НАПРАВЛЕННЫЙ 3D ОТВЕТВИТЕЛЬ НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ Российский патент 2020 года по МПК H01P5/18 

Описание патента на изобретение RU2717257C1

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах и может быть использовано в качестве частотно-избирательного ответвителя мощности.

Известен направленный ответвитель мощности на магнитостатических волнах (патент РФ на изобретение №2623666 по кл. МПК Н01Р5/18, 28.06.2017), содержащий антенны для возбуждения магнитостатических волн, размещённые на микроволноводе, состоящим из пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ), размещенной на подложке галий-гадолиниевого граната. Дополнительно введенный слой пьезоэлектрического материала, снабженный металлическими электродами для подачи электрического напряжения, размещенный на поверхности микроволновода с возможностью пьезомагнитного взаимодействия, при этом микроволновод образован тремя параллельными микроволноводами равной ширины, каждый из которых имеет прямоугольную форму и установлен с зазором друг относительно друга с обеспечением режима многомодовой связи, а антенны расположены на концах микроволноводов таким образом, что входная антенна размещена на одном конце серединного микроволновода, одна выходная антенна размещена на противоположном конце серединного микроволновода, а две других – на смежных с ним концах периферийных микроволноводов.

Недостатком данного устройства является сложная конструкция, требующая введения дополнительного пьезоэлектрического слоя для управления электрическим полем. Конструкция устройства не позволяет осуществлять вертикальную передачу информационных сигналов в многослойных интегральных магнонных схемах.

Известен микрополосковый направленный ответвитель на нерегулярных связанных линиях (см. патент РФ на полезную модель №107644 по кл. МПК Н01Р5/18, опуб. 20.08.2011). Он содержит основную диэлектрическую подложку, на которой расположены связанные микрополосковые линии, в зазор которых перпендикулярно основной подложке установлена дополнительная диэлектрическая подложка. На нижней части боковых поверхностей дополнительной подложки нанесены микрополосковые линии, причем электрический контакт с линиями на основной и дополнительной подложке расположен вдоль линии касания подложек. Микрополосковые линии выполнены в виде ступенчато-нерегулярных линий.

Недостатком данного устройства является отсутствие возможности управления частотными характеристиками ответвителя (перестройка частотного диапазона) и невозможность использования широкой полосы частот. Ввиду особенностей конструкции устройства невозможно реализовать передачу информационных сигналов в вертикальном направлении в многопортовом режиме.

Известен также направленный ответвитель (см. патент РФ на изобретение №2571302, по кл. МПК Н01Р5/18, опуб. 20.12.2015), выполненный на диэлектрической подложке с нанесенной топологией направленного ответвителя, состоящей из четырех отрезков подводящих полосковых линий и области связанных однородных полосковых линий, при этом в область связанных однородных полосковых линий введены два одинаковых участка дополнительных связанных полосковых линий, расположенных по краям области связанных однородных полосковых линий симметрично относительно ее центра, при этом суммарная длина области связанных полосковых линий L=(0.2÷0.3)λсв, где λсв - длина волны области связанных полосковых линий на центральной частоте.

Недостатком данного устройства является невозможность расширения полосы частот работы ответвителя.

Наиболее близким к заявляемому является волноводный ответвитель, использующий поверхностные магнитостатические волны (см. заявку DE 4204299 (A1), Non-reciprocal waveguide coupler using magnetostatic surface waves -whose direction of propagation on epitaxial garnet film is at right angles to fundamental magnetic field, SIEMENS AG, по кл. МПК H01P1/215, опуб.18.09.1993). Ответвитель содержит подложку из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ), выращенную на данной подложке пленку из железо-иттриевого граната (ЖИГ) и располагающиеся на данной пленке микрополосковые антенны, обеспечивающие возбуждение спиновых волн в пленке железо-иттриевого граната. Устройство может быть использовано в качестве n-портового направленного ответвителя на частотах по меньшей мере нескольких ГГц, а также фазовращателя.

Основным недостатком известной конструкции является отсутствие средств регулирования характеристик распространения магнитостатических волн (МСВ) в широком диапазоне частот.

Техническая проблема изобретения заключается в создании 3D ответвителя СВЧ мощности, обеспечивающего возможность вертикальной передачи сигналов в многослойных устройствах с управляемым коэффициентом передачи, в том числе в интегральных магнонных схемах.

Технический результат заключается в осуществлении возможности регулирования характеристик распространения магнитостатических волн в широком диапазоне частот в многопортовом режиме.

Технический результат достигается тем, что направленный ответвитель на магнитостатических волнах, содержащий основной микроволновод из пленки железо-иттриевого граната, размещенной на подложке из галлий-гадолиниевого граната, микрополосковую антенну для возбуждения магнитостатических волн, расположенную на одном из торцевых концов плёнки железо-иттриевого граната основного микроволновода, согласно изобретению, он содержит дополнительные микроволноводы, каждый из которых выполнен в виде плёнки железо-иттриевого граната, размещенной на подложке из галлий-гадолиниевого граната, а также содержит микрополосковые антенны для приёма магнитостатических волн, при этом дополнительные мкироволноводы размещены на основном микроволноводе перпендикулярно его поверхности, а каждая из антенн для приема магнитостатических волн расположена на торцевом конце каждой плёнки железо-иттриевого граната дополнительных микроволноводов.

Ширина пленки железо-иттриевого граната дополнительных микроволноводов составляет от 50 до 500 мкм, толщина пленки - от 1 до 10 мкм, а расстояние (зазор) между дополнительными микроволноводами составляет от 10 до 50 мкм.

Длина пленки железо-иттриевого граната основного микроволновода составляет от 100 до 500 мкм.

Изобретение поясняется чертежами, где:

- на фиг. 1 представлена конструкция заявляемого устройства,

- на фиг. 2 изображен спектр мощности выходного сигнала для первого вертикального волновода (сплошная кривая) и основного микроволновода (пунктирная кривая).

Позициями на фиг. 1 обозначены:

1 – антенна для возбуждения магнитостатических волн;

2 – основной микроволновод, выполненный на основе плёнки ЖИГ в форме полоски шириной w, длиной R и толщиной пленки h;

3 – подложка на основе галлий-гадолиниевого граната шириной w, длиной R и толщиной t;

4 – дополнительные микроволноводы, установленные перпендикулярно основному микроволноводу, отстоящие друг от друга на расстоянии S, выполненные на основе плёнки ЖИГ шириной w, высотой L и толщиной h;

5 – подложка на основе галлий-гадолиниевого граната шириной w, высотой L, толщиной t;

6 – антенны для приема магнитостатических волн.

Направленный ответвитель содержит антенну для возбуждения магнитостатических волн 1, расположенную на основном микроволноводе 2, выполненном из пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ), размещенной на подложке 3 из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ). При этом, антенна 1 размещена на торцевом свободном конце плёнки ЖИГ основного микроволновода 2.

Устройство содержит дополнительные микроволноводы 4, выполненные также на основе плёнки ЖИГ, размещённой на подложке 5 из ГГГ и содержит антенны 6 для приёма магнитостатических волн, при этом каждая из антенн 6 расположена на торцевых концах каждого из дополнительных микроволноводов 4.

Дополнительные микроволноводы 4 размещены перпендикулярно к микроволноводу 2 на расстоянии S друг от друга.

Основной микроволновод 2 и дополнительные микроволноводы 4 представляют собой элементы электромагнитной связи.

Вертикально сформированные в форме удлинённых полосок различной ширины дополнительные микроволноводы, напыленные на вертикальные подложки ГГГ, образуют структуру типа «штыри».

Ширина w полосок плёнки ЖИГ дополнительных микроволноводов (см. фиг. 1) составляет от 50 до 500 мкм, а расстояние S между дополнительными микроволноводами может меняться от 10 до 50 мкм.

Длина пленки ЖИГ основного микроволновода может быть от 100 до 500 мкм, при этом толщина h дополнительных микроволноводов 4 может быть варьироваться от 1 до 10 мкм.

Намагниченность насыщения пленок ЖИГ составляет М=139 Гс. Микрополосковые антенны для возбуждения и приема магнитостатических волн имеют ширину от 10 до 30 мкм. Подложка 3, представляющая собой пленку галлий-гадолиниевого граната (ГГГ), имеет размеры 100 мкм × 500 мкм × 10 мкм (ШхДхТ).

Устройство работает следующим образом.

Входной микроволновый сигнал, частота которого должна лежать в диапазоне частот, определяемым величиной внешнего постоянного магнитного поля, направленного по оси Oy, подается на входную антенну 1. Далее микроволновый сигнал преобразуется в поверхностную магнитостатическую волну (ПМСВ), распространяющуюся вдоль микроволновода 2 и ответвляющуюся в дополнительные микроволноводы 4. Следовательно, в такой системе возможно частотно-селективное ответвление с вертикальной передачей сигнала.

На фигуре 2 показаны амплитудо-частотные характеристики основного волновода (пунктирная линия) и первого дополнительного вертикального волновода (сплошная линия). Ширина линии пропускания составляет порядка 600 МГц. Зона падения уровня сигнала в амплитудо-частотном спектре объясняется генерацией коротких волн на дефекте структуры в области поворота сигнала в вертикальный микроволновод.

Таким образом, созданный 3D направленный ответвитель обеспечивает возможность вертикальной передачи сигналов в многослойных устройствах с управляемым коэффициентом передачи, в том числе в интегральных магнонных схемах.

Похожие патенты RU2717257C1

название год авторы номер документа
УПРАВЛЯЕМЫЙ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ ДЕЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ НА СПИНОВЫХ ВОЛНАХ 2021
  • Мартышкин Александр Александрович
  • Садовников Александр Владимирович
  • Хутиева Анна Борисовна
RU2776524C1
ТРЕХКАНАЛЬНЫЙ НАПРАВЛЕННЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2016
  • Садовников Александр Владимирович
  • Грачев Андрей Андреевич
  • Одинцов Сергей Александрович
  • Бегинин Евгений Николаевич
  • Шараевский Юрий Павлович
  • Никитов Сергей Аполлонович
RU2623666C1
ПРОСТРАНСТВЕННО-ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2023
  • Садовников Александр Владимирович
  • Фильченков Игорь Олегович
  • Хутиева Анна Борисовна
RU2813706C1
ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МИКРОВОЛНОВОДОВ 2023
  • Садовников Александр Владимирович
  • Акимова Варвара Романовна
  • Хутиева Анна Борисовна
RU2815014C1
Управляемый ответвитель СВЧ сигнала на магнитостатических волнах 2018
  • Садовников Александр Владимирович
  • Одинцов Сергей Александрович
  • Бегинин Евгений Николаевич
  • Шешукова Светлана Евгеньевна
  • Шараевский Юрий Павлович
  • Никитов Сергей Аполлонович
RU2686584C1
ПРОСТРАНСТВЕННО-ЧАСТОТНЫЙ ФИЛЬТР НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2023
  • Мартышкин Александр Александрович
  • Фильченков Игорь Олегович
  • Садовников Александр Владимирович
  • Хутиева Анна Борисовна
RU2822613C1
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ИНВЕРТОР-ПОВТОРИТЕЛЬ НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2018
  • Садовников Александр Владимирович
  • Одинцов Сергей Александрович
  • Шешукова Светлана Евгеньевна
  • Шараевский Юрий Павлович
  • Никитов Сергей Аполлонович
RU2694020C1
НЕЛИНЕЙНЫЙ ДЕЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ СВЧ СИГНАЛА НА СПИНОВЫХ ВОЛНАХ 2017
  • Садовников Александр Владимирович
  • Одинцов Сергей Александрович
  • Бегинин Евгений Николаевич
  • Шешукова Светлана Евгеньевна
  • Шараевский Юрий Павлович
  • Никитов Сергей Аполлонович
RU2666969C1
ФИЛЬТР-ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР СВЧ-СИГНАЛА 2020
  • Хутиева Анна Борисовна
  • Садовников Александр Владимирович
  • Саломатова Елена Ивановна
RU2754086C1
ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2022
  • Хутиева Анна Борисовна
  • Садовников Александр Владимирович
  • Бегинин Евгений Николаевич
RU2786635C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 717 257 C1

Реферат патента 2020 года НАПРАВЛЕННЫЙ 3D ОТВЕТВИТЕЛЬ НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотно-избирательного ответвителя мощности. Техническая проблема изобретения заключается в создании 3D ответвителя СВЧ-мощности, обеспечивающего возможность вертикальной передачи сигналов в многослойных устройствах с управляемым коэффициентом передачи, в том числе в интегральных магнонных схемах. Технический результат заключается в осуществлении возможности регулирования характеристик распространения магнитостатических волн в широком диапазоне частот в многопортовом режиме. Технический результат достигается тем, что направленный ответвитель на магнитостатических волнах, содержащий основной микроволновод из пленки железо-иттриевого граната, размещенной на подложке из галлий-гадолиниевого граната, микрополосковую антенну для возбуждения магнитостатических волн, расположенную на одном из торцевых концов плёнки железо-иттриевого граната основного микроволновода, согласно изобретению, он содержит дополнительные микроволноводы, каждый из которых выполнен в виде плёнки железо-иттриевого граната, размещенной на подложке из галлий-гадолиниевого граната, а также содержит микрополосковые антенны для приёма магнитостатических волн, при этом дополнительные мкироволноводы размещены на основном микроволноводе перпендикулярно его поверхности, а каждая из антенн для приема магнитостатических волн расположена на торцевом конце каждой плёнки железо-иттриевого граната дополнительных микроволноводов. Ширина пленки железо-иттриевого граната дополнительных микроволноводов составляет от 50 до 500 мкм, толщина пленки - от 1 до 10 мкм, а расстояние (зазор) между дополнительными микроволноводами составляет от 10 до 50 мкм, длина плёнки железо-иттриевого граната основного микроволновода составляет от 100 до 500 мкм. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 717 257 C1

1. Направленный ответвитель на магнитостатических волнах, содержащий основной микроволновод из пленки железо-иттриевого граната, размещенной на подложке из галлий-гадолиниевого граната, микрополосковую антенну для возбуждения магнитостатических волн, расположенную на одном из торцевых концов плёнки железо-иттриевого граната основного микроволновода, отличающийся тем, что он содержит дополнительные микроволноводы, каждый из которых выполнен в виде плёнки железо-иттриевого граната, размещенной на подложке из галлий-гадолиниевого граната, а также содержит микрополосковые антенны для приёма магнитостатических волн, при этом дополнительные микроволноводы размещены на основном микроволноводе перпендикулярно его поверхности, а каждая из антенн для приема магнитостатических волн расположена на торцевом конце каждой плёнки железо-иттриевого граната дополнительных микроволноводов.

2. Направленный ответвитель по п. 1, отличающийся тем, что ширина плёнки железо-иттриевого граната дополнительных микроволноводов составляет от 50 до 500 мкм, а толщина от 1 до 10 мкм, при этом расстояние между дополнительными микроволноводами составляет от 10 до 50 мкм, длина плёнки железо-иттриевого граната основного микроволновода составляет от 100 до 500 мкм.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2020 года RU2717257C1

DE 4204299 A1, 19.08.1993
НЕЛИНЕЙНЫЙ ДЕЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ СВЧ СИГНАЛА НА СПИНОВЫХ ВОЛНАХ 2017
  • Садовников Александр Владимирович
  • Одинцов Сергей Александрович
  • Бегинин Евгений Николаевич
  • Шешукова Светлана Евгеньевна
  • Шараевский Юрий Павлович
  • Никитов Сергей Аполлонович
RU2666969C1
ТРЕХКАНАЛЬНЫЙ НАПРАВЛЕННЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ СВЧ СИГНАЛА НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2016
  • Садовников Александр Владимирович
  • Грачев Андрей Андреевич
  • Одинцов Сергей Александрович
  • Бегинин Евгений Николаевич
  • Шараевский Юрий Павлович
  • Никитов Сергей Аполлонович
RU2623666C1
Сверхвысокочастотное устройство на магнитостатических волнах 1980
  • Беспятых Юрий Иванович
  • Вашковский Анатолий Васильевич
  • Зубков Виктор Иванович
SU978240A1
ПОЛУАВТОМАТ ДЛЯ ПОКРЫТИЯ СФЕРИЧЕСКИХ КАТОДОВ 0
SU173566A1
СПОСОБ ПОДАВЛЕНИЯ КОРОННОГО РАЗРЯДА И СОПУТСТВУЮЩЕГО ЕМУ ЯВЛЕНИЯ ПРОБОЯ 0
SU166410A1
JP 2003179413 A, 27.06.2003.

RU 2 717 257 C1

Авторы

Садовников Александр Владимирович

Мартышкин Александр Александрович

Никитов Сергей Аполлонович

Даты

2020-03-19Публикация

2019-06-28Подача