Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов Советский патент 1975 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

3 эксплуатационном режиме, о т л ii ч л ю in п йс я тем, что, с целью повышения достоверности и расширения Функциональных возможНОС7СЙ, после указанного измерения пропускают через испытуемый прибор импульс тока в5 1,5-5 раз превышающий по амплнтуде пре4дел1Л10 допустимое значение в установивше:-.ся режиме, затем измеряют интенсивность шумов и но превышению результата второго измерепия над первым, например, более чем R ддд раза, выявляют потенциально нестабильпые приборы.