СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА Российский патент 2014 года по МПК H01J40/14 

Описание патента на изобретение RU2522681C2

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм.

Известен способ изготовления матричного фотоприемника [патент на изобретение РФ №2343590], заключающийся в том, что утоньшение базовой области матричного фоточувствительного элемента осуществляют с использованием промежуточной подложки. Для этого фоточувствительный элемент приклеивают промежуточным клеем-расплавом на промежуточную несущую подложку из лейкосапфира. Затем другую сторону фоточувствительного элемента, свободную от приклейки, утоньшают химико-механической обработкой до нужной толщины (10÷20 мкм) и проводят анодное оксидирование. После чего приклеивают к обработанной стороне стационарным оптическим клеем несущую подложку из высокоомного полированного кремния и удаляют промежуточную несущую подложку вместе с промежуточным клеем-расплавом. Гибридизацию фоточувствительного элемента с кремниевой БИС мультиплексора осуществляют после процесса утоньшения базовой области.

Недостатком этой технологии являются потери полезного сигнала при прохождении ИК-излучения в несущей подложке из кремниевого материала и оптическом клее. В некоторых случаях наблюдается искажение сигнала за счет интерференции в клеевом слое. Кроме того, возникают трудности при переклейке «тонкой» структуры.

Известен способ изготовления матричного фотоприемника из объемного материала, принятый в качестве прототипа [Тезисы докладов XIX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения 23-26 мая 2006 г., Киселева Л.В. и др. «Исследование характеристик матричного фотоприемника с тонкой базовой областью на основе InSb», 2006 г., стр.118], заключающийся в том, что утоньшение базовой области фоточувствительного элемента проводят после гибридизации матричного фоточувствительного элемента и БИС мультиплексора. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины.

Однако в известном устройстве после химико-динамической полировки за счет уменьшения габаритов элемента остается периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ (например, покрытие SiO толщиной 4000 А и шириной 200 мкм), которая затрудняет вымывание защитного состава из пространства индиевых микроконтактов, хаотически разрушается в результате отмывки и загрязняет поверхность со стороны утоньшения перед операцией нанесения просветляющего покрытия.

Предложенное изобретение решает задачу создания простого и надежного способа исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия.

Технический результат в изобретении достигается тем, что фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. Таким образом, в результате утоньшения кристалла до нужной толщины (10÷15 мкм) полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ.

Изобретение поясняется чертежами, где:

На фиг.1 показан матричный фоточувствительный элемент с толстой базовой областью и с незакрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм.

На фиг.2 и фиг.3 показан результат утоньшения по описанному способу матричного фоточувствительного элемента InSb с габаритами 10,505×8,605 мм, гибридизированного с БИС мультиплексора, от толщины 400 мкм до толщины 10÷12 мкм. При этом габариты утоньшаемого фоточувствительного элемента InSb уменьшились не более чем на 200 мкм с каждой из четырех сторон.

Для осуществления изобретения осуществляют следующую последовательность действий:

- Изготавливают фоточувствительный элемент с толстой базовой областью с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм (фиг.1).

- Осуществляют гибридизацию БИС мультиплексора с толстой базовой областью (толщиной 0,4÷1 мм) фоточувствительного элемента посредством индиевых столбиков.

- Утоньшают толстую базовую область МФЧЭ прецизионными бездефектными методами химико-механической полировкой (до толщины 100÷80 мкм) и химико-динамической полировкой до конечной толщины 10÷15 мкм (тонкая базовая область МФЧЭ).

- Наносят защитное и просветляющее покрытие на отмытую поверхность тонкой базовой области МФЧЭ после процесса отклеивания мультиплексора от крепежного устройства.

Предлагаемый способ был опробован в ФГУП «НПО «Орион» при создании экспериментальных и опытных образцов матричных фотоприемников на основе антимонида индия (InSb). Однако предлагаемый способ применим и к другим полупроводниковым материалам.

На фиг.2 и фиг.3 показан результат утоньшения по описанному способу матричного фоточувствительного элемента InSb с габаритами 10,505×8,605 мм, гибридизированного с БИС мультиплексора, от толщины 400 мкм до толщины 10÷12 мкм. При этом габариты утоньшаемого фоточувствительного элемента InSb уменьшились не более чем на 200 мкм с каждой из четырех сторон.

Похожие патенты RU2522681C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА (ВАРИАНТЫ) 2011
  • Болтарь Константин Олегович
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Савостин Александр Викторович
RU2460174C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА 2014
  • Власов Павел Валентинович
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Савостин Александр Викторович
  • Ерошенков Владимир Владимирович
  • Кожаринова Елена Анатольевна
  • Умникова Елена Васильевна
RU2573714C1
СПОСОБ УТОНЬШЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА 2013
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Савостин Александр Викторович
RU2536328C2
Способ изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки 2017
  • Болтарь Константин Олегович
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Савостин Александр Викторович
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Власов Павел Валентинович
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Иродов Никита Александрович
  • Гришина Анна Николаевна
  • Столяров Дмитрий Сергеевич
RU2676052C1
Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs 2016
  • Болтарь Константин Олегович
  • Еремчук Анатолий Иванович
  • Ефимова Зинаида Николаевна
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Власов Павел Валентинович
  • Савостин Александр Викторович
  • Рябова Надежда Маратовна
  • Вяткина Олеся Сергеевна
RU2633656C1
Способ изготовления утоньшенного многоэлементного фотоприемника на основе антимонида индия с улучшенной однородностью и повышенной механической прочностью 2023
  • Власов Павел Валентинович
  • Гришина Анна Николаевна
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Пермикина Елена Вячеславовна
  • Шишигин Сергей Евгеньевич
RU2811379C1
Способ группового изготовления утоньшенной гибридизированной сборки для матричного фотоприемника 2023
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Ерошенков Владимир Владимирович
  • Иродов Никита Александрович
  • Савостин Александр Викторович
  • Барышева Ксения Владимировна
  • Власов Павел Валентинович
  • Пермикина Елена Вячеславовна
  • Гришина Анна Николаевна
RU2811380C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА 2007
  • Хитрова Людмила Михайловна
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Касаткин Игорь Леонидович
RU2343590C1
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИК ФОТОПРИЕМНИК 2012
  • Филачев Анатолий Михайлович
  • Болтарь Константин Олегович
  • Бурлаков Игорь Дмитриевич
  • Патрашин Александр Иванович
  • Яковлева Наталья Ивановна
RU2519024C1
ИК МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЁМНИК С ОХЛАЖДАЕМОЙ ДИАФРАГМОЙ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИАФРАГМЫ 2014
  • Ефимова Зинаида Николаевна
  • Ефимов Илья Владимирович
  • Мансветов Николай Георгиевич
  • Власов Павел Валентинович
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Савостин Александр Викторович
RU2571171C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 522 681 C2

Реферат патента 2014 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины. Технический результат - повышение качества фотоприемника за счет исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия. Фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. В результате утоньшения полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 522 681 C2

Способ изготовления матричного фотоприемника, заключающийся в том, что фоточувствительный элемент гибридизируют с БИС мультиплексора и утоньшают базовую область фоточувствительного элемента, отличающийся тем, что фоточувствительный элемент изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2014 года RU2522681C2

Киселева Л.В
и др
"Исследование характеристик матричного фотоприемника с тонкой базовой областью на основе InSb", Тезисы докладов XIX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения 23-26 мая 2006 г стр.118
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА 2007
  • Хитрова Людмила Михайловна
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Касаткин Игорь Леонидович
RU2343590C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА 1997
  • Хитрова Л.М.
  • Киселева Л.В.
  • Трошкин Ю.С.
  • Поповян Г.Э.
  • Филатов А.В.
  • Гусаров А.В.
RU2137259C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА (ВАРИАНТЫ) 2011
  • Болтарь Константин Олегович
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Савостин Александр Викторович
RU2460174C1
US 2005059780A1, 17.03.2005
US 2009038669A1, 12.02.2009

RU 2 522 681 C2

Авторы

Филачев Анатолий Михайлович

Лопухин Алексей Алексеевич

Киселева Лариса Васильевна

Рябова Анна Алексеевна

Кожаринова Елена Анатольевна

Умникова Елена Васильевна

Даты

2014-07-20Публикация

2012-09-06Подача