СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ Российский патент 2015 года по МПК G01R31/00 

Описание патента на изобретение RU2556315C2

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов.

Известен способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что на контролируемый диод подают импульсы греющей мощности фиксированной длительности и амплитуды, а в промежутках между импульсами измеряют изменение температурочувствительного параметра, например прямого напряжения UТЧП диода при пропускании через него малого измерительного тока (ГОСТ 19656, 18-84. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления).

Недостатком способа является низкая точность, обусловленная большой погрешностью измерения импульсного напряжения UТЧП(t) из-за влияния переходных тепловых и электрических процессов при переключении полупроводникового диода из режима разогрева в режим измерения (Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Сов. радио, 1980. С.51).

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов (см. Патент №2402783 РФ. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, Б.И. №30, 2010 г.), состоящий в том, что через диод в прямом направлении пропускают последовательность импульсов греющего тока, длительность τи которых изменяется по гармоническому закону

τ и = τ 0 ( 1 + a sin Ω t ) ( 1 )

где τ0 - средняя длительность импульсов; a - коэффициент модуляции; Ω - частота модуляции, а в промежутках между импульсами греющего тока через диод пропускают малый прямой ток. Период следования Tсл и амплитуду Iгр импульсов греющего тока поддерживают постоянными, по результатам измерения напряжения на диоде во время действия импульсов греющего тока и в промежутках между ними определяют амплитуду первой гармоники греющей мощности Pm1(Ω) и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра U ˜ m 1 Т П ( Ω ) - прямого напряжения на p-n переходе при протекании через него начального тока и сдвиг фазы между ними φ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, и по измеренным значениям определяют тепловой импеданс полупроводникового диода на частоте модуляции греющей мощности по формуле:

Z ( Ω ) = | Z T ( Ω ) | e j ϕ ( Ω ) = U ˜ m 1 Т П ( Ω ) K T P m l ( Ω ) e j ϕ ( Ω ) . ( 2 )

KT - температурный коэффициент прямого напряжения диода при протекании через него постоянного начального тока, φ(Ω) - фаза теплового импеданса, равная сдвигу фаз между температурой и греющей мощностью.

Недостатком прототипа является то, что при его применении для измерения теплового импеданса светодиодов появляется значительная погрешность, обусловленная тем, что часть электрической мощности, потребляемой светодиодом, излучается во внешнюю среду в виде оптического излучения, в результате на нагрев светодиода идет не вся электрическая мощность. Таким образом, известный способ дает существенно заниженные значения модуля теплового импеданса. У современных светодиодов внешний квантовый выход может достигать десятков процентов, при этом конкретное значение квантовой эффективности имеет значительный разброс от образца к образцу.

Технический результат - повышение точности измерения модуля теплового импеданса светодиодов.

Технический результат достигается тем, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, в промежутках между импульсами греющего тока через диод пропускают малый постоянный начальный ток, по результатам измерения напряжения на диоде во время действия импульсов греющего тока и в промежутках между ними определяют амплитуду первой гармоники мощности Pml(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра U ˜ m 1 Т П ( Ω ) с известным отрицательным температурным коэффициентом КТ - прямого напряжения на p-n переходе светодиода при протекании через него малого постоянного начального тока и сдвиг фазы между ними φ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, дополнительно измеряют среднюю мощность W ¯ о п т оптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле

| Z T ( Ω ) | = U ˜ m l Т П ( Ω ) K T ( P m l ( Ω ) a W ¯ о п т ) , ( 3 )

а фаза φTM) теплового импеданса светодиода будет равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой мощности.

Повышение точности измерения модуля теплового импеданса светодиода достигается за счет того, что из первой гармоники электрической мощности, потребляемой светодиодом, вычитается первая гармоника мощности Wlonm(Ω) оптического излучения на частоте модуляции, которая при гармоническом законе ШИМ модуляции с глубиной a определяется по формуле W l o n m ( Ω ) = a W ¯ о п т и которая не идет на нагреве структуры СИД, и, таким образом более точно определяется мощность, затрачиваемая на разогрев светодиода.

Предлагаемый вариант способа может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг.1.

Устройство содержит контакты 1 для подключения контролируемого светодиода, источник 2 постоянного начального тока Iнач, генератор греющих импульсов тока 3, устройство управления 4, управляемые аналого-цифровые преобразователи 5 и 6, измеритель оптической мощности 7 с цифровым выходом и вычислитель 8.

Устройство работает следующим образом. После установки светодиода в контактную колодку 1 напротив входного отверстия измерителя оптической мощности 7 через него пропускают постоянный начальный ток Iнач от источника 2. Генератор импульсов 3 по сигналу устройства управления 4 начинает вырабатывать последовательность греющих импульсов тока заданной амплитуды Im и постоянной частоты fсл (фиг.2а), которые подаются в контролируемый светодиод. Моменты времени tk=kTсл начала k-го импульса и его длительность τuku0(1+acosΩtk) определяются управляющими импульсами UУ1 (фиг.2б) и UУ2 (фиг.2в) устройства управления. Через некоторое время, превышающее три постоянных времени переход-корпус светодиода, в светодиоде установится регулярный режим и температура p-n перехода светодиода будет пульсировать относительно некоторого квазистационарного значения T ˜ n ( t ) (фиг.2г), изменяющегося по гармоническому закону. Изменения прямого напряжения Um(t) светодиода показаны на (фиг.2д). Прямое напряжение светодиода подается на входы аналого-цифровых преобразователей 5 и 6. АЦП 5 преобразует в цифровой код прямое напряжение светодиода Um(t) во время протекания греющих импульсов тока в моменты времени t k i m 1 = t k + Δ t o m 1 , определяемые управляющими импульсами U-У3 (фиг.2е) устройства управления 4, где ΔTtom1, некоторое фиксированное время задержки запуска первого АЦП. Цифровые отсчеты прямого напряжения светодиода Um(k) передаются в оперативную память вычислителя 8, где формируется массив значений прямого напряжения диода {Um(k)}. Второй АЦП 6 преобразует в цифровой код температурочувствительный параметр - прямое напряжение светодиода U m Т П во время паузы между греющими импульсами тока при протекании начального тока Iнач в моменты времени t k o m 1 = t k + τ u k + Δ t o m 2 , определяемые управляющими импульсами UУ4 (фиг.2ж) устройства управления, где Δtom2 - некоторое фиксированное время задержки запуска второго АЦП. Цифровые отсчеты U m Т П ( k ) передаются в оперативную память вычислителя 8, где формируется массив значений температурочувствительного параметра { U m Т П ( k ) } . Значение W ¯ о п т средней оптической мощности (фиг.2з) с выхода измерителя оптической мощности 7 по сигналу устройства управления передается в вычислитель 8 за несколько тактов до окончания измерения.

Вычислитель 8 вычисляет значения импульсной мощности для каждого k-го греющего импульса тока путем умножения Um(t) на значение амплитуды греющих импульсов тока Im:Pm(k)=Im·Um(k) и формирует массив значений импульсной мощности {(Pm(k)}. По массивам данных {Pm(k} и U m Т П ( k ) методом дискретного преобразования Фурье вычислитель 8 определяет амплитуду и фазу гармоник греющей мощности Pm1 и φP температурочувствительного параметра U m 1 Т П и φT далее вычисляет модуль и фазу теплового импеданса полупроводникового диода по формулам:

| Z T ( Ω ) | = U ˜ m l Т П ( Ω ) K T ( P m l ( Ω ) a W ¯ о п т ) ; ( 4 а )

ϕ = ϕ T ϕ P . ( 4 б )

Для повышения точности преобразование измеряемых величин осуществляется в течение нескольких (3-5) периодов модуляции греющей мощности и получают N=(3÷5)ТМ/Tсл цифровых отсчетов измеряемых величин.

Похожие патенты RU2556315C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ 2009
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Смирнов Виталий Иванович
  • Юдин Виктор Васильевич
  • Гавриков Андрей Анатольевич
RU2402783C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ 2016
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Ульянов Александр Викторович
RU2624406C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОЛИГАРМОНИЧЕСКОЙ МОДУЛЯЦИИ ГРЕЮЩЕЙ МОЩНОСТИ 2012
  • Смирнов Виталий Иванович
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Корунов Дмитрий Иванович
RU2507526C1
Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием амплитудно-импульсной модуляции греющей мощности 2016
  • Смирнов Виталий Иванович
  • Гавриков Андрей Анатольевич
  • Шорин Антон Михайлович
RU2630191C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ - МИКРОПРОЦЕССОРОВ И МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ 2012
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Урлапов Олег Владимирович
  • Панов Евгений Анатольевич
RU2521789C2
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА КМОП ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 2011
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Ламзин Владимир Александрович
  • Юдин Виктор Васильевич
RU2463618C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ КОМПОНЕНТОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ГРЕЮЩЕЙ МОЩНОСТИ 2014
  • Смирнов Виталий Иванович
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Гавриков Андрей Анатольевич
RU2565859C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ 2014
  • Смирнов Виталий Иванович
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Гавриков Андрей Анатольевич
  • Бекмухамедов Ильгиз Маратович
RU2572794C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА ЦИФРОВЫХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 2012
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Панов Евгений Анатольевич
  • Урлапов Олег Владимирович
  • Юдин Виктор Васильевич
RU2504793C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ДВУХПОЛЮСНИКОВ С ИЗВЕСТНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ 2000
  • Сергеев В.А.
  • Васильев А.Н.
RU2167429C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 556 315 C2

Реферат патента 2015 года СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА СВЕТОДИОДОВ

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов. Способ состоит в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с глубиной модуляции а, в промежутках между импульсами греющего тока через светодиод пропускают начальный ток, по результатам измерения напряжения на светодиоде во время действия импульсов греющего тока и в промежутках между ними определяют амплитуду первой гармоники мощности Pm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом КТ - прямого напряжения на p-n переходе светодиода при протекании через него начального тока и сдвиг фазы между ними φ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за время разогрева мощность оптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле а фаза φTM) теплового импеданса светодиода равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой мощности. Технический результат заключается в повышении точности измерения модуля теплового импеданса светодиодов. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 556 315 C2

Способ измерения теплового импеданса переход-корпус светодиодов, состоящий в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с глубиной модуляции а, в промежутках между импульсами греющего тока через светодиод пропускают начальный ток, по результатам измерения напряжения на светодиоде во время действия импульсов греющего тока и в промежутках между ними определяют амплитуду первой гармоники мощности Pml(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом КТ - прямого напряжения на p-n переходе светодиода при протекании через него начального тока и сдвиг фазы между ними φ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за время разогрева мощность оптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле

а фаза φTM) теплового импеданса светодиода равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой мощности.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2015 года RU2556315C2

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ 2009
  • Сергеев Вячеслав Андреевич
  • Смирнов Виталий Иванович
  • Юдин Виктор Васильевич
  • Гавриков Андрей Анатольевич
RU2402783C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ 2001
  • Сергеев В.А.
RU2178893C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД - КОРПУС СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В КОРПУСНОМ ИСПОЛНЕНИИ 2006
  • Беспалов Николай Николаевич
  • Ильин Михаил Владимирович
RU2300115C1
US 3253221 A, 24.05.1966
Способ изготовления защитной маски 1974
  • Пашнев Владимир Николаевич
  • Буслович Соломон Лейбович
  • Калкут Лев Елизарович
  • Фрейманис Зигмунд Янович
  • Гейман Ким Борисович
SU558429A1

RU 2 556 315 C2

Авторы

Сергеев Вячеслав Андреевич

Смирнов Виталий Иванович

Даты

2015-07-10Публикация

2013-01-15Подача