Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака. Изобретение может быть использовано для решения задач экологического контроля.
Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии между теплопроводностью паров вещества и газа-носителя (Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. М.: Высш. школа, 1987. - 287 с.). Однако чувствительность такого датчика (детектора) ограничивается на вещества с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя. Например, при использовании этого датчика для анализа аммиака точность определения невысока.
Известен также датчик (Будников Г.К. Что такое химические сенсоры // Соросовский образовательный журнал. 1998, №3. С. 75), позволяющий определять содержание аммиака с большой чувствительностью. Однако он сложен по конструкции и механизму получения отклика на присутствие определяемого компонента: включает в качестве преобразователя-полупроводника оксид металла (SnO2, In2O3, Nb2O5) и нанесенный на его поверхность адсорбционный слой специального материала, дающий названный отклик. Для получения отклика необходимы такие дополнительные операции, как нагревание оксида до 200-400°C, так как при комнатной температуре он является диэлектриком и не проводит электрический ток, хемосорбция на нагретой поверхности кислорода воздуха, сопровождающаяся образованием отрицательно заряженных ионов O2-, О- и взаимодействием последних с определяемым газом (его окислением). Таким образом, электропроводность полупроводникового (оксидного) слоя в воздухе определяется не непосредственно содержанием определяемого газа, а степенью заполнения поверхности хемосорбированным кислородом, которая, в свою очередь, изменяется пропорционально концентрации определяемого газа.
Ближайшим техническим решением к изобретению является полупроводниковый датчик влажности газов, состоящих из полупроводникового основания, выполненного в виде полукристаллической пленки селенида цинка, легированного арсенидом галлия, с нанесенным на ее поверхность металлическими электродами, и непроводящей подложки (Патент №2161794, М. Кл. G01N 27/12, опубликовано 10.01.2001).
Недостатком этого известного устройства является его недостаточная чувствительность при контроле микропримесей аммиака. Кроме того, конструкция датчика предполагает при его изготовлении операции легирования и напыления металлических электродов.
Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика при контроле микропримесей аммиака и повышение технологичности его изготовления.
Указанный технический результат достигается тем, что в известном газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание и подложку, согласно заявляемому изобретению полупроводниковое основание выполнено в виде поликристаллической пленки антимонида галлия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где представлены: на фиг. 1 - конструкция заявляемого датчика, на фиг. 2 - кривая зависимости величины адсорбции аммиака от температуры, на фиг. 3 - градуировочная кривая зависимости изменения электропроводности (Δσs) полупроводниковой пленки в процессе адсорбции при комнатной температуре от начального давления NH3 . Последняя наглядно демонстрирует его чувствительность.
Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде поликристаллической пленки антимонида галлия, нанесенной на электродную площадку 2 пьезокварцевого резонатора 3 (фиг. 1).
Принцип работы такого датчика основан на адсорбционно-десорбционных процессах, протекающих на полупроводниковой пленке, нанесенной на электродную площадку пьезокварцевого резонатора, и вызывающих изменение его электропроводности.
Работа датчика осуществляется следующим образом.
Датчик помещают в находящуюся при комнатной температуре камеру (ею может быть обычная стеклянная трубка), через которую пропускают (или в которой выдерживают) анализируемый на содержание NH3 газ. При контакте пропускаемого газа с поверхностью полупроводниковой пленки GaSb происходит избирательная адсорбция молекул NH3 и изменение электропроводности пленки. По величине изменения электропроводности с помощью градуировочных кривых можно определить содержание аммиака в исследуемой среде.
Из анализа приведенной на фиг. 3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость изменения электропроводности от содержания аммиака , следует: заявляемый датчик позволяет определять содержание аммиака с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. Кроме того, существенно упрощается технология изготовления датчика, так как исключаются операции легирования полупроводникового основания и напыления на него металлических электродов.
Малые габариты устройства (рабочий объем менее 0,2 см3) в сочетании с малой массой пленки-адсорбента позволяют снизить постоянную датчика по времени до 10-20 мс.
Конструкция заявляемого датчика позволяет также улучшить и другие его характеристики: быстродействие, регенерируемость, способность работать не только в статистическом, но и динамическом режиме.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР | 2011 |
|
RU2469300C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР | 2009 |
|
RU2398219C1 |
НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР | 2010 |
|
RU2423688C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР | 2007 |
|
RU2350936C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА | 2015 |
|
RU2589455C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА | 2015 |
|
RU2607733C1 |
Полупроводниковый анализатор аммиака | 2016 |
|
RU2631009C2 |
ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА | 2017 |
|
RU2652646C1 |
Датчик микропримесей аммиака | 2023 |
|
RU2797767C1 |
НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК | 2013 |
|
RU2530455C1 |
Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и изменения содержания аммиака. Датчик состоит из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки антимонида галлия (1), и подложки, которой служит электродная площадка (2) пьезокварцевого резонатора (3). Датчик согласно изобретению при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание аммиака с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 3 ил.
Полупроводниковый датчик микропримесей аммиака, содержащий основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки антимонида галлия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.
НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР | 2010 |
|
RU2423688C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР | 2009 |
|
RU2398219C1 |
ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА | 2008 |
|
RU2400737C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК | 2005 |
|
RU2281485C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ АММИАКА | 1997 |
|
RU2124719C1 |
KR 100477422 B1, 23.03.2005. |
Авторы
Даты
2018-01-15—Публикация
2016-04-27—Подача