ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК Российский патент 2014 года по МПК G01N27/12 B82Y40/00 

Описание патента на изобретение RU2526225C1

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода и других газов. Изобретение может быть использовано в экологии.

Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии теплопроводности паров вещества и газа-носителя (Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. М.: Высш.школа, 1987. - 287 с.). Однако такой датчик (детектор) чувствителен только к веществам с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя.

Известен также полупроводниковый газовый датчик на основе оксида индия (1пз0з), легированного оксидами щелочных металлов (Yamaura Hiroyuki, Tamaki Jun, Moriya Koji, Miura Norio, Yamazoe Nobom //J. Electrochem.Soc. - 1996. - V. 43. N 2. P.36-37). Он позволяет детектировать 6,7 - 0,05 Па СО во влажном воздухе при 300°С. Недостатком данного устройства является недостаточная чувствительность для контроля содержания оксида углерода, высокая рабочая температура - 300°С и трудоемкость изготовления.

Ближайшим техническим решением к изобретению является газовый датчик влажности газов, состоящий из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного селенидом цинка, с нанесенными на ее поверхность металлическими электродами, и непроводящей подложки (Патент РФ №2206083, М.ПК. G01N 27/12, опубликовано 10.01.2007 г.).

Недостатком известного устройства является его недостаточная чувствительность при контроле микропримесей оксида углерода. Кроме того, конструкция датчика предполагает при его изготовлении операции напыление металлических электродов и прямые адсорбционные измерения, являющиеся трудоемкими операциями.

Техническим результатом изобретения является создание датчика, позволяющего, при повышенной чувствительности и технологичности его изготовления, определять содержание микропримесей оксида углерода в газовых смесях при комнатной температуре.

Указанный технический результат достигается тем, что в известном газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами и непроводящую подложку, согласно изобретению, полупроводниковое основание выполнено в виде поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку. При этом исключаются операции нанесения на полупроводниковое основание металлических электродов и трудоемких прямых адсорбционных измерений.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлены на фиг.1 - конструкция заявляемого датчика; на фиг.2 - кривые зависимости величины рН изоэлектрического состояния поверхности (рНизо) полупроводников системы CdS- CdTe, экспонированных на воздухе (а) и в атмосфере оксида углерода (б), от состава; на фиг.3 - градуировочная кривая зависимости изменения рН изоэлектрического состояния поверхности (ΔрНизо) полупроводникового основания в процессе адсорбции при комнатной температуре от начального давления СО (РСО). Последняя наглядно демонстрирует его чувствительность.

Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде поликристаллической нанопленки теллурида кадмия легированного сульфидом кадмия, и непроводящей подложки 2 (фиг.1).

Принцип работы такого датчика основан на адсорбционно-десорбционных процессах, протекающих на полупроводниковой пленке, нанесенной на непроводящую подложку, и вызывающих изменение рН изоэлектрического состояния, а соответственно силы активных центров ее поверхности.

Работа датчика осуществляется следующим образом.

Датчик помещают в находящуюся при комнатной температуре камеру (ею может быть обычная стеклянная трубка), через которую пропускают (или в которой выдерживают) анализируемый на содержание оксида углерода газ. При контакте пропускаемого газа с поверхностью полупроводниковой нанопленки CdTe(CdS) происходит избирательная адсорбция молекул СО и изменение рН изоэлектрического состояния поверхности пленки (ΔрНизо). По величине изменения рН изоэлектрического состояния поверхности с помощью градуировочных кривых можно определить содержание оксида углерода в исследуемой среде.

Из анализа приведенной на фиг.3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость ΔрНизо от содержания оксида углерода (РСО), следует: заявляемый датчик при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание оксида углерода с чувствительностью, в несколько раз превышающую чувствительность известных датчиков. Существенное упрощение технологии изготовления датчика обусловлено исключением операций нанесения на полупроводниковое основание металлических электродов и трудоемких измерений адсорбции.

Малые габариты устройства (рабочий объем менее 0,2 см3) в сочетании с малой массой пленки - адсорбента позволяют снизить постоянную датчика по времени до 10-20 мс.

Конструкция заявляемого датчика позволяет также улучшить и другие его характеристики: быстродействие, регенерируемость, способность работать не только в статическом, но и динамическом режиме.

Похожие патенты RU2526225C1

название год авторы номер документа
Датчик угарного газа 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Нор Полина Евгеньевна
RU2649654C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 2017
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Нор Полина Евгеньевна
RU2666575C1
Датчик угарного газа 2021
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Нор Полина Евгеньевна
RU2760311C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 2013
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Карпова Елена Олеговна
RU2528118C1
НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 2013
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Нор Полина Евгеньевна
RU2530455C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2013
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Касатова Ирина Юрьевна
RU2526226C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Миронова Елена Валерьевна
RU2607733C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР УГАРНОГО ГАЗА 2014
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Васина Марина Владимировна
RU2565361C1
ДАТЧИК УГАРНОГО ГАЗА 2017
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Васина Марина Владимировна
RU2666189C1
Полупроводниковый датчик аммиака 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Нор Полина Евгеньевна
RU2613482C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 526 225 C1

Реферат патента 2014 года ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода. Датчик микропримесей оксида углерода содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления, при этом обеспечивается возможность определения микропримесей оксида углерода в газовых смесях при комнатной температуре. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 526 225 C1

Газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической нанопленки теллурида кадмия, легированного сульфидом кадмия, нанесенной на непроводящую подложку.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2014 года RU2526225C1

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2011
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Дубина Оксана Николаевна
RU2469300C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2009
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Шубенкова Екатерина Гаррьевна
RU2398219C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 2005
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Земцов Александр Евгеньевич
RU2281485C1
RU2004121265A,10.01.2006
МАШИНА ТРЕНИЯ 2002
  • Невенчанная Т.О.
  • Перекрестов А.П.
  • Митин А.Ю.
RU2234074C2
JP2002328109A, 15.11.2002
JP2007187476A, 26.07.2007

RU 2 526 225 C1

Авторы

Кировская Ираида Алексеевна

Нор Полина Евгеньевна

Миронова Елена Валерьевна

Даты

2014-08-20Публикация

2013-02-07Подача