Способ магнитной дефектоскопии и устройство для его осуществления Советский патент 1983 года по МПК G01N27/72 

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано для обнаружения дефектов в ферромагнитньох изделиях во всех отраслях машиностроения. Известен способ определения дефе тов в изделиях, заключающийся в том что изделие намагничивают и регистрируют магнитные потоки рассеяния от дефекта в изделии путем взаимодействия их с потоком электрически заряженных частиц. Способ осуществляется устройством, содержащим корпус, катод, два анода и схему для подключения устройства к источнику питания| 1. Недостатком способа является 1Л1зкая чувствительность к дефектам с малым раскрытием и глубиной. Недостатком устройства является ассиметричность конструкции, что пр водит к понижению чувствительности По основному авт.св. № 913224 из вестен способ магнитной дефектоскопии, заключающийся в том, что изделие намагничивают и регистрируют магнитный поток рассеяния, обусловленный дефектами намагниченного изделия, над поверхностью намагниче ного изделия посредством газового разряда создают токонесущий слой плазмы, определяет распределение тока в пЛазме и по нему определяют магнитные потоки рассеяния. Газовый разряд над поверхностью изделия создают с помощью плоской газоразрядной ячейки, давление в ко торой меньше мм ртутного столба а ток разряда не превышает 1 мЛ, перемещаемой по поверхности контро лируемого изделия. Устройство для магнитной дефекто скопии содержит корпус, катод и д анода, катод выполнен штыревым, а аноды протяженными и соединены по дифференциальной схеме . Недостатком способа и устройст является низкая чувствительность к дефектам малых размеров из-за налич высокого шумового уровня газоразряд ной плазмы устройства. Цель изобретения - повышение чув ствительности при контроле изделий из ферромагнитных материалов. Цель достигается тем, что согл но способу магнитной дефектоскопии в плазме создают локализованный участок с высокой магнитной проводимостью и распределение тока определяют на этом участке. При этом устройство для магнитн дефектоскопии снабжено магнитным концентратором в виде стержня из ферромагнитного материала, закрепл ного в корпусе вблизи анодов. На фиг. 1 представлена схема уст ройства i на фиг.2 - схема осуществ ления способа. Устройство содержит газоразрядную ячейку с корпусом 1, установленные в корпусе электроды - штыревой катод 2и два линейно протяженных дифференциально соединенные анода 3 и 4. Вблизи анодов 3 и 4 размещен магнитный концентратор в виде стержня 5 из ферромагнитного материала. Электроды служат для получения необходимого разряда, посредством которого над поверхностью намагниченного изделия 6 с дефектом 7 создают токонесущий слой 8 плазмы. Между штыревым катодом 2 и анодами 3 и 4 подключены соединенные последовательно блок 9 питания и ограничивающий разрядный ток 1р резистор 10. К анодам 3 и 4 подключены резисторы 11 и 12, которые являются наружными плечами измерительного моста ( два внутренних плеча измерительного моста образуют разрядный промежуток в газоразрядной ячейкеJ. Таким образом, линейно протяженные дифференциальные аноды 3и 4 одновременно выполняют две функции: они служат для получения необходимого разряда в газоразрядной ячейке и для измерения распределительных в нем токов. Разностный ток в диагонали моста регистрируется с помощью индикатора 13. В разрядном промежутке около дифференциально соединенных анодов 3 и 4 размещается магнитный концентратор магнитного поля, образуя локализованный участок 14 с более высокой магнитной проводимбстью. Способ реализуется следующим образом. В газоразрядной ячейке с помощью блока 9 питания создается токонесущий слой 8 плазмы, который распределяется между электродами. Для измерения магнитных потоков рассеяния газоразрядная ячейка устанавливается так, что слой 8 плазмы параллелен поверхности .намагниченного изделия 6, а магнитный концентратор магнитного поля находится над поверхностью намагниченного изделия 6 со слоем 8 плазмы. Перемещая ячейку с плазмой над поверхностью намагниченного изделия б в направлении X улавливают магнитные потоки рассеяния изделия б от дефекта 7, которые воздействуют на токонесущий слой 8 плазмы в ячейке по нормали к нему. Под воздействием магнитных потоков рассеяния заряженные частицы в плазме смещаются относительно дифференциально смонтиро-ванных анодов 3 и 4. Это приводит к -перераспределению плотности токов магнитопроводящем локализо-. ванном участке 14, где расположены аноды 3 и. 4. По отношени{о к электродам магнитный поток рассеяния, сконцентрированный концентратором и деформи-.

руемый при смещении изделия, пронизывает плазму ассиметрично.

Вследствие этого происходит такое же перераспределение разрядных .токов в цепи резисторов 10 и 11. В результате, в диагонали мостовой схемы возникает TOK Iразбаланса, который регистрируют индикатором 1.3. По -величине тока di судят о величине магнитных потоков рассеяния и о хаI

рактере и местоположении дефектов в материале изделия 6.

Изобретение позволяет получить более высокий уровень разрешающей способности при выявлении локальных, зон структурной неоднородности и дефектов ( в том числе подповерхностных } с малым раскрытием и глубиной.

1. Способ магнитной дефектоскопии по авт.ев 913224, л и- чающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в плазме создают локализованный участок с более высокой магнитной проводимостью и распределение тока определяют на этом участке. , 2. Устройотво для магнитной дефектоскопии по авт.св. 913224, о т л и ч а ю щ е .е с я тем, что оно снабжено магнитным конденсатором в виде стержня из ферромагнитного материала, закрепленным в корпусе вблизи анодов. // с/1 9 с &1 ff со 4а