Изобретение относится к технологии формирования активной p+ области, в частности к способам получения боросиликатных стекол для формирования активной базовой области в производстве полупроводниковой солнечной энергетики.
Известны способы проведения процесса диффузии бора из твердого планарного жидкого и газообразного источника [1].
Недостатками этих способов является неравномерность распределения поверхностного сопротивления, высокие температуры и длительность процесса.
Целью изобретения является равномерность разброса значений поверхностного сопротивления по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение температуры и длительности процесса.
Поставленная цель достигается проведением процесса диффузии бора с применением газообразного источника - треххлористого бора (BCl3), при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=380 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm). Температура процесса 900°C, длительность процесса 15±5 минут.
Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевой пластины протекает реакция окисления BCl3 из-за присутствия паров воды, поэтому вместе с кислородом в газовый поток добавляют незначительное количество водорода.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000". При этом поверхностное сопротивление - RS=55±5 Ом/см.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1: Технологический процесс диффузия бора проводят в однозонных диффузионных печах типа на установке СДОМ-3/100. Кремниевые пластины размещаются на кварцевых лодочках, расстояние между пластинами 2,4 мм. Процесс проводят при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=580 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm). Температура процесса 1000°C, длительность процесса 25±5 минут.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000".
RS=75±5 Ом/см.
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Процесс проводят при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=480 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm).
Температура процесса 950°C, длительность процесса 15±5 минут.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000".
RS=65±5 Ом/см.
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.
Процесс проводят при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=380 л/ч, BCl3=2 л/ч (1000 ppm).
Температура процесса 900°C, длительность процесса 15±5 минут.
Контроль измерения поверхностного сопротивления (RS) осуществляется на установке "FPP-5000".
RS=55±5 Ом/см.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами позволяет получить боросиликатный слой из жидкого источника треххлористого бора (BCl3) при температуре, равной 900°C, и поверхностным сопротивлением RS=55±5 Ом/см, при этом обеспечивается уменьшение разброса значений поверхностного сопротивления по кремниевой пластине, снижение температуры и длительности процесса. По воспроизводимости и возможности регулирования параметров системы с источником в жидкой фазе лучше, чем системы с источником в твердой фазе. Поверхностной концентрацией можно управлять путем изменения температуры диффузии, температуры источника и расхода потока.
Литература
1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: «Радио и связь», 1991, с. 179-180.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРНОЙ ОБЛАСТИ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА | 2014 |
|
RU2594652C1 |
| Способ получения боросиликатных слоев в производстве изготовления мощных транзисторов | 2020 |
|
RU2786376C2 |
| СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА | 2006 |
|
RU2361316C2 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭМИТТЕРНОЙ ОБЛАСТИ ТРАНЗИСТОРА | 2013 |
|
RU2542591C1 |
| СПОСОБ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА ИЗ ТВЕРДОГО ПЛАНАРНОГО ИСТОЧНИКА | 2008 |
|
RU2359355C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСТОКОВОЙ ОБЛАСТИ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА | 2014 |
|
RU2567405C2 |
| СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ Р-ОБЛАСТИ | 2013 |
|
RU2524151C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ N-ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2014 |
|
RU2586267C2 |
| СПОСОБ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА ИЗ ФОСФОРНО-СИЛИКАТНЫХ ПЛЕНОК | 2008 |
|
RU2371807C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БОРОСОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНОК | 2006 |
|
RU2378739C2 |
Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной p+-области солнечных элементов включает процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl3). В качестве источника диффузанта используется жидкий источник - треххлористый бор (BCl3) при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=380 л/ч, BCl3=2 л/ч, 1000 ppm. Изобретение позволяет получить боросиликатный слой из жидкого источника треххлористого бора (BCl3) c обеспечением уменьшения разброса значений поверхностного сопротивления по кремниевой пластине, снижение температуры и длительности процесса. 3 пр.
Способ формирования активной p+-области солнечных элементов, включающий процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl3), отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется жидкий источник - треххлористый бор (BCl3) при следующем расходе газов: кислород O2=12 л/ч, азот N2=380 л/ч, N2+H2=380 л/ч, BCl3=2 л/ч 1000 ppm.
| JP2011129867A, 30.06.2011 | |||
| JP2007318115A, 06.12.2007 | |||
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ МНОГОСЛОЙНЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ | 2012 |
|
RU2492555C1 |
| СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА | 2006 |
|
RU2361316C2 |
