Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем ИС, изготовленных по КМОП-технологии, и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле предприятий-производителей радиоэлектронной аппаратуры.
Из результатов технологических отбраковочных и диагностических испытаний ППИ известно [1], что наличие дефектов в структуре ППИ неизбежно отражается на характере процессов, связанных с переносом тока через полупроводниковую структуру изделия, что приводит к флуктуациям проводимости и воспринимается во внешней цепи как низкочастотный шум (НЧ-шум), уровень которого пропорционален скорости деградации структуры.
Известен способ отбраковки потенциально ненадежных ППИ [2], согласно которого как потенциально ненадежные отбраковываются изделия с большим уровнем НЧ-шума. Недостатком способа является его низкая достоверность, посколькупо этому критерию можно отбраковать до 15% надежных изделий.
Наиболее близким аналогом является способ определения потенциально ненадежных ППИ [3], состоящий в том, что после измерения уровня НЧ-шума через контролируемое изделие пропускают импульс тока, в 1,5-5,0раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение, затем вновь измеряют уровень НЧ-шума, и по отношению результатов двух измерений судят о потенциальной надежности приборов.
Недостатком способа является подача импульса, в 1,5-5,0 раз превышающего допустимые по техническим условиям значения, что может вызвать необратимые процессы в структуре изделий, которые могут привести к недостаточной достоверности результатов и преждевременным отказам приборов при эксплуатации.
Изобретение направлено на повышение достоверности способа без превышения допустимых значений воздействующих факторов.
Технический результат достигается тем, что уровень НЧ-шума КМОП ИС измеряется до и после воздействия на КМОП ИС рентгеновского излучения в течение 3 часов дозой менее предельной дозы, допустимой по техническим условиям, с последующим отжигом, и по величине относительного изменения уровня НЧ-шумаК =разделяют партию КМОП ИС по надежности.
Пример реализации способа. Для эксперимента были выбраны 10 ИС типа К561ТР2 (четыре RS-триггера), имеющие 16 выводов. Допустимое напряжение питания ИС данного типа находится в пределах от 3 до15 В. Номинальное напряжение питания составляло + 10 В ±10 %. ИС серии К561 обеспечивают высокое быстродействие и большие выходные токи и предназначены преимущественно на применение в цифровых вычислительных машинах. Диапазон рабочих температур ИС этого типа: от +45 до +85°С.
При работе в однотипных схемах выходные уровни ИС практически не отличаются от напряжения питания (не менее 4,99 В) и потенциала общей шины (не более 0,01 В). Значение тока, потребляемого ИС в статическом режиме, равно 20 мкА, минимальный период следования импульсов входного напряжения - 360 нс.
На исследуемые ИС воздействовали рентгеновским излучением в течение 3 ч дозой D = 5400 Р с последующим отжигом при температуре 100°С в течение 2 ч. Вышеуказанный информативный параметр - уровень НЧ-шума - измеряли по методике, представленной в [3], для каждого из четырех выходов ИС до и после воздействия рентгеновским излучениемдозой D = 5400 Р с последующим отжигом. Коэффициент К, показывающий, во сколько раз изменяется уровень НЧ-шума после рентгеновского облучения и отжига относительно начального, определяется как отношение К =, где - уровень НЧ-шума ИС после рентгеновского облучения дозой 5400 Р и отжига, НАЧ – уровень НЧ-шума ИС до облучения.
Так как количество экспериментальных данных для всех 10 исследованных ИС велико и они схожи, в таблице представлены результаты для первых трех исследуемых ИС из десяти.
Параметры ИС типа К561ТР2 до и после рентгеновского облучения и отжига
Из таблицы видно, что значения уровня НЧ-шума резко увеличились после облучения и превысили начальное значение в 2-3 раза. При этом значение коэффициента К относительного изменения уровня НЧ-шума после облучения имеет значительный разброс от образца к образцу, что позволяет разделять ИС по надежности: более надежными считаются ИС с меньшим значением коэффициента К. Из таблицы видно, что набольшие значения К имеет ИС № 3, и эта ИС является менее надежной, а ИС № 2 имеет значения К, не превышающие 3, и является соответственно более надежной.
При реализации способа ИС не подвергаются запредельным внешним воздействиям, что подтверждает неразрушающий характер контроля и достижение технического результата.
Источники информации
1. Чернышов А. В. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - Москва: Радио и связь. - 1988. - 256 с.
2. Горлов, М. И. обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов в процессе серийного производства /М.И. Горлов, Л. П. Ануфриев, О. Л. Бордюжа - Минск: Интеграл. - 1997. - с. 318-325.
3. Авторское свидетельство СССР № 490047, G 01R31/26, 1976.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2010 |
|
RU2507525C2 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2010 |
|
RU2515372C2 |
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2009 |
|
RU2472171C2 |
СПОСОБ РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕСТАБИЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2008 |
|
RU2375719C1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2005 |
|
RU2309418C2 |
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2009 |
|
RU2455655C2 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2008 |
|
RU2374658C1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ ПО НАДЕЖНОСТИ | 2005 |
|
RU2292052C1 |
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 2005 |
|
RU2289144C2 |
Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности | 2023 |
|
RU2813473C1 |
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), изготовленных по КМОП-технологии, и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле предприятий-производителей радиоэлектронной аппаратуры. Способ разделения ИС, изготовленных по КМОП-технологии, по надежности включает измерение уровня низкочастотного шума (НЧ-шума) на выходах ИС до и после воздействия рентгеновским излучением дозой 5400 Р с последующим отжигом. Разделяют ИС на надежные и потенциально ненадежные по величине относительного изменения уровня НЧ-шума , где - уровень НЧ-шума интегральных схем после облучения 5400 Р и отжига, а - уровень НЧ-шума интегральных схем до облучения. Технический результат - повышение достоверности способа без превышения допустимых значений воздействующих факторов. 1 табл.
Способ разделения интегральных схем, изготовленных по КМОП-технологии, по надежности, включающий измерение уровня низкочастотного шума на выходах интегральных схем в номинальном режиме включения, отличающийся тем, что измерение уровня низкочастотного шума интегральных схем проводится до и после рентгеновского облучения дозой 5400 Р с последующим отжигом, и по величине относительного изменения низкочастотного шума , где – уровень низкочастотного шума интегральных схем после облучения рентгеновским излучением дозой 5400 Р и отжига, а – уровень низкочастотного шума интегральных схем до облучения, разделяют интегральные схемы на надежные и потенциально ненадежные, при этом более надежными считаются ИС с меньшим значением коэффициента К.
АНТОНОВА Е | |||
А | |||
Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий, автореферат на соискание ученой степени кандидата технических наук, Воронеж, 2013 | |||
М | |||
И | |||
ГОРЛОВ и др | |||
Влияние рентгеновского излучения на электрические параметры и низкочастотный шум цифровых интегральных схем, Дефектоскопия, N 5, 2013, с | |||
Приспособление с иглой для прочистки кухонь типа "Примус" | 1923 |
|
SU40A1 |
Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов | 1971 |
|
SU490047A1 |
Авторы
Даты
2024-11-05—Публикация
2023-09-14—Подача