Способ изготовления полупроводникового прибора Российский патент 2020 года по МПК H01L21/331 H01L21/205 

Описание патента на изобретение RU2717144C1

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 1241168 Япония, МКИ H01L 29/72] путем последовательного нанесения на кремниевой подложке слоя диэлектрика, тугоплавкого металла или его силицида и поликристаллического или аморфного кремния. В последний имплантируют ионы мышьяка. На второй кремниевой подложке наращивают эпитаксиальный слой n- типа проводимости, после чего обе пластины накладывают друг на друга так, что слой легированный мышьяком, и эпитаксиальный слой соприкасаются, и отжигают при температуре 800°С, в результате чего они соединяются. Вторую подложку стравливают до вскрытия эпитаксиального слоя и наращивают на нем рабочий эпитаксиальный слой. И на нем формируют структуру биполярного транзистора. В таких приборах из-за низкой технологичности образуются неровности, которые ухудшают электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 2148847 Япония, МКИ H01L 21/331] путем формирования на подложке р-типа проводимости скрытого n+ слоя и эпитаксиального слоя n- типа проводимости. В последнем создают полевой окисел и маску, защищающую область формирования активной базы. Через нее эпитаксиальный слой травят на глубину 3-5 мкм, осаждают на пластину поликристаллический кремний, легированный донорной примесью. Из последнего формируют коллекторный электрод с контактной площадкой.

Недостатками этого способа являются:

- низкие значения напряжения пробоя;

- высокие значения токов утечек;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: повышение значений напряжения пробоя, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием системы эпитаксии последовательным наращиванием слоев кремния: нижний эпитаксиальный слой р-типа с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, средний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3, верхний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3.

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости формируют скрытый n+ слой, по стандартной технологии, затем последовательно наращивают эпитаксиальный слой р-типа проводимости толщиной 3,5 мкм с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, который служит продолжением подложки, затем формируют эпитаксиальный слой n-- типа проводимости толщиной 7,1 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3 и верхний эпитаксиальный слой n- типа проводимости толщиной 4,4 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3. Формирование пленки кремния на кремниевой подложке проводили со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10-5 Па и скорости подачи силана 14,3 см3/мин. Активные области транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 21,9%.

Технический результат: повышение значений напряжения пробоя, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием системы эпитаксии последовательным наращиванием слоев кремния: нижний эпитаксиальный слой р-типа с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, средний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3, верхний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Похожие патенты RU2717144C1

название год авторы номер документа
Способ изготовления полупроводникового прибора 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2751982C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2017
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Кутуев Руслан Азаевич
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2659328C1
Способ изготовления полупроводниковой структуры 2016
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2629655C2
Способ изготовления полупроводниковой структуры 2016
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Кутуев Руслан Азаевич
  • Хасанов Асламбек Идрисович
RU2646422C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2016
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2629657C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2014
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2581418C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2015
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2586444C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 2012
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Марат Гусейнович
RU2515335C2
Способ изготовления полупроводникового прибора 2018
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2688866C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2019
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
  • Багов Артур Мишевич
RU2734060C1

Реферат патента 2020 года Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости формируют скрытый n+ слой по стандартной технологии, затем последовательно наращивают эпитаксиальный слой р-типа проводимости толщиной 3,5 мкм с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, который служит продолжением подложки, затем формируют эпитаксиальный слой n-- типа проводимости толщиной 7,1 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3 и верхний эпитаксиальный слой n- типа проводимости толщиной 4,4 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3. Формирование пленки кремния на кремниевой подложке проводили со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10-5 Па и скорости подачи силана 14,3 см3/мин. Активные области транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя приборов, улучшение параметров и качества приборов, увеличение выхода годных. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 717 144 C1

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования n+ скрытого слоя, создания активных областей транзистора и эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что формируют систему эпитаксии последовательным наращиванием слоев кремния: нижний эпитаксиальный слой р-типа с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, средний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3, верхний эпитаксиальный слой n- типа с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2020 года RU2717144C1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2016
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2629659C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2009
  • Мустафаев Абдула Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2431904C2
RU 2059326 C1, 27.04.1996
US 5880002 A1, 09.03.1999.

RU 2 717 144 C1

Авторы

Мустафаев Гасан Абакарович

Мустафаев Абдулла Гасанович

Мустафаев Арслан Гасанович

Черкесова Наталья Васильевна

Даты

2020-03-18Публикация

2019-05-13Подача