Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов, с пониженными токами утечки.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [заявка №2128473, Япония, МКИ H01L 29/784] с уменьшенным влиянием паразитного биполярного транзистора исток/подложка/сток. Структура полевого транзистора отделяется от p-Si-подложки слоем с повышенной скоростью рекомбинации дырок, полученным имплантацией протонов. Канал полевого транзистора отделяется от n+-областей стока/истока заглубленными n+-карманами - ограничителями канала. В таких приборах ухудшаются статические параметры.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [заявка №2133929, Япония, МКИ H01L 21/336] с толстым слоем изолирующего окисла вокруг активной структуры и сильнолегированным слоем под этим окислом для уменьшения утечек. Участок p-подложки для формирования истока/канала/стока защищают (поверх окисла затвора) маской, препятствующей окислению, проводят имплантацию As для образования сильнолегированного слоя и глубокое окисление для изоляции. Далее проводят имплантацию В (через маску, препятствующую окислению) для легирования слоя канала, формируют электрод затвора, проводят имплантацию As для создания областей истока и стока, а также операции формирования контактно-металлизационной системы.
Недостатками способа являются:
- высокие значения токов утечек;
- низкая технологичность;
- ухудшение статических параметров приборов.
Задача изобретения: снижение токов утечек в полупроводниковых приборах, обеспечивающая технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем создания под подзатворным диэлектриком тонкого 8-10 нм слоя Si3N4 ионной имплантацией азота с энергией 2,1 кэВ, дозой 8*1017 см-2 в подложку в течение двух минут, с последующим отжигом при температуре 300-400°C в течение 15-30 с. Перед созданием подзатворного окисла n-канального полевого транзистора, формировался слой Si3N4 толщиной 8-10 нм, которая надежно маскирует поверхность Si при создании окисла. Слой Si3N4 создается ионной имплантации азота с энергией 2,1 кэВ, при плотности тока 1 мА/см2, дозой 8*1017 см-2 в подложку в течение 2 минут, с последующим отжигом при температуре 300-400C в течение 15-30 с.
Создание тонкой пленки Si3N4 в непосредственном контакте с поверхностью подложки Si устраняет канал для диффузии кислорода под пленкой Si3N4, а ее малая толщина приводит к снижению уровня упругих напряжений, снижая вероятность зарождения дефектов кристаллической структуры.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты исследований представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 19,8%.
Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых приборах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем создания под подзатворным диэлектриком тонкого 8-10 нм слоя Si3N4 ионной имплантацией азота с энергией 2,1 кэВ, дозой 8*1017 см-2 при плотности тока 1 мА/см2 в подложку в течение двух минут, с последующим отжигом при температуре 300-400°C в течение 15-30 с позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2015 |
|
RU2606246C2 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2016 |
|
RU2633799C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2014 |
|
RU2581418C1 |
Способ изготовления мелкозалегающих переходов | 2020 |
|
RU2748335C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2016 |
|
RU2626292C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2017 |
|
RU2671294C1 |
Способ изготовления силицида титана | 2020 |
|
RU2751983C1 |
Способ изготовления мелкозалегающих переходов | 2021 |
|
RU2757539C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2011 |
|
RU2497229C2 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2020 |
|
RU2734094C1 |
Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов, с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора под подзатворным диэлектриком создают тонкий 8-10 нм слой Si3N4 ионной имплантацией азота с энергией 2,1 кэВ, дозой 8*1017 см-2 в подложку в течение двух минут, с последующим отжигом при температуре 300-400°C в течение 15-30 с. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность. 1 табл.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование областей стока/истока/затвора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что перед формированием подзатворного диэлектрика на подложке кремния формируют 8-10 нм слой Si3N4 ионной имплантацией азота с энергией 2,1 кэВ, дозой 8*1017 см-2 при плотности тока 1 мА/см2 в подложку в течение двух минут, с последующим отжигом при температуре 300-400°С в течение 15-30 с.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2011 |
|
RU2466476C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОП-ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ, ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ НА ЕЕ ОСНОВЕ | 1996 |
|
RU2105383C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА | 1983 |
|
SU1147205A1 |
US 8420477 B2, 16.04.2013 | |||
US 7300829 B2, 27.11.2007 | |||
US 6207542 B1, 27.03.2001 | |||
JP 55145373 A, 12.11.1980. |
Авторы
Даты
2016-09-10—Публикация
2015-02-13—Подача