СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ Российский патент 2014 года по МПК G01R31/26 

Описание патента на изобретение RU2511617C2

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ сравнительной оценки надежности партий ИС [1], в соответствии с которым на произвольных выборках интегральных схем из партий проводят измерение значений динамических параметров до и после воздействия различными по полярности напряжениям пяти электростатических разрядов, предельно допустимом по техническим условиям, и температурного отжига при допустимой максимальной температуре кристалла, а электростатические разряды подают на каждую из пар выводов интегральной схемы: вход - общая точка, выход - общая точка, питание - общая точка, вход - выход, количество циклов воздействия электростатических разрядов и температурного отжига составляет не менее трех, по количеству отказавших интегральных схем делают вывод о сравнительной надежности партий интегральных схем.

Недостаток данного способа - испытание является слишком трудоемким. Изобретение направлено на устранение недостатка и повышение функциональных возможностей способа.

Предложенный способ сравнительной оценки надежности партий ППИ по надежности основывается на измерении электрического информативного параметра X до и после воздействия пятью импульсами ЭСР обеих полярностей потенциалом, допустимым по техническим условиям, на выводы ИС в последовательности, оговариваемой в технических условиях на изделие, и сравнении двух величин: коэффициентов конструктивно-технологического запаса КВ для верхнего или КН для нижнего значения нормы информативного параметра и среднего значения изменения величины информативного параметра АХ после воздействия ЭСР.

Способ осуществляется следующим образом: от каждой партии ПЛИ (количество партий не ограничено) методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий (не менее 25 от каждой партии) и измеряют значении информативного параметра. Затем проводят испытание изделий на чувствительность к ЭСР путем воздействия пятью ЭСР обеих полярностей напряжением, предельно допустимым по техническим условиям, на различные пары выводов. Для транзисторов это выводы: эмиттер-база; коллектор-база. Подача разрядов на выводы ИС осуществляется в последовательности, приведенной в таблице 1 [2].

Таблица 1 № воздействия Наименование выводов ИС цифровых аналоговых 1 Вход - общая точка Вход - общая точка 2 Выход - общая точка Вход - выход 3 Вход - выход Выход - общая точка 4 Питание - общая точка Питание - общая точка

У каждого изделия вновь измеряют значение информативного параметра в нормальных условиях (при давлении 760 мм рт.ст. и температуре 15-30°C), затем для последнего измерения (т.е. для значений параметра после воздействия ЭСР) вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса по формуле для верхнего значения нормы параметра, или по формуле для нижнего значения нормы параметра, где ХВ, ТУ - верхнее значение нормы, оговоренное в технических условиях, ХН, ТУ - нижнее значение нормы, оговоренное в технических условиях, ХВ - верхнее значение параметра, определенное экспериментально, ХН - нижнее значение параметра, определенное экспериментально, Х ¯ - среднее значение параметра в выборке [3], и значение изменения информативного параметра для каждого изделия в выборке по формуле ΔXi=|XiiЭСР|, где Хi - значение величины информативного параметра до воздействия ЭСР, ХiЭСР - значение величины информативного параметра после воздействия пятью импульсами ЭСР различной полярности, далее находят среднее значение изменения величины информативного параметра АХ для выборки. По значениям коэффициентов запаса и средних значений величин изменения информативного параметра оценивают сравнительную надежность двух партий.

Способ был опробован на выборках из двух партий цифровых интегральных схем типа 134ЛБ1. От каждой партии было отобрано методом случайной выборки по 25 схем и измерены значения выходного напряжения низкого уровня UOL каждой ИС. После воздействия пятью ЭСР обеих полярностей, величиной 200 В, допустимой техническими условиями, на каждую пару выводов, оговоренных в таблице 1, было вновь измерено значение выходного напряжения низкого уровня UOL каждой ИС. Измеренные значения UOL, а также значения изменения величины после ЭСР ΔUOL представлены в таблице 2.

Таблица 2 Партия 1 Партия 2 Партия 1 Партия 2 № ИС UOL, В UOL, В Начало измерений После ЭСР Начало измерений После ЭСР ΔUOL, В ΔUOL, В 1 2 3 4 5 6 7 1 0,19 0,18 0,14 0,11 0,01 0,03 2 0,13 0,12 0,12 0,13 0,01 0,01 3 0,17 0,17 0,12 0,14 0 0,02 4 0,16 0,16 0,15 0,12 0 0,03 5 0,17 0,16 0,16 0,14 0,01 0,02 6 0,16 0,16 0,15 0,14 0 0,01 7 0,18 0,17 0,15 0,14 0,01 0,01 8 0,19 0,18 0,15 0,21 0,01 0,06 9 0,18 0,16 0,17 0,16 0,02 0,01 10 0,14 0,13 0,22 0,16 0,01 0,06 11 0,15 0,11 0,15 0,16 0,04 0,01 12 0,18 0,17 0,17 0,14 0,01 0,03 13 0,19 0,18 0,19 0,20 0,01 0,01 14 0,17 0,16 0,21 0,18 0,01 0,03 15 0,17 0,17 0,19 0,17 0 0,02 16 0,15 0,14 0,18 0,15 0,01 0,03 17 0,14 0,14 0,13 0,12 0 0,01 18 0,14 0,13 0,15 0,14 0,01 0,01 19 0,16 0,15 0,23 0,14 0,01 0,09 20 0,17 0,15 0,16 0,21 0,02 0,05 21 0,18 0,17 0,16 0,15 0,01 0,01 22 0,14 0,14 0,16 0,14 0 0,02 23 0,18 0,18 0,15 0,13 0 0,02 24 0,18 0,16 0,14 0,14 0,02 0 25 0,17 0,16 0,19 0,17 0,01 0,02 U O L ¯ 0,166 0,158 0,164 0,152 0,0096 0,0248

Из таблицы 2 выбраны наибольшие значения UOL для каждой выборки и посчитаны средние значения этого параметра. Значение параметра, указанное в технических условиях, одинаково для обеих выборок и равно UOLTУ≤0,3 В. Далее были посчитаны коэффициенты запаса для верхней нормы используемого параметра после воздействия ЭСР и средние значения изменения параметра UOL для каждой выборки. Коэффициенты запаса и средние значения изменения величины UOL равны КВ1ЭСР=4,58 и ΔUOL1=0,0096 для первой выборки и КВ2ЭСР=1,25 и ΔUOL2=0,0248 для второй выборки. Из полученного результата можно сделать вывод, что первая партия более надежна, чем вторая, так как коэффициент запаса после воздействия ЭСР для выборки из первой партии больше, чем для выборки из второй партии, а среднее значение изменения величины информативного параметра для выборки из первой партии меньше, чем для выборки из второй партии.

Источники информации

1. Патент РФ №2386975 G01R 31/26, опубл. 20.04.2010.

2. Горлов М.И., Ануфриев А.В., Воронцов И.В. Воздействие электростатических зарядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронной аппаратуры // Воронеж: Воронежский государственный университет. 1987. - 160 с.

3. Горлов М.И., Ануфриев Л.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых изделий в процессе серийного производства // Мн.: Бестпринт, 2003. - 202 с.

Похожие патенты RU2511617C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 2012
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Жуков Дмитрий Михайлович
  • Клюкин Артем Александрович
RU2546998C2
Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности 2019
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Арсентьев Алексей Владимирович
RU2702962C1
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО СТОЙКОСТИ К ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ РАЗРЯДАМ 2008
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Шишкин Игорь Алексеевич
RU2379698C1
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 2008
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Смирнов Дмитрий Юрьевич
  • Тихонов Роман Михайлович
RU2386975C1
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ 2008
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Золотарева Екатерина Александровна
  • Козьяков Николай Николаевич
RU2374658C1
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПОНИЖЕННОГО УРОВНЯ КАЧЕСТВА ИЗ ПАРТИЙ ИЗДЕЛИЙ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ 2011
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Антонова Екатерина Александровна
  • Мешкова Мария Александровна
  • Данилин Николай Семенович
RU2511633C2
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПО НАДЕЖНОСТИ 2021
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Шишкин Игорь Алексеевич
  • Трухин Михаил Владимирович
RU2786050C1
Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности 2023
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Строгонов Андрей Владимирович
  • Фролов Илья Владимирович
  • Рябова Светлана Витальевна
RU2813473C1
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ 2010
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Смирнов Дмитрий Юрьевич
  • Жуков Дмитрий Михайлович
RU2538032C2
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ 2010
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Смирнов Дмитрий Юрьевич
  • Тихонов Роман Михайлович
  • Жуков Дмитрий Михайлович
RU2490655C2

Реферат патента 2014 года СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий полупроводниковых изделий (не менее 25 штук от каждой партии) проводят измерение электрического информативного параметра до и после воздействия пятью импульсами ЭСР обеих полярностей, потенциалом, допустимым по техническим условиям, затем для последнего измерения вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса для верхней и нижней норм параметра, далее находят среднее значение изменения величины информативного параметра. По значениям коэффициентов запаса и средних значений величин изменения информативного параметра оценивают сравнительную надежность двух партий. Технический результат: повышение функциональных возможностей способа.

Формула изобретения RU 2 511 617 C2

Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках (не менее 25 изделий) из партий проводят измерение электрического информативного параметра до и после воздействия пятью импульсами электростатического разряда обеих полярностей, отличающийся тем, что после воздействия электростатического разряда вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса для верхней или нижней норм параметра и среднее значение изменения информативного параметра, по значениям коэффициента конструктивно-технологического запаса и среднего значения изменения параметра делают вывод о сравнительной надежности партий полупроводниковых изделий.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2014 года RU2511617C2

СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 2008
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Смирнов Дмитрий Юрьевич
  • Тихонов Роман Михайлович
RU2386975C1
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ 2008
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Золотарева Екатерина Александровна
  • Козьяков Николай Николаевич
RU2374658C1
СПОСОБ СРАВНИТЕЛЬНОЙ ОЦЕНКИ НАДЕЖНОСТИ ПАРТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ 2008
  • Горлов Митрофан Иванович
  • Золотарева Екатерина Александровна
  • Козьяков Николай Николаевич
RU2381514C1
СПОСОБ ОТБОРА ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ПО СТОЙКОСТИ ИЛИ НАДЕЖНОСТИ 1999
  • Васильева З.Ф.
  • Коскин В.В.
  • Лукица И.Г.
  • Лысов В.Б.
  • Малинин В.Г.
  • Матвеева Л.А.
RU2168735C2
US 4816753 A1, 28.03.1989

RU 2 511 617 C2

Авторы

Горлов Митрофан Иванович

Жуков Дмитрий Михайлович

Денисов Денис Александрович

Даты

2014-04-10Публикация

2011-10-04Подача