Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 1241168 Япония, МКИ H01L 29/72] путем последовательного нанесения на кремниевой подложке слоя диэлектрика, тугоплавкого металла или его силицида и поликристаллического или аморфного кремния. В последний имплантируют ионы мышьяка. На второй кремниевой подложке наращивают эпитаксиальный слой n- типа проводимости, после чего обе пластины накладывают друг на друга так, что слой легированный мышьяком, и эпитаксиальный слой соприкасаются, и отжигают при температуре 800°С, в результате чего они соединяются. Вторую подложку стравливают до вскрытия эпитаксиального слоя и наращивают на нем рабочий эпитаксиальный слой. И на нем формируют структуру биполярного транзистора. В таких приборах из-за низкой технологичности образуются неровности, которые ухудшают электрические параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 2148847 Япония, МКИ H01L 21/331] путем формирования на подложке р-типа проводимости скрытого n+ слоя и эпитаксиального слоя n- типа проводимости. В последнем создают полевой окисел и маску, защищающую область формирования активной базы. Через нее эпитаксиальный слой травят на глубину 3-5 мкм, осаждают на пластину поликристаллический кремний, легированный донорной примесью. Из последнего формируют коллекторный электрод с контактной площадкой.
Недостатками этого способа являются:
- низкие значения напряжения пробоя;
- высокие значения токов утечек;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: повышение значений напряжения пробоя, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием системы эпитаксии последовательным наращиванием слоев кремния: нижний эпитаксиальный слой р-типа с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, средний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3, верхний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости формируют скрытый n+ слой, по стандартной технологии, затем последовательно наращивают эпитаксиальный слой р-типа проводимости толщиной 3,5 мкм с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, который служит продолжением подложки, затем формируют эпитаксиальный слой n-- типа проводимости толщиной 7,1 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3 и верхний эпитаксиальный слой n- типа проводимости толщиной 4,4 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3. Формирование пленки кремния на кремниевой подложке проводили со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10-5 Па и скорости подачи силана 14,3 см3/мин. Активные области транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 21,9%.
Технический результат: повышение значений напряжения пробоя, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием системы эпитаксии последовательным наращиванием слоев кремния: нижний эпитаксиальный слой р-типа с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, средний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3, верхний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2020 |
|
RU2751982C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2017 |
|
RU2659328C1 |
Способ изготовления полупроводниковой структуры | 2016 |
|
RU2629655C2 |
Способ изготовления полупроводниковой структуры | 2016 |
|
RU2646422C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2016 |
|
RU2629657C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2014 |
|
RU2581418C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2015 |
|
RU2586444C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2012 |
|
RU2515335C2 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2018 |
|
RU2688866C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2019 |
|
RU2734060C1 |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости формируют скрытый n+ слой по стандартной технологии, затем последовательно наращивают эпитаксиальный слой р-типа проводимости толщиной 3,5 мкм с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, который служит продолжением подложки, затем формируют эпитаксиальный слой n-- типа проводимости толщиной 7,1 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3 и верхний эпитаксиальный слой n- типа проводимости толщиной 4,4 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3. Формирование пленки кремния на кремниевой подложке проводили со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10-5 Па и скорости подачи силана 14,3 см3/мин. Активные области транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя приборов, улучшение параметров и качества приборов, увеличение выхода годных. 1 табл.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования n+ скрытого слоя, создания активных областей транзистора и эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что формируют систему эпитаксии последовательным наращиванием слоев кремния: нижний эпитаксиальный слой р-типа с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, средний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3, верхний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2016 |
|
RU2629659C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2009 |
|
RU2431904C2 |
RU 2059326 C1, 27.04.1996 | |||
US 5880002 A1, 09.03.1999. |
Авторы
Даты
2020-03-18—Публикация
2019-05-13—Подача