Устройство для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждения кристалла ниобата лития при атмосферном давлении Российский патент 2023 года по МПК G01R31/26 G01T1/00 H01J3/00 

Описание патента на изобретение RU2807673C1

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для установления оптимальных условий генерации электронных пучков твердотельными пироэлектрическими элементами.

Известно устройство для детектирования тока эмиссии [E.M. Bourim, C.W. Moon, S.W. Lee, V. Sidorkin, and I.K. Yoo, “Pyroelectric electron emission from -Z face polar surface of lithium niobate monodomain single crystal,” J. Electroceram, vol. 17, pp. 479-485, July 2006] при ее пироэлектрическом механизме с -Z поверхности образца ниобата лития конгруэнтного состава в ваккумной камере, которое использует для измерения тока разряда кремниевый p-n фотодиод AXUV-100 и электрометр модели 6514 (Keithely Instruments, Inc). Зазор между поверхностью кристалла и детектором электронов варьировался от 90 мкм до 5 мм.

Недостатком данного устройства является невозможность прямого измерения тока разряда используемыми фотодиодом и его электронной системой обработки, поскольку импульсы этого тока имеют длительность менее 1 мкс и носят спорадический характер, и эмитируемые электроны не могли детектироваться в пределах времени разрешения электроники.

Наиболее близким по исполнению к предлагаемому устройству для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждения пироэлектрического кристалла ниобата лития является схема регистрации термически индуцированных при атмосферном давлении газовых разрядов с использованием пироэлектрических кристаллов, в которой производится измерение тока между остроконечным электродом, расположенным ортогонально к центру +Z-поверхности кристалла на расстоянии 1 мм от нее, и заземленным плоским электродом, контактирующим с его -Z-поверхностью, пикоамперметром или осциллографом с полосой частот 200 МГц по падению напряжения на измерительном резисторе Rl = 100 Ом. [M.J. Jonson, J. Linczer, D.B. Go, “Thermally induced atmospheric pressure gas discharges using pyroelectric crystals,” Plasma Sources Sci. Technol., vol. 23, 065018, September 2014].

Недостатками этого устройства регистрации пироэлектрической генерации электронов являются: сильная неоднородность электрического поля в разрядном промежутке, ограничивающая вклад в суммарный ток разряда периферийных областей кристалла с поперечными размерами, заметно превышающими этот промежуток; значительные индуктивности одиночного измерительного резистора и проводников, соединяющих его с осциллографом, затягивающие передний фронт импульсов разряда и искажающие их временную зависимость; отсутствие цепей, согласующих измерительный резистор с линией передачи измеряемого импульсного сигнала к осциллографу, устраняющих эффекты переотражения импульсов; сильные электромагнитные наводки на проводники измерительных цепей от импульсов разряда. Его использование позволило авторам оценить амплитуду импульсов разряда, как ~80 нА в цикле нагрева и как ~7 нА в цикле естественного охлаждения кристалла, но не позволило измерить и подробно рассмотреть их временные параметры.

Задачей, на решение которой направлено предлагаемое техническое решение, является создание устройства для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждения пироэлектрического кристалла ниобата лития при атмосферном давлении.

Поставленная задача решается с помощью предлагаемого устройства для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждения кристалла ниобата лития при атмосферном давлении, включающего нагревательный блок; камеру, находящуюся при атмосферном давлении; пироэлектрический кристалл; медный анод; блок измерительного резистора; коаксиальный согласующий резистор; медный винт; коаксиальный разъем типа «гнездо» для линий передачи с волновым сопротивлением 50 Ом; коаксиальный кабель с волновым сопротивлением 50 Ом с двумя разъемами типа «штырь»; причем камера выполнена в виде медного полого цилиндра с размещенными в нем соосно имеющими цилиндрическую форму пироэлектрическим кристаллом и медным анодом, соединенным проводником цилиндрической формы с блоком измерительного резистора, выполненным в виде шайбы из односторонне фольгированного стеклотекстолита с напаянными чип-резисторами, соединенного медным винтом с цилиндрическим контактом имеющего номинал 50 Ом согласующего коаксиального резистора, второй цилиндрический контакт которого соединен с центральным проводником коаксиального разъема типа «гнездо».

Предлагаемое устройство для регистрации отличается от описанного в прототипе тем, что соосное расположение пироэлектрического кристалла и медного анода, имеющих цилиндрическую форму, обеспечивает высокую степень однородности электрического поля в разрядном промежутке, позволяющую реализовать вклад в ток разряда со всей поверхности кристалла и значительно увеличить его величину. Использование коаксиальной геометрии на основе камеры в виде медного полого цилиндра и размещенных на его оси кристалла, медного анода, блока измерительного резистора в виде шайбы из фольгированного стеклотекстолита с напаянными чип-резисторами и коаксиального согласующего резистора, соединенного с центральным проводником коаксиального разъема типа «гнездо», обеспечивает минимальные индуктивности блока измерительного резистора и электрических цепей, соединяющих его с медным анодом и с осциллографом, что существенно уменьшает затягивание переднего фронта импульса разряда и искажения их временной зависимости. Наличие в устройстве согласующего коаксиального резистора с номиналом 50 Ом позволяет согласовать импеданс цепи регистрации тока разряда блоком измерительного резистора с коаксиальной линией передачи с волновым сопротивлением 50 Ом, что устраняет эффекты переотражения импульсов разряда наносекундной длительности от входной цепи осциллографа с сопротивлением 50 Ом и от цепи регистрации тока разряда. Кроме того, преимущество используемой совокупности элементов с коаксиальной конструкцией и камеры в виде медного полого цилиндра перед прототипом заключается в устранении сильных электромагнитных наводок на цепь передачи наносекундных импульсов к регистрирующему осциллографу.

Технический результат заявляемого решения заключается в регистрации при атмосферном давлении в воздушном зазоре между поверхностью +Z или - Z кристалла ниобата лития и плоским медным электродом наносекундных импульсов разряда отрицательной/положительной полярности с токами в максимуме, достигающими значений 600 мА и более. Это достигается за счет используемой коаксиальной геометрии устройства, возможности изменения ориентации кристалла цилиндрической формы на противоположную, применения циклов нагрева и охлаждения. В цикле нагрева кристалла заявляемое устройство позволяет реализовать определение оптимальных условий генерации электронных пучков твердотельными пироэлектрическими элементами при атмосферном давлении путем вариации размерами кристалла и зазора между его поверхностью и медным анодом, а также скоростью и режимом увеличения температуры в цикле нагрева.

Сущность заявляемого технического решения поясняется чертежами элементов устройства для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждении кристалла ниобата лития при атмосферном давлении, представленными на чертежах фиг. 1, фиг. 2 и фиг. 3.

Фиг. 1 - Общий вид разрядной камеры с размещенным в ней пироэлектрическим кристаллом

Фиг. 2 - Общий вид блока измерительного резистора

Фиг. 3 - Электрическая схема регистрации тока разряда

Основой катодного блока C разрядной камеры, представленной на фиг. 1, является медный стакан цилиндрической формы, с установленным в углублении в его днище пироэлектрическим кристаллом ниобата лития 1. Для устранения краевых эффектов кристалл 1 изолируется от окружающей воздушной среды фторопластовым колпачком 2 с диаметром верхнего отверстия около 10 мм.

Внутри цилиндрического медного стакана анодного блока A размещаются цилиндрический анод 3, изготовленный из меди, узел сопротивлений нагрузки 4 и согласующий резистор 5. Поверхность анода 3, обращенная к кристаллу, подвергается тщательной полировке, а боковая кромка скругляется до радиуса около 2 мм. Для предотвращения электрических пробоев с боковой поверхности анода 3, он помещен внутрь диэлектрической шайбы 6.

На фиг. 2 показан схематический вид блока измерительного резистора 4, который представляет собой диск, изготовленный из фольгированного стеклотекстолита с односторонним слоем медной фольги, нанесенной в форме двух круговых полос i и e, между которыми впаяны измерительные чип-резисторы 7. Изменение числа напаянных чип-резисторов 7 позволяет использовать различные значения измерительного сопротивления. Электрический контакт внешнего кольца и блока измерительного резистора 4 со стаканом анодного блока A (см. фиг. 1) обеспечивается за счет их механического прижатия друг к другу диэлектрической шайбой 6. Для создания надежного контакта анода 3 с внутренним кольцом i узла сопротивлений нагрузки 4 и согласующим сопротивлением 5 используется медный винт 8.

Выбор диаметров для элементов коаксиальных отрезков в анодном блоке A (см. фиг. 1), используемых после блока измерительного резистора 4, обеспечивает близость их волнового сопротивления к значению ρ ≈ 50 Ом. Для этого, во-первых, отношение диаметров головки винта 8 и медной вставки 9 к соответствующему внутреннему диаметру стакана анодного блока A (dA = 14 мм) выбирается примерно равным 2,3. Во-вторых, размещаемый между головкой винта 8 и медной вставкой 9 согласующий резистор 5 типа MELF, имеющий цилиндрическую форму и диаметр 2,2 мм, центрируется шайбой 10, изготовленной из гетинакса, с относительной диэлектрической проницаемостью εr ≈ 5.

Электрическая схема заявляемого изобретения представлена на фиг. 3.

Устройство для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждения кристалла ниобата лития при атмосферном давлении работает следующим образом.

Катодный блок C электрически заземляется, и размещается на электрически управляемом нагревателе, позволяющем регулировать его температуру в режиме нагрева пироэлектрического кристалла 1 от 20 °C до 80 °C со скоростью до 9 °C/мин. Температура катодного блока измеряется термопарой типа «К» (хромель-алюмель), контактирующей с его наружной цилиндрической поверхностью. В режиме охлаждения используется естественное снижение температуры катодного блока C. Анодный блок A размещается на катодном блоке C, обеспечивая хороший электрический контакт между их корпусами и необходимый зазор hg между поверхностью +Z (или - Z ) кристалла 1 и анода 3, зависящий от высоты кристалла 1 и составляющий от 0,5 мм до 4,0 мм.

Импульсы тока разряда, генерируемые в воздушном промежутке при атмосферном давлении между поверхностью кристалла +Z и анодом 3 в циклах нагрева/охлаждения кристалла 1, вызывают протекание тока Id(t) (см. электрическую схему на чертеже фиг. 3) через результирующее сопротивление Rl блока измерительного резистора 4. Для регистрации возникающего на этом сопротивлении импульса напряжения Ul(t) = RlId(t) используется схема согласования, включающая коаксиальный резистор 5 с номиналом Rm = 50 Ом. Импульс напряжения Uout(t) с выхода схемы согласования подается на цифровой осциллограф с входным сопротивлением Rin= 50 Ом с использованием коаксиального кабеля (ρ = 50 Ом) и стандартного высокочастотного разъема 11. Центральный электрод этого разъема 11 стыкуется со вставкой 9, а его корпус монтируется на верхней поверхности анодного блока A.

При изменении сопротивления нагрузки Rl от долей Ома до ~5 Ом, как следует из чертежа электрической схемы регистрации тока разряда Id(t), показанной на фиг. 3 и принимающей во внимание описанные выше элементы с параметрами Rl, Rm, ρ и Rin, суммарное сопротивление на входе коаксиальной линии передачи RΣ = Rl + Rm будет отличаться, но незначительно, от волнового сопротивления ρ = 50 Ом. Поэтому согласование данной схемы по входу будет неполным, что должно привести к заниженным значениям измеряемого осциллографом напряжения Ud(t) по сравнению со случаем идеального согласования, когда ρ = R. В пренебрежении таким рассогласованием, связь определяемого тока разряда Id(t) с измеряемым напряжением Ud(t) может быть получена в следующем виде:

Предлагаемое устройство может дополнительно содержать кольцевые медные вставки различной толщины, размещаемые между анодным блоком А и катодным блоком С (фиг. 1), позволяющие варьировать величину зазора hg между поверхностью +Z (или - Z ) кристалла 1 и анода 3 от 0,5 мм до 4,0 мм, для кристаллов с различной высотой.

Пример работы устройства.

Предлагаемое изобретение использовалось для регистрации импульсной генерации электронных пучков при атмосферном давлении в цикле охлаждения цилиндрического образца ниобата лития 1 с диаметром 13 мм и толщиной 7 мм, при зазоре hg = 0,5 мм между его поверхностью +Z и анодом 3. Импульсы разряда регистрировались при результирующем сопротивлении Rl = 1,7 Ом блока измерительного резистора 4, содержащего 3 напаянных чип-резистора с номиналом 1,7 Ома, с использованием цифрового осциллографа Keysight DSO-X 3102T (полоса частот 1 ГГц, частота дискретизации 5 Гвыб/с). В цикле естественного охлаждения разрядной камеры с размещенным в ней пироэлектрическим кристаллом ниобата лития (см. фиг. 1) от температуры 80 °С до 25 °С осциллографом, в режиме синхронизации по нарастающему фронту, регистрировалось 34 импульса напряжения положительной полярности U d (t)с длительностью около 15 нс, временем нарастания от 1 до 1,9 нс и с напряжением в максимуме от 200 до 350 мВ. Использование приведенной выше формулы (1) позволяет вычислить временную зависимость импульсов тока разряда I d (t) и определить его параметры. В рассматриваемом случае результирующего сопротивления блока измерительного резистора Rl = 1,7 Ом регистрировались импульсы со значением тока в максимуме от 235 до 412 мА и с переносимым зарядом от анода к кристаллу до ~4 нКл. Таким образом, предлагаемое устройства, в отличие от прототипа, позволяет зарегистрировать временную зависимость импульсов разряда в наносекундном диапазоне и определить их параметры, при этом полученное значение тока разряда в максимуме в цикле естественного охлаждения кристалла более чем на 7 порядков превышает значение ~7 нА, приведенное в описании данного прототипа.

Похожие патенты RU2807673C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА ФОРМИРОВАНИЯ КАНАЛА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ПРОБОЯ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКАХ ПО ЗАВИСИМОСТИ СКОРОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КАНАЛА ПРОБОЯ ОТ НАПРЯЖЕНИЯ 1996
  • Емлин Р.В.
RU2108592C1
ГЕНЕРАТОР СУБНАНОСЕКУНДНЫХ ПУЧКОВ ЭЛЕКТРОНОВ 2003
  • Алексеев С.Б.
  • Орловский В.М.
  • Тарасенко В.Ф.
RU2242062C1
Способ измерения энергетических характеристик двухэлектродных газовых коммутаторов пикосекундного диапазона методом рефлектометрии 2023
  • Иванов Степан Несторович
  • Лисенков Василий Викторович
RU2818262C1
ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭНЕРГИИ ИМПУЛЬСОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 1991
  • Казаков М.Ю.
  • Муравьев С.В.
  • Соустов Л.В.
RU2031378C1
ДАТЧИК ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ 2008
  • Картелев Анатолий Яковлевич
  • Сидоров Александр Александрович
  • Павлов Александр Николаевич
RU2371729C1
НЕЙТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР 2012
  • Ивлева Людмила Ивановна
  • Дидык Александр Юрьевич
  • Осико Вячеслав Васильевич
  • Богодаев Николай Васильевич
  • Лыков Павел Андреевич
RU2477935C1
ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ 1996
  • Загулов Ф.Я.
  • Кладухин В.В.
  • Храмцов С.П.
  • Байнов В.А.
RU2119715C1
Акустооптический лазерный затвор с выводом тепловой энергии из резонатора лазера 2020
  • Молчанов Владимир Яковлевич
  • Юшков Константин Борисович
  • Даринский Александр Николаевич
  • Науменко Наталья Федоровна
  • Чижиков Александр Ильич
  • Гуров Василий Викторович
RU2751445C1
Генератор высоковольтных импульсов 2020
  • Бурцев Владимир Анатольевич
  • Большаков Евгений Павлович
  • Самохвалов Андрей Александрович
  • Сергушичев Кирилл Александрович
  • Смирнов Артем Анатольевич
RU2739062C1
ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 2004
  • Михеев Геннадий Михайлович
  • Образцов Александр Николаевич
  • Зонов Руслан Геннадьевич
  • Свирко Юрий Петрович
RU2273946C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 807 673 C1

Реферат патента 2023 года Устройство для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждения кристалла ниобата лития при атмосферном давлении

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для установления оптимальных условий генерации электронных пучков твердотельными пироэлектрическими элементами. Технический результат - уменьшение искажений, вносимых электрической схемой регистрации тока при пироэлектрической генерации в циклах нагрева и охлаждения кристаллов ниобата лития. Устройство для регистрации содержит нагревательный блок; камеру, находящуюся при атмосферном давлении; пироэлектрический кристалл; медный анод; блок измерительного резистора; коаксиальный согласующий резистор; медный винт; коаксиальный разъем типа «гнездо» для линий передачи с волновым сопротивлением 50 Ом; коаксиальный кабель с волновым сопротивлением 50 Ом с двумя разъемами типа «штырь». Камера выполнена в виде медного полого цилиндра с размещенными в нем соосно имеющими цилиндрическую форму пироэлектрическим кристаллом и медным анодом, соединенным проводником цилиндрической формы с блоком измерительного резистора, выполненным в виде шайбы из односторонне фольгированного стеклотекстолита с напаянными чип-резисторами, соединенного медным винтом с цилиндрическим контактом имеющего номинал 50 Ом согласующего коаксиального резистора, второй цилиндрический контакт которого соединен с центральным проводником коаксиального разъема типа «гнездо». Нагревательный блок выполнен в виде теплопроводящей медной пластины с резистивным нагревательным элементом и термопарой, соединенными с управляемым регулятором температуры с программируемым температурным режимом нагрева. Режим охлаждения осуществляется естественным образом при отключении нагревательного элемента и контролируется термопарой. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 807 673 C1

Устройство для регистрации динамики пироэлектрической генерации импульсных электронных пучков наносекундной длительности в циклах нагрева и охлаждения кристалла ниобата лития при атмосферном давлении, содержащее нагревательный блок; камеру, находящуюся при атмосферном давлении; пироэлектрический кристалл ниобата лития и цифровой осциллограф, отличающаяся тем, что камера выполнена в виде медного полого цилиндра с размещенными в нем соосно имеющими цилиндрическую форму пироэлектрическим кристаллом ниобата лития и медным анодом, соединенным проводником цилиндрической формы с блоком измерительного резистора, выполненным в виде шайбы из односторонне фольгированного стеклотекстолита с напаянными чип-резисторами, соединенного медным винтом с цилиндрическим контактом имеющего номинал 50 Ом согласующего коаксиального резистора, второй цилиндрический контакт которого соединен с центральным проводником коаксиального разъема типа «гнездо»; нагревательный блок выполнен в виде теплопроводящей медной пластины с резистивным нагревательным элементом и термопарой, соединенными с управляемым регулятором температуры с программируемым температурным режимом нагрева, тогда как режим охлаждения осуществляется естественным образом при отключении нагревательного элемента и контролируется термопарой.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2023 года RU2807673C1

M
J
Johnson, Thermally induced atmospheric pressure;gas discharges using pyroelectric crystals, Plasma Sources Sci
Technol., v.23 (2014) 065018
Оптический способ контроля качества кристаллов 1990
  • Лебедева Елена Львовна
  • Занадворов Петр Николаевич
  • Норматов Сухроб Азимович
  • Пирозерский Алексей Леонидович
  • Серебряков Юрий Алексеевич
SU1783394A1
Реактор для пиролиза метана и других углеводородов до ацетилена 1954
  • Гриненко Б.С.
SU103933A2
ВИЗУАЛИЗАТОР ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА 1995
  • Соломонов В.И.
  • Михайлов С.Г.
RU2078354C1
WO 2004048964 A1, 10.06.2004
US 7741615 B2, 22.06.2010
US 10199559 B2, 05.02.2019.

RU 2 807 673 C1

Авторы

Шандаров Станислав Михайлович

Мамбетова Ксения Мустафиевна

Аксёнов Александр Иванович

Орликов Леонид Николаевич

Даты

2023-11-21Публикация

2023-05-05Подача