Способ изготовления полупроводникового прибора Российский патент 2023 года по МПК H01L21/20 H01L21/331 

Описание патента на изобретение RU2805132C1

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным значением дефектности.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5159417 США, МКИ H01L 29/78], который содержит слаболегированные сток и исток, затвор полевого транзистора состоит из двух отдельно формируемых элементов, один из которых расположен симметрично относительно стока и истока, а другой находится над областью истока и частично перекрывает первый элемент, оба элемента затвора электрически соединяются общим затворным электродом. В таких приборах из-за нетехнологичности формирование защитной изолирующей пленки образуется большое количество дефектов, которые ухудшают электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5393683 США, МКИ H01L 21/265] который предусматривает формирование двухслойного затворного оксида на кремниевой подложке, сначала окислением подложки в кислородосодержащей атмосфере, а затем окислением в атмосфере N2O. Соотношение слоев по толщине (в %) 80:20 от суммарной толщины слоя.

Недостатками этого способа являются: - высокая дефектность; - повышенные значения тока утечки; - низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием подзатворного диоксида кремния в газовой среде SiH4-CO2-HCI-H2, при расходе водорода 110-120 л/мин, силана SiH4 360-500 мл/мин, соотношение между величинами расхода СО2 и силана SiH4 15:1, температуре подложки 850-1050°С, расходе хлористого водорода 0.1-1,0% и скорости осаждения диоксида кремния 22 нм/мин и последующей термообработке при температуре 600°С в течение 30 мин, в атмосфере аргона.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 18,8%.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием подзатворного диоксида кремния в газовой среде SiH4-CO2-HCI-H2, при расходе водорода 110-120 л/мин, силана SiH4 360-500 мл/мин, соотношение между величинами расхода СО2 и силана SiH4 15:1, температуре подложки 850-1050°С, расходе хлористого водорода 0.1-1,0% и скорости осаждения диоксида кремния 22 нм/мин и последующей термообработке при температуре 600°С в течение 30 мин, в атмосфере аргона, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Похожие патенты RU2805132C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2017
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2661546C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2022
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Черкесова Наталья Васильевна
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
RU2804293C1
Способ формирования оксинитрида кремния 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2747421C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2015
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2606780C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2018
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Кутуев Руслан Азаевич
RU2677500C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2023
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Черкесова Наталья Васильевна
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
RU2813176C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2019
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мастафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2723982C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2016
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Хасанов Асламбек Идрисович
RU2633799C1
Способ формирования оксинитрида кремния 2021
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2770173C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2017
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2671294C1

Реферат патента 2023 года Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности, к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным значением дефектности. Сущность: формируют диоксид кремния на кремниевой подложке р-типа проводимости, с ориентацией (100) и удельным сопротивлением 10 Ом.см, в газовой среде SiH4-CO2-HCI-H2, при расходе водорода 110-120 л/мин, расходе силана SiH4 360-500 мл/мин, соотношение между величинами расхода СО2 и силана SiH4 15:1, температуре подложки 850-1050°С, расходе хлористого водорода 0.1-1,0% и скорости осаждения диоксида кремния 22 нм/мин и последующей термообработке при температуре 600°С в течение 30 мин, в атмосфере аргона. Выращивание слоя окисла с применением хлористого водорода обеспечивает взаимодействие со свободными атомами кремния и предотвращает их внедрение в окисел и тем самым снижается дефектность. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 805 132 C1

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного оксида на кремниевой подложке, в кислородосодержащей атмосфере, отличающийся тем, что подзатворный диоксид кремния формируют в газовой среде SiH4-CO2-HCI-H2, при расходе водорода 110-120 л/мин, силана SiH4 360-500 мл/мин, соотношение между величинами расхода СО2 и силана SiH4 15:1, температуре подложки 850-1050°С, расходе хлористого водорода 0,1-1,0% и скорости осаждения диоксида кремния 22 нм/мин и последующей термообработке при температуре 600°С в течение 30 мин, в атмосфере аргона.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2023 года RU2805132C1

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ЗАТВОРНОЙ СТРУКТУРЫ И ЕЕ УСТРОЙСТВО 2009
  • Рамачандран Равикумар
  • Янь Хунвэнь
  • Моумен Наим
  • Шэффер Джеймс Кенион
  • Кришнан Сиддарт А.
  • Вон Кейт Квон Хон
  • Квон Унох
  • Белянски Майкл П.
  • Уайз Ричард
RU2498446C2
Коллекторное устройство с вставными холостыми пластинками и составными щетками 1927
  • Шульц В.Х.
SU11168A1
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР С НИЗКИМ КОНТАКТНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ 2014
  • Фам Дуи Ву
  • Су Ко Хуэй
RU2662945C1
US 6482704 B1, 19.11.2002
US 6808965 B1, 26.10.2004
JP 10256553 A, 25.09.1998.

RU 2 805 132 C1

Авторы

Мустафаев Гасан Абакарович

Черкесова Наталья Васильевна

Мустафаев Арслан Гасанович

Хасанов Асламбек Идрисович

Мустафаев Абдулла Гасанович

Даты

2023-10-11Публикация

2023-03-13Подача