспектом данного изобретения, аналогично четвертому аспекту данного изобретения, возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания проводящей смолы предотвращается в полупроводниковом кристалле, в котором длина столбиковых электродов ограничена.

В соответствии с шестым аспектом данного изобретения, на нижней поверхности полупроводникового кристалла растекание проводящей смолы может быть эффективно заблокировано при приближении к коротким сторонам от центрального участка. Напротив, на нижней поверхности полупроводникового кристалла область, занимаемая третьей группой столбиковых электродов, уменьшается при приближении к центральному участку от коротких сторон. Таким образом, возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания проводящей смолы предотвращается, при этом обеспечивая определенную степень гибкости при разработке полупроводникового кристалла.

В соответствии с седьмым аспектом данного изобретения, аналогично шестому аспекту данного изобретения, возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания проводящей смолы предотвращается, при этом обеспечивая определенную степень гибкости при разработке полупроводникового кристалла.

В соответствии с восьмым аспектом данного изобретения, существует возможность добиться того же эффекта, что и в первом аспекте данного изобретения в полупроводниковом кристалле, в котором вторая группа столбиковых электродов для вывода выходных сигналов сконфигурирована в виде множества линий столбиковых электродов.

В соответствии с девятым аспектом данного изобретения, существует возможность получить жидкокристаллический модуль, в котором полупроводниковый кристалл, обеспечивающий тот же эффект, что и любой аспект данного изобретения с первого по восьмой, установлен на подложку жидкокристаллической панели.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 является видом снизу кристалла БИС в первом варианте осуществления в соответствии с данным изобретением.

Фиг. 2 является видом сверху жидкокристаллического модуля, снабженного кристаллом БИС по первому варианту осуществления.

Фиг. 3 является сечением, взятым вдоль линии А-А на Фиг. 1.

Фигуры 4А и 4В являются иллюстративными схемами для разъяснения эффекта первого варианта осуществления.

Фиг. 5 является иллюстративной схемой для разъяснения растекания смолы АППл в первом варианте осуществления.

Фигуры 6А и 6В являются иллюстративными схемами для разъяснения эффекта первого варианта осуществления.

Фиг. 7 является видом снизу кристалла БИС во втором варианте осуществления в соответствии с данным вариантом осуществления.

Фиг. 8 является видом снизу кристалла БИС в третьем варианте осуществления в соответствии с данным изобретением.

Фиг. 9 является видом снизу кристалла БИС модифицированного примера третьего варианта осуществления.

Фиг. 10 является видом снизу кристалла БИС модифицированного примера третьего варианта осуществления.

Фиг. 11 является видом снизу кристалла БИС модифицированного примера третьего варианта осуществления.

Фиг. 12 является видом снизу кристалла БИС модифицированного примера третьего варианта осуществления.

Фиг. 13 является видом снизу кристалла БИС в четвертом варианте осуществления в соответствии с данным изобретением.

Фиг. 14 является видом снизу кристалла БИС модифицированного примера четвертого варианта осуществления.

Фиг. 15 является видом снизу традиционного кристалла БИС, который используется в качестве схемы возбуждения в устройстве с жидкокристаллическим дисплеем.

Фиг. с 16А по 16С являются иллюстративными схемами для разъяснения того, как кристалл устанавливается на монтажную плату с использованием АППл.

Фиг. 17 является видом снизу традиционного кристалла ИС.

Фиг. 18 является видом снизу традиционного кристалла ИС.

Фиг. 19 является видом снизу традиционного кристалла.

Фиг. 20 является частично увеличенным видом снизу традиционного кристалла.

Фиг. 21 является видом снизу традиционного кристалла.

Фиг. 22 является иллюстративной схемой для разъяснения растекания смолы АППл в традиционном примере.

Варианты осуществления изобретения

Варианты осуществления данного изобретения будут сейчас описаны со ссылкой на приложенные чертежи.

1. Первый вариант осуществления

1.1 Конфигурация жидкокристаллического модуля

Фиг. 2 является видом сверху жидкокристаллического модуля, снабженного кристаллом БИС (полупроводниковым кристаллом) в соответствии с первым вариантом осуществления данного изобретения. Жидкокристаллический модуль снабжен жидкокристаллической панелью, кристаллом 10 БИС и ГПП (гибкой печатной платой) 40. Жидкокристаллическая панель снабжена подложкой 20 с матрицей TFT, на которой сформирована матрица TFT, которая включает в себя пиксельные электроды (дисплейные электроды), и подложкой 30 с цветовым фильтром, на которой сформирован цветовой фильтр для цветного дисплея, а также и противоположные электроды для приложения напряжения между противоположными электродами и пиксельными электродами с жидкокристаллическим слоем, расположенным между ними. Как подложка 20 с матрицей TFT, так и подложка 30 с цветовым фильтром являются стеклянными подложками. Кроме того, как изображено на Фиг. 2, подложка 20 с матрицей TFT больше чем подложка 30 с цветовым фильтром на виде сверху. Дисплей обеспечивается в области, где подложка 20 с матрицей TFT и подложка 30 с цветовым фильтром перекрывают друг друга на виде сверху. Область подложки 20 с матрицей TFT, которая не обращена в сторону подложки 30 с цветовым фильтром, обычно называется «рамкой изображения». В этом варианте осуществления кристалл 10 БИС для возбуждения жидкокристаллической панели установлен в области, которая соответствует рамке 21 изображения (здесь и далее называемой «областью рамки изображения»), ГПП 40, включающая в себя контроллер для управления работой кристалла 10 БИС, соединена с этой областью, и, таким образом, получается жидкокристаллический модуль. Как было описано выше, конфигурация, в которой кристалл 10 БИС устанавливается на стеклянную подложку, т.е. способ установки кристалла на стекло (COG) применяется в этом варианте осуществления. Отметим, что на Фиг. 2 подложка 30 с цветовым фильтром изображена немного смещенной вверх и влево на виде сверху для удобства иллюстрации.

1.2 Конфигурация нижней поверхности кристалла БИС

Фиг. 1 является видом снизу кристалла 10 БИС в этом варианте осуществления. Как изображено на Фиг. 1, на нижней поверхности кристалла 10 БИС предоставлены группа 110 входных контактных столбиков, включающая в себя множество входных контактных столбиков 11, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны, группа 120 выходных контактных столбиков, включающая в себя множество выходных контактных столбиков 12, расположенных в шахматном порядке вдоль другой длинной стороны, и группа 130 нерабочих контактных столбиков, включающая в себя множество нерабочих контактных столбиков 13, расположенных по линии в области между областью, в которой расположена группа 110 входных контактных столбиков, и областью, в которой расположена группа 120 выходных контактных столбиков. Здесь нерабочие контактные столбики 13 являются контактными столбиками, которые не осуществляют функцию электрического соединения. Группа 110 входных контактных столбиков соединена с помощью АППл с контактными площадками, расположенными на подложке 20 с матрицей TFT, на которой установлен кристалл 10 БИС. Кроме того, электрические сигналы, заставляющие кристалл 10 БИС работать, подаются на контактные площадки, соединенные с группой 110 входных контактных столбиков. Группа 120 выходных контактных столбиков также соединена с помощью АППл с контактными площадками, расположенными на подложке 20 с матрицей TFT, на которой установлен кристалл 10 БИС. Более того, с контактными площадками, соединенными с группой 120 выходных контактных столбиков, соединены линии сигналов развертки и линии видеосигналов, на которые подаются сигналы возбуждения от кристалла 10 БИС через соответствующие контактные площадки.

Следует отметить, что в данном варианте осуществления первая группа столбиковых электродов реализована группой 110 входных контактных столбиков, а вторая группа столбиковых электродов реализована группой 120 выходных контактных столбиков, а третья группа столбиковых электродов реализована группой 130 нерабочих контактных столбиков.

Фиг. 3 является сечением, взятым вдоль линии А-А на Фиг. 1 (сечением, взятым вдоль линии В-В на Фиг. 2). Как изображено на Фиг. 3, нерабочие контактные столбики 13 предоставлены между входными контактными столбиками 11, предоставленными рядом с одним краем нижней поверхности кристалла 10 БИС (сторона ГПП), и выходными контактными столбиками 12, предоставленными рядом с другим краем нижней поверхности кристалла 10 БИС (сторона дисплея). Подложка 20 с матрицей TFT и кристалл 10 БИС соединены друг с другом с помощью АППл 9. Здесь, обратите внимание на длину каждого из контактных столбиков в направлении вдоль ширины (направлении, обозначенном стрелкой, отображенной ссылочным номером 19) на нижней поверхности кристалла 10 БИС, нерабочие контактные столбики 13 типично сконфигурированы таким образом, чтобы быть длиннее входных контактных столбиков 11 и выходных контактных столбиков 12. Кроме того, для того, чтобы блокировать растекание смолы АППл, как будет описано далее, длина La длинной стороны нерабочих контактных столбиков 13 делается как можно более близкой к длине Lb между входными контактными столбиками 11 и выходными контактными столбиками 12. Например, предпочтительно, чтобы длина La была равна или больше половины длины Lb. Кроме того, более предпочтительно, чтобы длина La была равна или больше трех пятых длины Lb. Следует отметить, что на Фиг. 3 контактные площадки подложки 20 с матрицей TFT не изображены.

1.3 Эффекты

В соответствии с традиционной конфигурацией, изображенной на Фиг. 15, любые контактные столбики или им подобное, которые блокируют растекание смолы АППл, не обеспечены в области между группой 710 входных контактных столбиков, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны нижней поверхности кристалла 70 БИС, и группой 720 выходных контактных столбиков, расположенных в шахматном порядке вдоль ее другой длинной стороны. Соответственно, как изображено на Фиг. 4А, объем растекания смолы АППл в направлении длинных сторон от центрального участка существенно меньше по сравнению с объемом растекания в направлении коротких сторон от центрального участка. Это приводит к тому, что объема растекания смолы АППл ощутимо не хватает рядом с угловыми участками кристалла 70 БИС (смотри Фиг. 22), и к тому, что не удается получить действительно надежного соединения из-за недостатка объема растекания смолы, что приводит к ненадежному соединению. В отличие от этого, в соответствии с конфигурацией этого варианта осуществления, предоставляется группа 130 нерабочих контактных столбиков, включающая в себя множество нерабочих контактных столбиков 13, которые имеют длинную сторону в направлении, перпендикулярном большому объему растекания смолы АППл, в области между группой 110 входных контактных столбиков и группой 120 выходных контактных столбиков, как изображено на Фиг. 1. Соответственно, как изображено на Фиг. 4В, растекание смолы АППл в направлении коротких сторон от центрального участка блокируется нерабочими контактными столбиками 13, и больший объем смолы АППл растекается в направлении длинных сторон от центрального участка по сравнению с традиционной конфигурацией. При этом значительное растекание смолы АППл обеспечивается даже рядом с угловыми участками кристалла 10 БИС, как обозначено стрелкой, отображенной ссылочным номером 15 на Фиг. 5, тем самым предотвращая появление ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания смолы АППл.

Кроме того, в соответствии с традиционной конфигурацией, изображенной на Фиг. 17, контактные столбики, отображенные ссылочным номером 84, могут соответствовать нерабочим контактным столбикам 13 в этом варианте осуществления. В соответствии с традиционной конфигурацией, изображенной на Фиг. 18, контактные столбики, отображенные ссылочным номером 89, могут соответствовать нерабочим контактным столбикам 13 в этом варианте осуществления. Тем не менее, при том, что нерабочие контактные столбики 84 и 89 в соответствии с традиционными конфигурациями имеют длинные стороны, которые проходят вдоль направления большого объема растекания смолы АППл, как изображено на Фиг. 6А, нерабочие контактные столбики 13 в соответствии с данным вариантом осуществления имеют длинные стороны, которые проходят вдоль направления, перпендикулярного большому объему растекания смолы АППл, как изображено на Фиг. 6В. Следовательно, в соответствии с данным вариантом осуществления, существует возможность эффективно изменить направление растекания смолы АППл в направлении длинных сторон (нижней поверхности кристалла БИС), и, тем самым, существенный объем растекания смолы АППл может быть надежно обеспечен даже рядом с угловыми участками кристалла 10 БИС.

Как было описано выше, при монтаже кристалла 10 БИС, имеющего меньшее расстояние между контактами (контактными столбиками) на подложке 20 с матрицей TFT, возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания смолы АППл (ненадежное электрическое соединение между выходными контактными столбиками 12 на нижней поверхности кристалла 10 БИС и контактными площадками на подложке 20 с матрицей TFT), которое обычно возникало рядом с угловыми участками кристалла 10 БИС, предотвращается. В результате можно обеспечить очень надежный жидкокристаллический модуль.

Более того, в этом варианте осуществления нерабочие контактные столбики 13, которые не осуществляют функцию электрического соединения, используются в качестве компонента, который блокирует растекание смолы АППл. Так как электрический сигнал не передается через нерабочие контактные столбики 13, существует возможность расположить множество контактных столбиков 13 на нижней поверхности кристалла 10 БИС без учета расположения проводки и тому подобного. Таким образом, эффективность при разработке БИС не уменьшается, и существует возможность сделать расстояние между контактами меньше без увеличения размера кристалла. Таким образом, получается жидкокристаллический модуль, на котором установлен кристалл 10 БИС, имеющий меньшее расстояние между контактами.

Более того, в соответствии с данным вариантом осуществления, существует возможность использования кристалла 10 БИС, имеющего меньшее расстояние между контактами, в жидкокристаллическом модуле, не вызывая серьезных осложнений в плане условий этапа соединения и осуществления работы на этапе соединения.

2. Второй вариант осуществления

Фиг. 7 является видом снизу кристалла 10 БИС во втором варианте осуществления в соответствии с данным изобретением. В этом варианте осуществления, как изображено на Фиг. 7, нерабочие контактные столбики 13 предоставлены только рядом с одной и другой короткими сторонами нижней поверхности кристалла 10 БИС. В частности, только два внешних множества контактных столбиков 13 из множества контактных столбиков 13, включенных в группу 130 контактных столбиков в соответствии с первым вариантом осуществления (смотри Фиг. 1), расположены на нижней поверхности кристалла 10 БИС. Конфигурации, отличные от этой, аналогичны конфигурациям из первого варианта осуществления, и, следовательно, их описание опущено.

Увеличенное число нерабочих контактных столбиков 13, которые блокируют растекание смолы АППл в направлении коротких сторон от центрального участка, предоставленных в области между группой 110 входных контактных столбиков и группой 120 выходных контактных столбиков, улучшает надежность соединения между кристаллом 10 БИС и подложкой 20 с матрицей TFT. Тем не менее, так как число нерабочих контактных столбиков 13, предоставленных на нижней поверхности кристалла 10 БИС увеличивается, гибкость при разработке кристалла 10 БИС уменьшается. Следовательно, путем применения конфигурации, в которой нерабочие контактные столбики 13 предоставлены только рядом с двумя короткими сторонами нижней поверхности кристалла 10 БИС, как изображено на Фиг. 7, существует возможность обеспечить достаточный объем растекания смолы АППл даже рядом с угловыми участками кристалла 10 БИС, не уменьшая гибкость разработки кристалла 10 БИС. При этом можно предотвратить появление ненадежного соединения рядом с угловыми участками, где наиболее легко возникает недостаток в объеме растекания смолы АППл, при этом эффективно предотвращая увеличение размера кристалла.

3. Третий вариант осуществления

Фиг. 8 является видом снизу кристалла 10 БИС в третьем варианте осуществления в соответствии с данным изобретением. Для формирования контактных столбиков на нижней поверхности кристалла 10 БИС могут быть наложены различные ограничения. Например, существует ситуация, при которой длина длинных сторон контактных столбиков ограничена предварительно определенной длиной или меньшей длиной. В таком случае существует возможность того, что расстояние между группой 110 входных контактных столбиков и группой 130 нерабочих контактных столбиков, или расстояние между группой 120 выходных контактных столбиков и группой 130 нерабочих контактных столбиков увеличится, и что большой объем растекания смолы АППл в направлении коротких сторон от центрального участка не будет блокирован. Следовательно, в этом варианте осуществления группа 130 нерабочих контактных столбиков сформирована таким образом, что нерабочие контактные столбики 13, относительно смещенные в направлении одной длинной стороны нижней поверхности кристалла 10 БИС, и нерабочие контактные столбики 13, относительно смещенные в направлении другой длинной стороны нижней поверхности кристалла 10 БИС, расположены чередуясь, как изображено на Фиг. 8. Конфигурации, отличные от этой, аналогичны конфигурациям из первого варианта осуществления, и, следовательно, их описание опущено.

В соответствии с этим вариантом осуществления, растекание смолы АППл в направлении коротких сторон от центрального участка может быть заблокировано относительно эффективно в кристалле 10 БИС, в котором длина длинных сторон контактных столбиков ограничена предварительно определенной длиной или меньшей длиной. При этом достаточный объем растекания смолы АППл обеспечивается даже рядом с угловыми участками кристалла 10 БИС, тем самым предотвращая возникновение ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания смолы АППл.

Следует отметить, что в случае, когда длина длинных сторон контактных столбиков ограничена предварительно определенной длиной или меньшей длиной, группа 130 нерабочих контактных столбиков может быть сконфигурирована множеством нерабочих контактных столбиков 13, расположенных в виде множества линий, как изображено на Фиг. 9 и 10, например. В частности, в конфигурации, изображенной на Фиг. 9, группа 130 нерабочих контактных столбиков сконфигурирована линией 131 нерабочих контактных столбиков, включающей в себя множество нерабочих контактных столбиков 13, расположенных по линии вдоль группы 110 входных контактных столбиков, и линией 132 нерабочих контактных столбиков, включающей в себя множество нерабочих контактных столбиков 13, расположенных по линии вдоль группы 120 выходных контактных столбиков. В конфигурации, изображенной на Фиг. 10, группа 130 нерабочих контактных столбиков сконфигурирована линией 131 нерабочих контактных столбиков, включающей в себя множество нерабочих контактных столбиков 13, расположенных по линии вдоль группы 110 входных контактных столбиков, линией 132 нерабочих контактных столбиков, включающей в себя множество нерабочих контактных столбиков 13, расположенных по линии вдоль группы 120 выходных контактных столбиков, и линией 133 нерабочих контактных столбиков, включающей в себя множество нерабочих контактных столбиков 13, расположенных по линии между двумя линиями 131 и 132 нерабочих контактных столбиков. Кроме того, существует возможность применить конфигурацию, сочетающую конфигурацию, изображенную на Фиг. 8, и конфигурацию, изображенную на Фиг. 9 или Фиг. 10, то есть, конфигурацию, изображенную на Фиг. 11 или Фиг. 12.

4. Четвертый вариант осуществления

Фиг. 13 является видом снизу кристалла 10 БИС в четвертом варианте осуществления в соответствии с данным изобретением. Как изображено на Фиг. 22, обычно существует возможность обеспечить объем растекания смолы АППл рядом с центром длинных сторон нижней поверхности достаточным для того, чтобы не допустить возникновения ненадежного соединения даже в кристалле 70 БИС, имеющем меньшее расстояние между контактами (смотри стрелку, отображенную ссылочным номером 76). Следовательно, считается, что, чем ближе к центральному участку, тем меньше необходимость в блокировании растекания смолы АППл в направлении коротких сторон от центрального участка. Соответственно, в этом варианте осуществления множество нерабочих контактных столбиков 13, включенных в группу 130 нерабочих контактных столбиков, сконфигурированы таким образом, что их длинные стороны становятся длиннее при приближении положений контактных столбиков к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности кристалла 10 БИС, как изображено на Фиг. 13. Конфигурации, отличные от этой, аналогичны конфигурациям из первого варианта осуществления, и, следовательно, их описание опущено.

В соответствии со вторым вариантом осуществления, возникновение ненадежного соединения может быть предотвращено рядом с угловыми участками, где объем растекания смолы АППл будет, наиболее вероятно, недостаточным. В этом варианте осуществления существует возможность предотвратить образование ненадежного соединения не только рядом с угловыми участками, но и также в областях, отличных от угловых участков, при этом обеспечивая определенную степень гибкости при разработке кристалла 10 БИС.

Следует отметить, что, с этой же точки зрения, можно применить конфигурацию, в которой группа 130 нерабочих контактных столбиков включает в себя две линии нерабочих контактных столбиков, и множество нерабочих контактных столбиков 13, включенных в каждую из линий нерабочих контактных столбиков, могут быть сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся длиннее при приближении положений контактных столбиков к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности кристалла 10 БИС, как изображено на Фиг. 14.

5. Другие варианты осуществления

При том, что указанные выше варианты осуществления описаны с примером, в котором кристалл 10 БИС установлен на подложку 20 с матрицей TFT жидкокристаллической панели, данное изобретение этим не ограничено. Данное изобретение может быть применено с целью предотвращения образования ненадежного соединения из-за недостаточного объема растекания смолы АППл, так как полупроводниковый кристалл устанавливается на монтажную плату с использованием АППл.

Кроме того, в соответствии с приведенными выше вариантами осуществления, группа 110 входных контактных столбиков сконфигурирована одной линией контактных столбиков (линией контактных столбиков, включающей в себя множество входных контактных столбиков 11, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны нижней поверхности кристалла 10 БИС), группа 120 выходных контактных столбиков сконфигурирована двумя линиями контактных столбиков (линией контактных столбиков, включающей множество выходных контактных столбиков 12, расположенных по линии вдоль другой длинной стороны нижней поверхности кристалла 10 БИС, и линией контактных столбиков, включающей в себя множество выходных контактных столбиков 12, расположенных по линии вдоль области, где расположена группа 130 нерабочих контактных столбиков). Тем не менее, данное изобретение этим не ограничено. Данное изобретение может быть применено, пока группа 110 контактных столбиков и группа 120 выходных контактных столбиков, соответственно, расположены вдоль одной длинной стороны и вдоль другой длинной стороны кристалла 10 БИС.

Описание ссылочных номеров

9: АППл

10: Кристалл БИС

11: Входной контактный столбик

12: Выходной контактный столбик

13: Нерабочий контактный столбик

20: Подложка с матрицей TFT

21: Область рамки изображения

30: Подложка с цветовым фильтром

40: ГПП

110: Группа входных контактных столбиков

120: Группа выходных контактных столбиков

130: Группа нерабочих контактных столбиков

Изобретение относится к полупроводниковым кристаллам и монтажным структурам таких кристаллов. Предоставлен полупроводниковый кристалл, имеющий уменьшенное расстояние между контактами, причем кристалл способен предотвращать образование ненадежного соединения между кристаллом и подложкой, на которой кристалл установлен. В кристалле, включающем в себя группу входных контактных столбиков, которая состоит из множества входных контактных столбиков, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны его нижней поверхности, и группы выходных контактных столбиков, которая состоит из множества выходных контактных столбиков, расположенных в шахматном порядке вдоль другой длинной стороны нижней поверхности, обеспечивается группа нерабочих контактных столбиков в области между областью, в которой предоставлена группа входных контактных столбиков, и областью, в которой предоставлена группа выходных контактных столбиков, причем группа нерабочих контактных столбиков включает в себя множество прямоугольных нерабочих контактных столбиков, не выполняющих функцию электрического соединения, которые имеют длинную сторону, продолжающуюся вдоль направления, перпендикулярного длинным сторонам нижней поверхности. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 22 ил.

1. Полупроводниковый кристалл, имеющий прямоугольную нижнюю поверхность и включающий в себя первую группу столбиковых электродов и вторую группу столбиковых электродов, причем первая группа столбиковых электродов включает в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для приема входных сигналов от внешнего источника и расположенных вдоль одной длинной стороны нижней поверхности, причем вторая группа столбиковых электродов включает в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для вывода выходных сигналов и расположенных вдоль другой длинной стороны нижней поверхности, причем полупроводниковый кристалл включает в себя:
третью группу столбиковых электродов, предоставленную в области между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, на нижней поверхности, причем третья группа столбиковых электродов включает в себя множество прямоугольных столбиковых электродов, которые имеют длинную сторону, продолжающуюся вдоль направления, перпендикулярного длинным сторонам нижней поверхности, где множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, являются электродами без внешнего электрического соединения.

2. Полупроводниковый кристалл по п.1, в котором:
множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, содержит столбиковые электроды, предоставленные только рядом с одной короткой стороной и другой короткой стороной нижней поверхности.

3. Полупроводниковый кристалл по п.1, в котором:
длинная сторона множества столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, равна или больше половины расстояния между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

4. Полупроводниковый кристалл по п.1, в котором:
третья группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайней мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

5. Полупроводниковый кристалл по п.1, в котором:
множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении одной длинной стороны нижней поверхности, и столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении другой длинной стороны нижней поверхности, расположены чередуясь.

6. Полупроводниковый кристалл по п.1, в котором:
множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

7. Полупроводниковый кристалл по п.1, в котором:
третья группа столбиковых электродов содержит линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, и
множество столбиковых электродов, включенных в каждую линию столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

8. Полупроводниковый кристалл по п.1, в котором:
вторая группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайней мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны нижней поверхности, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована третья группа столбиковых электродов.

9. Жидкокристаллический модуль, включающий в себя жидкокристаллическую панель, которая содержит первую подложку и вторую подложку, которые обращены друг к другу, причем первая подложка оснащена схемой возбуждения для возбуждения жидкокристаллической панели, где
полупроводниковый кристалл по любому из пп.1-8 установлен в качестве схемы возбуждения на первую подложку с использованием анизотропной проводящей пленки.

10. Монтажная структура, в которой полупроводниковый кристалл, имеющий прямоугольную нижнюю поверхность, установлен на монтажную плату, на которой сформирована электрическая проводка, с использованием анизотропной проводящей пленки, где полупроводниковый кристалл включает в себя:
первую группу столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для приема входных сигналов от электрической проводки на монтажной плате и расположенных вдоль одной длинной стороны нижней поверхности;
вторую группу столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, сконфигурированных для вывода выходных сигналов на электрическую проводку на монтажной плате и расположенных вдоль другой длинной стороны нижней поверхности; и
третью группу столбиковых электродов, предоставленную в области между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, причем третья группа столбиковых электродов включает в себя множество прямоугольных столбиковых электродов, которые имеют длинную сторону, продолжающуюся вдоль направления, перпендикулярного длинным сторонам нижней поверхности, и
множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, являются электродами без электрического соединения с электрической проводкой монтажной платы.

11. Монтажная структура по п.10, в которой:
множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, содержит столбиковые электроды, предоставленные только рядом с одной короткой стороной и другой короткой стороной нижней поверхности.

12. Монтажная структура по п.10, в которой:
длинная сторона множества столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, равна или больше половины расстояния между областью, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и областью, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

13. Монтажная структура по п.10, в которой:
третья группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайней мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов.

14. Монтажная структура по п.10, в которой:
множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении одной длинной стороны нижней поверхности, и столбиковые электроды, относительно смещенные в направлении другой длинной стороны нижней поверхности, расположены чередуясь.

15. Монтажная структура по п.10, в которой:
множество столбиковых электродов, включенных в третью группу столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

16. Монтажная структура по п.10, в которой:
третья группа столбиковых электродов содержит линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована первая группа столбиковых электродов, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована вторая группа столбиковых электродов, и
множество столбиковых электродов, включенных в каждую линию столбиковых электродов, сформированы таким образом, что их длинные стороны становятся тем длиннее, чем ближе становятся их положения к коротким сторонам от центрального участка нижней поверхности.

17. Монтажная структура по п.10, в которой:
вторая группа столбиковых электродов сконфигурирована множеством линий столбиковых электродов, причем множество линий столбиковых электродов включает в себя, по крайней мере, линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль одной длинной стороны нижней поверхности, и линию столбиковых электродов, включающую в себя множество столбиковых электродов, расположенных по линии вдоль области, где сформирована третья группа столбиковых электродов.

18. Монтажная структура по любому из пп.10-17, в которой:
монтажная плата является одной из двух подложек, которые составляют жидкокристаллическую панель, включенную в жидкокристаллический модуль, и
полупроводниковый кристалл является схемой возбуждения для возбуждения жидкокристаллической панели.