Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка №2128474 Япония, МКИ H01L, 29/784] путем создания в подложке двух p+-областей, внутри которых формируются n+-участки, а между p+-областями создается p+-участок, этот участок и n+-области замыкаются общим электродом истока, сток располагается снизу подложки на промежуточном p+-слое. В таких полупроводниковых приборах из-за низкой технологичности процессов снижается качество и надежность приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5426063 МКИ H01L 21/265] путем проведения трехэтапной ионной имплантации ионов примеси без изменения типа проводимости подложки; ионов примеси того же типа, но под большим углом и с меньшей дозой, чем на первом этапе; ионов примеси с изменением типа проводимости подложки и образованием областей стока/истока с последующей термообработкой.
Недостатками этого способа являются:
- нестабильность параметров;
- большой разброс параметров;
- повышенная плотность дефектов.
Задача, решаемая изобретением: повышение стабильности, снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается тем, что после формирования подзатворного диэлектрика проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55 кэВ дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом в среде азота при температуре 900°C в течение 15 мин.
Технология способа состоит в следующем: по стандартной технологии на кремниевой подложке формируют области полупроводникового прибора. Затем образцы подвергались термическому окислению для создания слоя подзатворного диэлектрика SiO4 при температуре 1050°C в течение 20 мин. В последующем последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55кэВ, дозой 1⋅1013 см-2, с последующей термообработкой полупроводниковых структур при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота. За счет влияния ионного легирования происходит компенсация подвижного заряда в окисле. Нейтрализация подвижного заряда связана с радиационными повреждениями окисла. Затем формируют контактные области полупроводникового прибора по стандартной технологии. По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты представлены в таблице.
Технический результат: повышение стабильности, снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем легирования окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55 кэВ, дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота позволяет повысить процент выхода годных и улучшить их надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2011 |
|
RU2497229C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2015 |
|
RU2596861C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2015 |
|
RU2586444C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2010 |
|
RU2445722C2 |
Способ изготовления силицида титана | 2020 |
|
RU2751983C1 |
Способ изготовления силицида никеля | 2020 |
|
RU2734095C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2010 |
|
RU2428764C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2016 |
|
RU2641617C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2009 |
|
RU2431904C2 |
Способ формирования оксинитрида кремния | 2021 |
|
RU2770173C1 |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика. Согласно изобретению после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55кэВ, дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота. Изобретение обеспечивает повышение стабильности, снижение плотности дефектов, технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55кэВ, дозой 1⋅1013 см-2 с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота.
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ КМОП-СХЕМ НА КНИ ПОДЛОЖКЕ | 2003 |
|
RU2320049C2 |
US5426063A, 20.06.1995 | |||
US5885886A, 23.03.1999 | |||
US6071781A, 06.06.200. |
Авторы
Даты
2017-01-10—Публикация
2015-04-23—Подача