СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ХЛОРЕЛЛЫ Российский патент 2015 года по МПК C12N1/12 A01G33/00 

Изобретение относится к микробиологической промышленности, в частности к технологии выращивания хлореллы.

Известен способ выращивания микроводоросли хлорелла, который предусматривает культивирование микроводоросли на жидкой питательной среде в условиях перемешивания и освещения при воздействии импульсного низкочастотного электромагнитного поля с магнитной индукцией 2000 Гс при частоте импульсов 10 Гц и длительностью 10 мкс (SU 1711734 А1). К недостаткам данного способа можно отнести низкую производительность.

Технический результат заявляемого способа заключается в повышении производительности выращивания хлореллы при сохранении требуемого качества.

Технический результат достигается способом выращивания хлореллы, включающий помещение суспензии хлореллы в две стеклянные ёмкости, в которых находятся нагреватели с терморегуляторами для поддержания оптимальной температуры 28±2Сº, между емкостями расположен источник света, причём, в качестве источника освещения используют фитолюминесцентную лампу, в ёмкость помещают систему из двух медных параллельно расположенных покрытых изоляционным материалом электродов, на которые подают постоянный ток высокого напряжения 10-60кВ, для создания электростатического поля.

Новые существенные признаки:

1. Применение фитолюминесцентных ламп обеспечивает более благоприятный для хлореллы спектр облучения.

2. Воздействие электростатического поля благоприятно воздействует на рост хлореллы.

Перечисленная совокупность признаков обеспечивает получение технического результата во всех случаях, на которые распространяется испрашиваемый объем правовой охраны.

Авторами была изучена зависимость роста микроводоросли от вида освещения.

Опыт по влиянию различных источников света на скорость размножения клеток хлореллы проводился в идентичных условиях с одинаковой начальной концентрацией клеток в суспензии.

Как видно из приведенных зависимостей, применение фитолюминесцентной лампы обеспечивает большее увеличение плотности клеток микроводоросли в растворе по сравнению с обычной люминесцентной лампой.

На Фиг. 1 представлен график зависимости увеличения плотности клеток суспензии хлореллы от вида источника света.

Для сравнения в лабораторных условиях была воссоздана установка по патенту SU 1711734 А1.

Электромагнитное поле образовано источником переменного тока, в то время как электростатическое поле - источником постоянного тока.

Переменный ток периодично меняет свою силу и направление в течение времени, в отличие от постоянного тока.

Как видно из графика, применение электростатического поля для стимулирования культуры микроводоросли значительно повышает производительность установки, в сравнении с использованием электромагнитного поля.

Результаты экспериментов представлены на Фиг. 2.

Изобретение относится к области выращивания хлореллы. Предложен способ выращивания хлореллы. Способ включает помещение суспензии хлореллы в две стеклянные емкости, в которых находятся нагреватели с терморегуляторами для поддержания оптимальной температуры 28±2°C. Между емкостями расположен источник искусственного света, в качестве источника искусственного освещения используют фитолюминесцентную лампу. В емкость помещают систему из двух медных параллельно расположенных покрытых изоляционным материалом электродов, на которые подают постоянный ток высокого напряжения 10-60 кВ, для создания электростатического поля. Изобретение обеспечивает повышение эффективности процесса выращивания хлореллы. 2 ил.

Способ выращивания хлореллы, включающий помещение суспензии хлореллы в две стеклянные емкости, в которых находятся нагреватели с терморегуляторами для поддержания оптимальной температуры 28±2°C, между емкостями расположен источник искусственного света, отличающийся тем, что в качестве источника искусственного освещения используют фитолюминесцентную лампу, в емкость помещают систему из двух медных параллельно расположенных покрытых изоляционным материалом электродов, на которые подают постоянный ток высокого напряжения 10-60 кВ, для создания электростатического поля.