Газоразрядная индикаторная панель Советский патент 1983 года по МПК H01J17/49 

эо ч

1. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПА-НЕЛЬ, сяаержаюая верхнюю и нижнюю аиэпектричесхие пластины, ортогональные системы электродов, образу-юпгае в перекрестьях ячейки тщккаиии, в . фокусирующую систему, отличающаяся тем, что, с цепью расширения области применения, повышения яр кости и уменьшения искажения изображения, фокусирующая система размещена между верхней диэлектрической пластиной и системами электродов, при атом ее фокусирующие элементы расположены над ячейками индикации. 2. Панель i п. 1, о т л и чающаяся тем, что фокусирующая сиотема выполнена в виде перекрещивак щихся систем цилиндричесжих линз.

л в 1 лллА1гЧf оо

, . о-оо

Ч,

иг.1 О- Os.с Изобретение относится к технике газо разрядных приборов и может быть иен пользовано при конструировании газоразрядных индикаторных панелей, cnoco6Hbii воспроизводить знакографические и полутоновые изображения. Известна газоразрядная индикаторная панель (ГИП), содержащая диэпектричесн кие пластины, на которые нанесены две ортогональные систеьв 1, электродов. ГИП позволяет воспроизводить различные виды информации Г1J. Недостатком этой ГИП Является невоз можность осуществления подсветки на-, кладываемых мнемосхем, что сужает ее функциональные возможности. Наиболее близкой к предлагаемой по технической сувшости является ГИП, содержащая верхнюю и нижнкяо лвэлектри.. ческие пластишл, ортогональные системы электродов, образующие в перекрестБох ячейки индикации, и фокусирующую . Недостатке этой ШП является невоз можность осуществления подсветки мнемосхемы, что сужает её функциональные возможности. Цель изобретешш -.расширение области применения, повышения яркости и уменьшения искажения изображения. Поставленная цель достигается тем, что в ГИП, содержащей верхнюю и нижнюю диэлектрические пластины, ортого нальные системы электродов, образующие в перекрестьях ячейке индикации, и фикскрующую систему, последняя размещена между верхней диэлектрической пластино и системами электродов, тфи этом фоку сирующие элементы расположены над яче ками индикации. Фокусирующая система мохсет быть выполнена в виде перекрещивающихся систем цилиндрических . Фокусное расстояние линз выбирается из соотношевня d , где F - фокусное расотояниё линз; d - расстояние между электродами; Р - толщина верхней пластины. На фиг. 1 изображена ГИП; на фиг. 2 то же, вид сверху; ва фиг. 3 - пршшип фокусировки; на фиг. 4 - ГИП с цилиндрическими линзами; на фиг. 5 - то же, вид сверху; на фиг. 6 - принцип фокуса РОБКИ цилиндрическими линза1гл ; на фиг.7 участок мнемосхемы, вид сверху. Гип содержит верхнюю 1 и нижнюю 2 диэлектрические пластины, ортогональные системы электродов 3 (аноды) н 4 (катоды) образующие в перекрестьях ячейки 5 индикации, систему 6 с фокусирующими элементами 7, которые расположены над ячейками 5 индикации. Между электродами 3 и 4 помещена матричная решетка 8 с отверстиями 9, электроды 3 и 4 и отверстия 9 матричной решетки образуют ячейки 5 индикации. Фокусирующие элементы 7 расположены против перекрестий электродов 3 и 4. ГИП работает следующим образом. На требуемые электроды 3 и 4 по дается разнополярное импульсное Hanpisжение, в результате чего возбуждается свечение в соответствующих ячейках и дикации. Элементы 7 фокусируют световой поток ячейки индикации на мнемосхеме 1О, накладываемой m поверхность пластины 1, Принцип фокусировки поясняется на фиг. 3, где применяются следующие обозначения: 11 - источник света (ячейка индикации)} 12 - фокусирующий элемент (динаа); 13 - световой конус ячейки и дикации, фокусируемый на мнемосхеме; 14 - верхняя защитная пластина; 15 преломленный в защитной пластине световой конус, выходящий за.прелелы фокусИ- сирующего элемента 12. При отсутствии фокусирующего элемента 12 распределение яркости (qt) мнемосхемы, положенной на верхнюю пластину ГИП, имеет вид кривой 16. Участок с максимальной яркостью рао положен над ячейками индикации 11. Oftнако по мере удаления от ячейки яркость изменяется плавно, и точное местоположение подсветки невозможно. Расположенный над ячейкой индикации фпемент 12 фокусирует световой поток, падающий на этот элемент на участке ав, если источник света расположен в фокусе элемента 12, а интенсивность подсветки мнемосхемы имеет вид кривой 17 над ячейкой индикации и кривой 16 (за исключением участка, обозначенного штри-ховой линией), как видно, подсветка на участке над ячейкой индикации значительно выше паразитного фона (сплошной участок кривой 16) и имеет четкие границы. Если источник помешен между фоку сом и двойным фокусом 12, то интенсивность подсветки мнемосхемы на участке над ячейкой индикации будет еще больше, (кривая 18), а площадь ее меныие. В спучае выполнения основы фокусиI рующей системы 6 (фиг. 1) из непрозрачного материала паразитный фон (сплошной участок кривой) практически отсутствует. Растворим другой вариант выполнения ГИП (фиг. 4). ТИП содержит верхнюю диэпектричес кую ппа стину 1 и нижнюю диэлектричео кую пластину 2, между которыми поме щены две системы электродов 3 и 4, расположена матричная решетка 8, образованная диэлектрическими волокна1ми ; 19 и 20, вынесенными за пределы ячеек индикации. Фокусирующая система образована цилиндрическими линзами 21 и 22, расположенными вдоль электродов систем таким образом, что перекрестья цилиндрических линз расположены против перекрестий электродов. Весь пакет скреплен диэлектрическим волокнами 23. Такая конструкция ГИП наиболее технологична, так как может, быть изготовлена методом плетения на ткашсих станках. Принцип фокусировки сжетсвого излучения ячеек ЭТОГХ5 варианта ГИП продемонстрирован фиг. 6, где обозначено: 11 - индикаторная ячейка; 24 - поп&реч юе сечение цилиндрической линзы 21 (фиг. 5); 25 - попереч1юе сечение пилиндрической литаы 22 (фиг. 5); 16-1 и 16-2 - распределение яркости мнемосхемы по площади 1ФИ отсутствии фоку свруюшей системы; 26 - распределение яркости на участке мнет юсхемы, располо женной над индикаторной ячейкой. в Особенность фокусировки светового излучения ячейки заключается в следующем. Цилиндрическая линза (фиг. 6) фокусирует излучение в плоскости, перпендикулярной ее длине, н тшеет вид сплошного участка кривой 16-1, Е,, Е, FQ, F т.е. в этой плоскости фокусировка проис ходит как и в предыдущем случае. В плоскости, проходящей вдоль цилиндричес кой линзы 21, фокусировки излучения не происходит.. В этой плоскости излучение фокусиру ется цилиндрической линзой 22 аналогично, как и в предыдущем случае. Суммарная фокусировка ортогонально расположенными цилиндрическими линзами дает распреде 1ение яркости излучения по плоскости мйемосхемы изображенной фигурой, в основании которой лежит квадрат (или прямоугольник) АВСВ, а абсо лютная величина этой яркости ограничен Hd поверхностью 26. Паразитный фон, вызываемый несфокусированным излучением ячейки, занимает поверхность, лежащую вне квадрата и быстро убывающую по мере удаления от него. Абсолютное значение этой яркости ограничено поверхностью Д В С ц . Участок мнемосхемы, лежащего над ячейкой индикации, изображена фигурой ABCD , а паразитный фон пежит вне участка АоВоСдВо . Максимальная интенсивность этого фона для реальных конструкций ГИП может быть оценена вз следующих величии: тол щииа защитного стекла 5 мм, расстояние между ячейкой индикации и цилиндрической линзой. 0,5 мм. Пусть интенсивность светового излучения, падающего на линзу равна 1. Известно, что интенсивность ненаправленного источника излучения обратно пропорциональна квадрату расстояния, следовательно, даже без учета косинуса угла падения интенсивность фона составит (-) 0,01 от интенсивности подсвечиваемого участка АВСТ) . Фокусное расстояние линз выбирается из следующих соображений. В ряде конструкций ГИП, в особе ° с люминофором, протяженность ; излучающей части расположена между электродами и занимает все это расстояние. Для. того, что&л сфокусированное на мнемосхему свече1 ие ячейки заниматю длину не более пгага ячеек необходимо, чтобы источник излучения находился межд5ъ фокусом и двойным фокуссм, а в случае, когда .протяженность цстрчтвка равна об.фокусное расстояние (F) должно &JTb не меньше ОСС другой стороны сфокусированное изображение ячейки на мнемосхему отстоит от линзы на расзстояние не меньше толшины верхней защитной пластины, равной j) Из условия того, что изображение ячейки на мнемосхеме должно быть не больше шага этих ячеек (условие, дри котором не происходит слияния двух рядом горящих точек), фокусное расстояние линз F должно ть не больше 2 D , ;, следовательно, (3 F tS 2Р. Интенсивность подсветки вюжет быть уменьшена путем введения светопоглощающего материала в волокна 19 и 20 (фиг. 3). Предлагаемое изобретение целесообразно использовать в системах, требующих отображения оперативной изменя1ощейся информации на фоне постоянной. например, отображение информации о течвопогическом процессе на фоне мнемосхемы объекта. По предлагаемому изобретению можно создавать ГИП как постоянного, так и переменного тока, а также индикаторы, построенные на иных принципах: эпектроФ/у Р пюминесиентно1е, жидкокристаллические и др. Использование предлагаемого изобретения позволяет создать индикаторы практически любых размеров с высоким разрешением, с возможностью отображ&ния оперативной информации на фоне статической. /1 /ЛГ /ТУ ЧР р Ч1Р /т /т /ТУЧР 17 Р /UN /у чВ7 Р /

/

/5

(//г.Ч

If

IT