Датчик Холла на основе многослойного графена Российский патент 2024 года по МПК G01R33/07 B82B1/00 

Описание патента на изобретение RU2831707C1

Изобретение относится к области приборостроения и метрологии магнитных полей, в т.ч. слабых магнитных полей, образующихся при протекании электрического тока (постоянного и слабо переменного) по проводникам и может быть использовано в автоэлектронике и микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения.

Эффект Холла в металлах и полупроводниках является основным явлением, служащим для определения слабых магнитных полей. Максимизация холловского напряжения VH при заданной индукции магнитного поля В требует максимизации дрейфовой скорости носителей vd:

где W - ширина образца. Величина дрейфовой скорости при заданном напряжении между задающими контактами Vsd оказывается пропорциональной подвижности электронов

где L - расстояние между задающими контактами (длина образца). Таким образом, максимизация сигнала - холловского напряжения VH, при фиксированном напряжении между контактами, будет осуществляться в материалах с высокой электронной подвижностью. Если же между контактами зафиксирован ток Ib, то холловское напряжение максимально при наименьшей концентрации носителей заряда ns на единицу площади пленки:

Для сравнения величины эффекта Холла в различных материалах вводится магниточувствительность S, равная отношению холловского напряжения к произведению тока и магнитного поля, S=VH/IbB.

В реальных приложениях для измерения слабых магнитных полей требуется максимизация холловского напряжения при фиксированной мощности, потребляемой датчиком. Поэтому возникает задача одновременной максимизации подвижности и минимизации концентрации носителей заряда на единицу площади.

Известен датчик Холла на основе тонкой пленки из сплава железо-платина (Левашов В.И., Матвеев В.Н., Кононенко О.В., Волков В.Т. патент РФ на изобретение №2006127022/28 "Датчик Холла для локальной магнитометрии", 25.07.2006), толщина пленки составляет 1-5 нм для минимизации поверхностной концентрации носителей заряда. Датчик использует явление экстраординарного эффекта Холла в ферромагнитном материале. Однако даже с учетом малой толщины пленки, чувствительность данного прибора составляет около 100 Ом/Тл. Невысокие значения чувствительности устройства к магнитному полю связаны с высокой концентрацией проводящих электронов в металле на единицу площади.

Известны датчики Холла на основе графена, описанные в серии патентных документов Glass H.F.J., Biddulph P.D., патент Великобритании на изобретение №GB2606555 "Graphene Hall-effect sensor", 16.11.2022; Glass H.F.J., Biddulph P.D., Rossi B, Yee L.L., патент Великобритании на изобретение №GB 2602174 "Graphene Hall sensor for use at cryogenic temperatures", 23.06.2021; Glass H.F.J., Biddulph P.D., Rossi B, Yee L.L. патент Китая на изобретение №CN 116686429 А "Graphene Hall sensor and manufacture and use thereof, 01.09.2023; M. Eckinger, S. Kolb, A. Dehe, G. Ruhl, патент США на изобретение №US9714988B2 "Hall effect sensor with graphene detection layer", 25.07.2017; M. Engel, R. Neuman, B. Ferreira, M. Steiner патент США №US9702748B2 "Graphene-based magnetic hall sensor for fluid flow analysis at nanoscale level", 11.07. 2017.

Хотя описанные конструкции датчиков отличаются деталями геометрии подложек, токоподводящих и сигнальных контактов, во всех них в качестве магнитно-чувствительного материала используется однослойный графен.

К недостаткам указанных датчиков стоит отнести следующие. Хотя с теоретической точки зрения минимальная концентрация носителей заряда достигается именно в однослойном графене, с практической точки зрения ее достижение затруднительно по нескольким причинам. Во-первых, на поверхности однослойного графена неизбежно присутствуют загрязнители, которые в силу контактной разности потенциалов приводят к хаотическому легированию графена электронами и дырками (режим «электрон-дырочных луж»). Эти загрязнители связанны как с выполнением литографических процедур (остатки резиста на поверхности графена), так и с прямым оседанием атмосферной пыли или даже отдельных газовых молекул. Во-вторых, эти же загрязнители приводят к деградации электронной подвижности в однослойном графене, и значения выше 1000 см2/(В⋅с) в графене без специальных процедур инкапсуляции практически недостижимы. Комбинация этих факторов приводит к ограничению чувствительности датчика-прототипа, до 1200 Ом/Тл при комнатной температуре.

Существуют методы инкапсуляции однослойного графена в диэлектрики, среди которых набольшую подвижность обеспечивает инкапсуляция в гексагональный нитрид бора. Однако воспроизводимых способов промышленного выращивания низкодефектного нитрида бора на графене до сих пор не существует, и процедура инкапсуляции однослойного графена выполняется вручную с помощью микроманипуляторов.

Также важным недостатком датчиков магнитного поля на основе однослойного графена является малая предельная величина возможных токов, пропускаемых по образцу. Так, плотность тока в 1 мА на микрометр ширины графена обычно приводит к перегоранию контакта «металл - графен». Для максимизации абсолютного значения холловского напряжения при данном измеряемом магнитном поле необходимо увеличивать пропускаемый ток.

Известен датчик Холла на основе многослойного графена, содержащий магнитно-чувствительную пленку из многослойного графена, размещенную на подложке, два металлических токоподводящих и два металлических потенциальных (измерительных) контакта к ней, который наиболее близок к заявляемому датчику Холла и поэтому выбран в качестве прототипа (Glass H.F.J., Biddulph P.D., патент Великобритании на изобретение №GB2606555 "Graphene Hall-effect sensor", 16.11.2022 [0013, 0039, 0041]).

Такой вариант выполнения датчика магнитного поля, в котором чувствительный элемент представляет структуру, содержащую от 1 до 10 листов графена (описанный в абзацах [0039] - [0041]), также имеет существенные недостатки. Во-первых, ван-дер-Ваальсово взаимодействие между слоями, по сути, превращает графен в графит, с его относительно большой концентрацией носителей и малой подвижностью. Как результат, Холловская чувствительность в графите с толщиной порядка 150 нм составляет около 0,7 Ом/Тл, а после пересчета на монослой составляет 300 Ом/Тл [Kinchin G. Н. The electrical properties of graphite //Proceedings of the Royal Society of London. Series A. Mathematical and Physical Sciences. - 1953. - T. 217. - №. 1128. - C. 9-26.]. Во-вторых, получение многослойного графена требует механического отшелушивания от объемного кристалла графита, что также является технологически не масштабируемой операцией.

Технические задачи, на которые нацелено данное изобретение, заключаются в повышении чувствительности датчика магнитного поля (как при фиксированном токе и фиксированном поле, так и при максимальном токе и фиксированном поле), достижении работоспособности при комнатной температуре, достижении простой в изготовлении конструкции датчика, в которой не требуется инкапсуляция магнитно-чувствительного материала.

Техническими результатами являются увеличение чувствительности холловского сопротивления датчика к магнитному полю до 2,5 кОм/Тл, увеличение чувствительности холловского напряжения при максимальном токе до 80 В/Тл, обеспечение работы при комнатной температуре, отсутствие необходимости технологических операций по инкапсуляции чувствительного элемента. Также решается задача одновременной максимизации подвижности и минимизации концентрации носителей заряда на единицу площади.

Технические результаты достигаются тем, что в известном датчике Холла на основе многослойного графена, содержащем магнитно-чувствительную пленку из многослойного графена, размещенную на подложке, два металлических токоподводящих и два металлических измерительных контакта к ней, в качестве магнитно-чувствительной пленки используют многослойный графен, последовательные слои которого развернуты относительно друг друга на углы в диапазоне от 10 до 50 градусов, с количеством слоев от 10 до 300, при этом подвижность электронов во внутренних слоях многослойной графеновой пленки составляет порядка 50×103 см2/(В⋅с), а чувствительность холловского сопротивления к магнитному полю до 2,5 кОм/Тл. Металлические контакты датчика выполнены из сплава Cr/Au.

Физическими принципами, обеспечивающим достижение результатов, являются (1) сохранение высокой электронной подвижности (порядка 50×103 см2/(В⋅с) при комнатной температуре) во внутренних слоях многослойной графеновой пленки, (скрученного графена), последовательный слои которой развернуты относительно друг друга, в т.ч. стабильность этой величины относительно адсорбции примесей на поверхности; (2) снижение объемной плотности тока при увеличении количества слоев и снижение выделяемой мощности в единице объема, приводящей к перегоранию структуры.

Сохранение высокой электронной подвижности в объемной структуре на уровне подвижности в идеальном однослойном графене связано с ослаблением ван-дер-Ваальсовых сил при взаимной угловой разориентации слоев. Стабильность подвижности относительно атмосферной контаминации связана с тем, что адсорбция примесей на поверхности многослойной графеновой структуры (будь то остатки резиста, пыль, отдельные газовые молекулы) снижает подвижность только в верхних приповерхностных слоях. То же относится к дефектам подложки: они снижают электронную подвижность лишь в нескольких нижних приповерхностных слоях. Электроны во внутренних слоях многослойной структуры не испытывают влияния примесей благодаря эффектам экранирования примесного потенциала. Экранирование достигается уже на масштабах одного-трех слоев, поэтому структуры с десятью слоями и более оказываются слабочувствительными к адсорбции примесей и дефектам и обладают универсально высокой подвижностью порядка 50×103 см2/(В⋅с) при комнатной температуре.

Увеличение предельного тока на единицу ширины канала в датчике магнитного поля с многослойным графеном является следствием распределения заданного тока по всей высоте многослойной стопки. В свою очередь, это приводит к меньшему значению объемной плотности мощности джоулева тепла, что позволяет достигать больших предельных токов и больших абсолютных значений холловского напряжения.

Важно отметить, что для достижения технического результата отдельные атомарные слои в составе магнитно-чувствительной пленки из многослойного графена должны быть разориентированы по углам, т.е. отдельные слои в стопке должны быть последовательно развернуты относительно друг друга на определенные углы (углы скручивания). Это необходимо для ослабления вертикальных ван-дер-ваальсовых связей между слоями и сохранения высокой подвижности в каждом отдельном слое.

Подобные пленки, слои которых последовательно развернуты относительно друг друга на определенные углы (twisted multilayer graphene (tMLG)), получены при росте графена из газовой фазы с использованием ацетилена в качестве прекурсора и подслоя железа в качестве катализатора. Экспериментально установлено, что оптимальный диапазон углов разворота (углов скручивания) пленок из многослойного (скрученного) графена для достижения целей изобретения составляет 10-50 градусов.

Пленка из многослойного графена, для изготовленного датчика Холла, выращена так, что последовательные слои в ней развернуты относительно друг друга на углы в диапазоне от 20 до 26 градусов. Метод получения данной модификации графена описан в работе О. Kononenko с соавт., "Influence of numerous Moire superlattices on transport properties of twisted multilayer graphene," Carbon, том 194, стр. 52-61, (2022).

Таким образом, признаками, отличающими предлагаемый датчик магнитного поля от прототипа, является выполнение магнитно-чувствительной пленки из многослойного графена, последовательные слои которой развернуты относительно друг друга на углы в диапазоне от 10 до 50 градусов, с количеством слоев от 10 до 300, при этом датчик выполнен с подвижностью электронов во внутренних слоях многослойной графеновой пленки порядка 50×103 см2/(В⋅с), металлические контакты датчика выполнены из сплава Cr/Au, и при этом датчик выполнен с чувствительностью холловского сопротивления к магнитному полю до 2,5 кОм/Тл.

Сущность изобретения поясняется чертежом на Фиг. 1, где

1 - многослойная пленка графена; 2, 3 - пара контактов для подачи постоянного тока; 4, 5 - пара контактов для регистрации напряжения Холла; 6 - источник тока; 7 - вольтметр для измерения напряжения Холла.

Магнитное поле В имеет компоненту, нормальную к плоскости графена.

Датчик Холла работает следующим образом.

К пленке многослойного графена (1) выполняется пара контактов (2, 3), через которые пропускается постоянный ток Ib, выдаваемый источником тока (6). В магнитном поле В, имеющем ненулевую компоненту по нормали к пленке, возникает эффект Холла. Это приводит к возникновению напряжения Vн между второй парой контактов (4, 5), которые расположены между токонесущими контактами. Возникающее постоянное напряжение между контактами (4) и (5) измеряется вольтметром (7). Форма пленки из многослойного графена может быть произвольной, как и конкретные места подключения контактов.

Выполнение пленки из многослойного графена в форме квадрата и подключение контактов по углам показано на Фиг. 1 в качестве варианта выполнения, и не ограничивает изобретение.

Пример реализации изобретения и достижения технического результата приведен на Фиг. 2 и Фиг. 3. На Фиг. 2 показана микрофотография изготовленного устройства с магнитно-чувствительной пленкой из многослойного графена, последовательные слои которого развернуты относительно друг друга на углы в диапазоне от 20 до 26 градусов и контактами, выполненными из сплава Cr/Au. На Фиг. 3 показана измеренная зависимость холловского сопротивления RH=Vн/Ib от магнитного поля при комнатной температуре, наклон которой соответствует заявляемому значению 2,5 кОм/Тл.

Похожие патенты RU2831707C1

название год авторы номер документа
Датчик магнитосопротивления на основе немагнитного полупроводникового материала 2024
  • Мыльников Дмитрий Александрович
  • Кононенко Олег Викторович
  • Матвеев Виктор Николаевич
  • Зотов Александр Владимирович
  • Морозов Александр Дмитриевич
  • Титова Елена Игоревна
  • Домарацкий Иван Константинович
  • Бочаров Алексей Юрьевич
  • Свинцов Дмитрий Александрович
RU2825969C1
Инфракрасный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе графена 2023
  • Рыбкин Артем Геннадиевич
  • Рыбкина Анна Алексеевна
  • Тарасов Артем Вячеславович
  • Ерыженков Александр Владимирович
  • Шикин Александр Михайлович
RU2805784C1
ЛЕГИРОВАНИЕ ГРАФЕНА ДЫРКАМИ 2011
  • Чэнь Вэй
  • Чэнь Чжэньюй
  • Вии Суе Шен Эндрю
  • Се Ланьфэй
  • Ван Сяо
  • Сунь Цзятао
  • Ариандо
RU2565336C2
Детектор электромагнитного излучения 2023
  • Бочаров Алексей Юрьевич
  • Домарацкий Иван Константинович
  • Кащенко Михаил Алексеевич
  • Кононенко Олег Викторович
  • Мыльников Дмитрий Александрович
  • Сёмкин Валентин Андреевич
  • Свинцов Дмитрий Александрович
  • Шабанов Александр Викторович
RU2816104C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ УСТОЙЧИВЫХ К ОКИСЛЕНИЮ СВЕРХТОНКИХ ГРАФЕНОВЫХ СТРУКТУР СО СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННЫМИ НОСИТЕЛЯМИ ЗАРЯДА 2023
  • Аверьянов Дмитрий Валерьевич
  • Соколов Иван Сергеевич
  • Токмачев Андрей Михайлович
  • Сторчак Вячеслав Григорьевич
  • Парфенов Олег Евгеньевич
RU2805282C1
ГРАФЕНОВЫЙ СЕНСОР ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ГАЗООБРАЗНЫХ ВЕЩЕСТВ 2017
  • Лебедев Александр Александрович
  • Лебедев Сергей Павлович
  • Макаров Юрий Николаевич
  • Сергей Новиков
RU2674557C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАФЕНЕ 2019
  • Аверьянов Дмитрий Валерьевич
  • Токмачев Андрей Михайлович
  • Сторчак Вячеслав Григорьевич
  • Соколов Иван Сергеевич
RU2697517C1
СПОСОБ ПЕРЕНОСА ГРАФЕНА С МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКИ НА ПОЛИМЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ 2018
  • Костогруд Илья Алексеевич
  • Бойко Евгений Викторович
  • Смовж Дмитрий Владимирович
RU2688628C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ СЕНСОРА ГАЗООБРАЗНЫХ ТОКСИЧНЫХ ВЕЩЕСТВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ГРАФЕНА 2017
  • Лебедев Александр Александрович
  • Лебедев Сергей Павлович
  • Макаров Юрий Николаевич
  • Мынбаева Марина Гелиевна
RU2659903C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОАКУСТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА 2019
  • Смовж Дмитрий Владимирович
  • Бойко Евгений Викторович
  • Костогруд Илья Алексеевич
  • Маточкин Павел Евгеньевич
RU2724227C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 831 707 C1

Реферат патента 2024 года Датчик Холла на основе многослойного графена

Изобретение относится к области измерительной техники для измерения магнитных полей. Датчик Холла на основе многослойного графена содержит магнитно-чувствительную пленку из многослойного графена, размещенную на подложке, два металлических токоподводящих и два металлических измерительных контакта к ней. При этом в качестве магнитно-чувствительной пленки используют многослойный графен, последовательные слои которого развернуты относительно друг друга на углы в диапазоне от 10 до 50 градусов с количеством слоев от 10 до 300, при этом датчик выполнен с подвижностью электронов во внутренних слоях многослойной графеновой пленки порядка 50×103 см2/(В⋅с), металлические контакты датчика выполнены из сплава Cr/Au, и при этом датчик выполнен с чувствительностью холловского сопротивления к магнитному полю до 2,5 кОм/Тл. Технический результат - повышение чувствительности холловского сопротивления к магнитному полю до 2,5 кОм/Тл, повышение чувствительности холловского напряжения при предельном токе (10 мА) до 80 В/Тл, обеспечение возможности работы при комнатной температуре и отсутствие необходимости инкапсуляции магнитно-чувствительного материала. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 831 707 C1

Датчик Холла на основе многослойного графена, содержащий магнитно-чувствительную пленку из многослойного графена, размещенную на подложке, два металлических токоподводящих и два металлических измерительных контакта к ней, отличающийся тем, что в качестве магнитно-чувствительной пленки используют многослойный графен, последовательные слои которого развернуты относительно друг друга на углы в диапазоне от 10 до 50 градусов с количеством слоев от 10 до 300, при этом датчик выполнен с подвижностью электронов во внутренних слоях многослойной графеновой пленки порядка 50×103 см2/(В⋅с), металлические контакты датчика выполнены из сплава Cr/Au, и при этом датчик выполнен с чувствительностью холловского сопротивления к магнитному полю до 2,5 кОм/Тл.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2024 года RU2831707C1

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СРЕДНЕГОДОВОЙ САМООЧИЩАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ВОДОТОКА В ФАРВАТЕРЕ 2015
  • Красногорская Наталия Николаевна
  • Нафикова Эльвира Валериковна
  • Белозёрова Елена Алексеевна
  • Пегова Ксения Вячеславовна
RU2606555C1
CN 111426995 A, 17.07.2020
WO 2014011954 A1, 16.01.2014
WO 2013009961 A1, 17.01.2013
CN 109233283 A, 18.01.2019
CN 111547711 A, 18.08.2020
US 20160207291 A1, 21.07.2016
WO 2017093596 A1, 08.06.2017
US 20170203968 A1, 20.07.2017
US 20190077671 A1, 14.03.2019.

RU 2 831 707 C1

Авторы

Мыльников Дмитрий Александрович

Кононенко Олег Викторович

Матвеев Виктор Николаевич

Зотов Александр Владимирович

Морозов Александр Дмитриевич

Титова Елена Игоревна

Домарацкий Иван Константинович

Бочаров Алексей Юрьевич

Свинцов Дмитрий Александрович

Даты

2024-12-11Публикация

2024-03-12Подача