Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к устройствам полупроводниковых светодиодов.
При создании полупроводниковых светодиодов существует проблема обеспечения эффективного выхода излучения из объема светоизлучающего кристалла в окружающую среду. Эффективность не высока в связи со значительным отражением света от поверхности кристалла, обычно изготовленного из полупроводника с высоким значением показателя преломления. Вследствие эффекта полного внутреннего отражения лучи, падающие на поверхность изнутри кристалла под углами больше критического угла полного отражения, возвращаются в кристалл; через гладкую поверхность кристалла выходит менее 5% возникшего в кристалле излучения. Предложено несколько вариантов конструкции светодиодов с повышенной внешней квантовой эффективностью за счет создания рельефа на выходной поверхности излучающего полупроводникового кристалла.
В качестве аналога выбрана конструкция светодиода EZBrightTM компании Cree, представленная в работе [А.Г. Полищук, А.Н. Туркин. Новое поколение светодиодов компании Cree для освещения. Автоматизация в промышленности. Июль 2009]. Излучающая структура слоев GaN и его твердых растворов эпитаксиально выращена на SiC подложке толщиной 100 мкм; после формирования излучающей структуры SiC подложка стравливается через маску до 35 мкм с образованием упорядоченной микролинзовой системы, которая обеспечивает собирание светового потока с поверхности структуры.
Недостатком аналога является необходимость прибегать для формирования рельефа к фотолитографии и глубокому травлению полупроводниковой пластины в ходе изготовления кристалла, сложность технологии создания рельефа.
В работе [И.П. Смирнова и др. Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC // ФТП. - 2010. - Т.44, вып.5. - С.684-687] описана конструкция светодиода, выбранная в качестве прототипа представленного изобретения: на внешней стороне прозрачных подложек имеется рельеф из материала подложек в виде беспорядочно и случайно расположенных выступов и впадин с характерными размерами меньше длины волны излучаемого света; представлен метод создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Получающийся рельеф имеет характер беспорядочно расположенных микроразмерных выступов и впадин из материала полупроводниковой подложки кристалла на ее выходной поверхности. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%.
Недостатком прототипа является сложность технологии получения рельефа.
Задачей, решаемой в данном изобретении, является создание конструкции светодиода с увеличенной эффективностью вывода излучения из объема кристалла и возможностью его изготовления по более простой технологии.
Задача решается тем, что в устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, в соответствии с изобретением на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим, чем у окружающей среды, показателем преломления и меньшим длины волны зазором между частицей и поверхностью.
Предлагается также, что размеры частиц сравнимы с длиной волны света в среде и больше ее.
Предлагается также, что слой частиц расположен в приповерхностной зоне шириной меньше длины волны и частицы имеют поперечник с размерами меньше длины волны в среде.
Предлагается также, что закрепление частиц выполнено слоем прозрачного полимера.
Предложенное устройство поясняется с помощью фигур 1, 2, 3 и 4.
На фигуре 1 показано устройство светодиода. Здесь 1 - подложка кристалла светодиода, 2 - частицы на поверхности 3 подложки, n1, n2 - показатели преломления окружающей среды и подложки кристалла.
На фигуре 2 - поверхность пластины кристалла светодиода с микрочастицами и ход лучей при прохождении излучения через поверхность. Здесь 4 - микрочастицы на поверхности, 5 - падающие на частицы изнутри подложки лучи, 6 и 7 - преломленный после однократного отражения от грани частицы луч и после двукратного отражения, n3 - показатель преломления частиц на поверхности.
На фигуре 3 - поверхность пластины кристалла светодиода с наночастицами в зоне туннелирования электромагнитной волны при полном внутреннем отражении света на поверхности и ход лучей при прохождении излучения через поверхность. Здесь 8 - слой среды с показателем преломления n4, в которую погружены наночастицы, 9 и 9′ - падающие под углом больше критического угла падения и отраженные от поверхности лучи, 10 и 11 - рассеянные наночастицей лучи внутрь подложки и в окружающее пространство, d - толщина слоя 8, h - толщина зоны туннелирования света.
На фигуре 4 - схема расположения прозрачного слоя полимера, скрепляющего частицы с поверхностью кристалла светодиода. Здесь 12 - скрепляющий прозрачный слой, имеющий показатель преломления n4.
При подключении светодиода к электрической цепи при помощи электродов катода и анода в зоне, содержащей слои InGaN, возникает излучение; направления распространения лучей ламбертовское, равномерное в пределах телесного угла 4πср. На выходную поверхность 3 кристалла 1 лучи падают под всеми возможными углами. Вследствие эффекта полного внутреннего отражения проходит через гладкую плоскую поверхность менее 5% возникшего светового потока. Наличие частиц с показателем преломления, большим показателя окружающей среды, приводит к рассеянию падающего на частицу света, если зазор между частицей и поверхностью меньше длины волны света в среде.
На фигуре 2 показано, что при отсутствии зазора или малом зазоре частица - поверхность лучи 5 изнутри подложки 1 проникают в частицы 4 и при падении на грани частицы изнутри преломляются в окружающую среду, отраженное от грани излучение повторно попадет на грань частицы и может вновь испытать преломление с выходом в окружающую среду. Таким образом, наличие частиц на поверхности увеличивает выход излучения из кристалла светодиода. Размеры частиц в рассматриваемом случае могут быть сравнимы с длиной волны или быть больше длины волны. Конфигурация частиц может быть произвольной, однако поверхность соприкосновения частицы и кристалла должна пропускать излучение из кристалла в частицу. Частица должна быть или припечена к поверхности, при этом величина зазора минимизируется вследствие частичного расплавления частицы или подложки или прохождения диффузионных процессов при повышенной температуре припекания, или приклеена к поверхности прозрачным клеем, затекающим также в зазоры. Клей должен быть прозрачным и в оптимальном случае иметь показатель преломления, близкий показателю частицы и подложки или больший.
На фигуре 3 на поверхности подложки 1 расположены наночастицы с размерами менее длины волны света в среде. Показанные кружочками наночастицы располагаются в зоне шириной h туннелирования световой волны, падающей изнутри кристалла светодиода на выходную поверхность. Закрепление частиц на поверхности может быть произведено прозрачным слоем 8 толщиной d, показатель преломления которого должен быть меньше или больше показателя наночастиц (иначе не будет рассеяния света на наночастицах). Туннелирующие лучи 9-9′ проникают за поверхность подложки и возвращаются в подложку. Проходя во внешней среде некоторое расстояние вдоль поверхности. Они могут подвергаться рассеянию на наночастицах, давая лучи 10. направленные в подложку, и лучи 11, направленные от подложки. Таким образом, туннелирующие лучи дают вклад в увеличение внешней квантовой эффективности светодиода.
На фигуре 4 микрочастицы 4 приклеены полимерным слоем 12 к подложке 1. Полимерный слой может заполнять всю поверхность подложки или быть только под частицей; в последнем случае полимер может быть нанесен на частицы предварительно, до их распределения по поверхности.
Проведем оценку эффективности вывода излучения из светодиода за счет механизма рассеяния света на наночастицах в зоне туннелирования. Весь поток излучения, падающего изнутри диэлектрика с высоким показателем преломления на границу раздела со средой с низким значением показателя преломления под углами более критического угла полного внутреннего отражения, временно оказывается в среде вне диэлектрика, затем возвращается в диэлектрик.
Амплитуда E электрической компоненты световой волны в области туннелирования определяется уравнением:
E=E0exp(-y/dTE),
где y - расстояние от поверхности, dTE - расстояние, на котором амплитуда уменьшается в e раз от значения на поверхности. Уменьшение интенсивности I световой волны на расстоянии x от поверхности определяется формулой:
I/I0=(E/E0)2=exp(-2y/dTE),
I0 - интенсивность излучения, падающего на поверхность, dTE=1/αx; здесь ,
где
Подсчет дает значения dTE=48 нм и lx=96 нм при использовании карбида кремния (n2=2,55) и угле падения 450.
Ширина зоны туннелирования dTE достаточна для размещения в ней наночастиц. Наночастицы будут возмущать электромагнитное поле в этой зоне; оценки показывают, что наночастицы увеличивают ширину зоны.
Излучение проходит в адсорбированном на поверхности слое наночастиц путь lx (сдвиг луча Гооса-Генхена):
lx=2dTEtgθ,
где θ - угол падения излучения на поверхность.
Наночастицы заполняют собой зону туннелирования; зона туннелирования может представлять собой слой диэлектрика с показателем преломления, меньшим чем у кристалла светодиода, или поверхностный слой окружающей среды, например воздуха. Излучение взаимодействует с частицами в зоне туннелирования, свет может подвергаться рассеянию. Рассеянный частицей свет может распространяться во все стороны в пределах телесного угла 4π рад; угол рассеяния и коэффициент рассеяния зависят от соотношения размера частицы и длины волны излучения.
В случае прозрачных частиц сечение рассеяния излучения частицей во всех направлениях σp (суммарный поток электромагнитной энергии, рассеянный частицей во всех направлениях, отнесенный к единице интенсивности падающего потока) равно:
σp=πa 2K(ρ)
Для частиц карбида кремния радиусом 35-70 нм K(ρ)=0,07-1.
Используя полученные величины, можно найти, что если наночастицы располагаются на поверхности подложки в один слой, коэффициент рассеяния
Расчет подтверждает высокую эффективность вывода излучения из объема кристалла светодиода.
Для изготовления светодиода могут быть использованы выпускаемые промышленностью пластины карбида кремния полупроводникового качества, наночастицы карбида кремния с поперечником 50-60 нм и микрочастицы карбида кремния с поперечником 1-3 мкм.
Таким образом, показано, что новые элементы в предложениях обеспечивают возникновение полезных эффектов; показана реализуемость изобретения, показана достижимость целей изобретения.
Практическое применение изобретение может найти в технологиях изготовления эффективных светодиодов, возможно использование при создании оптических устройств с антибликовыми покрытиями.
Техническим результатом изобретения является конструкция светодиода с повышенным внешним квантовым выходом и простой технологией изготовления.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО АТОМНО-ЭМИССИОННОГО СПЕКТРАЛЬНОГО АНАЛИЗА НАНООБЪЕКТОВ | 2014 |
|
RU2573717C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ | 2013 |
|
RU2546719C1 |
ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ МНОГОЛУЧЕВОЙ СВЕТОФИЛЬТР (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2491584C1 |
ОПТИЧЕСКИЙ ПАССИВНЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ ПРОХОДЯЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2013 |
|
RU2555503C1 |
ОПТИЧЕСКОЕ СОГЛАСУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 2012 |
|
RU2565324C2 |
ОПТИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР | 2010 |
|
RU2455669C1 |
УСТРОЙСТВО ЭКСПОНИРОВАНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР | 2010 |
|
RU2438153C1 |
ОПТИЧЕСКИЙ ПАССИВНЫЙ ЗАТВОР | 2013 |
|
RU2555211C1 |
ОПТИЧЕСКИЙ КОММУТАТОР ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ СВЯЗИ | 2012 |
|
RU2498374C2 |
МНОГОЛУЧЕВОЙ ИНТЕРФЕРОМЕТР | 2011 |
|
RU2477451C1 |
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, устройствам полупроводниковых светодиодов. В устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, в соответствии с изобретением, на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим, чем у окружающей среды, показателем преломления и меньшим длины волны зазором между частицей и поверхностью. Изобретение обеспечивает возможность создания конструкции светодиода с увеличенной эффективностью вывода излучения из объема кристалла и возможностью его изготовления по более простой технологии. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
1. Устройство полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, отличающееся тем, что на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим, чем у окружающей среды, показателем преломления и меньшим длины волны зазором между частицей и поверхностью.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что размеры частиц сравнимы с длиной волны света в среде и больше ее.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что слой частиц расположен в приповерхностной зоне шириной меньше длины волны и частицы имеют поперечник с размерами меньше длины волны в среде.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что закрепление частиц выполнено слоем прозрачного полимера.
JP5034314B2, 26.09.2012 | |||
JP2008108981A, 08.05.2008 | |||
JP2007308345A, 29.11.2007 | |||
JP2001250410A, 14.09.2001 | |||
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2008 |
|
RU2489774C2 |
СИД С ЧАСТИЦАМИ В ГЕРМЕТИКЕ ДЛЯ ПОВЫШЕННОГО ИЗВЛЕЧЕНИЯ СВЕТА И НЕЖЕЛТОГО ЦВЕТА В ВЫКЛЮЧЕННОМ СОСТОЯНИИ | 2008 |
|
RU2493635C2 |
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНУЮ КЕРАМИКУ И СВЕТОРАССЕИВАЮЩИЙ МАТЕРИАЛ (ВАРИАНТЫ) | 2007 |
|
RU2457582C2 |
Авторы
Даты
2015-04-10—Публикация
2013-12-05—Подача