Накопитель для запоминающего устройства Советский патент 1983 года по МПК G11C11/14 

ее

ГС

4

сс Изобретение относится к вычислительной Т8 ;нике и может быть исполь зовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилин дрических магнитных доменах (ЦКД). Известеннакопитель для запоминаю щего устройства, содержащий слой маг нитоодноооного материала, на котором расположены изолированные друг от др га двухслойные проводники с .периодически чередующимися отверстиями, образующими регистры хранения и канал ввода-вывода информации 1. Недостатком этого накопителя явля ется низкая-надежность. Наиболее близким к предлагаемому является накопитель для запоминающег устройства,который содержит слой магнитоодноосного материала,на котором расположены регистры хранения и канал 5 Еода-вывода информации, выполненные в виде отдельных изолированных друг от друга двухслойных проводников с периодически чередующимися отверсти ями и торцовыми вырезами, В дг1нном Накопителе обмен информацией между регистрами хранения и каналом вводавывода информации осуществляется через переход г коаорый выполнен в виде: периодически чередующихся отверстий , Отверстия перехода, одного слоя смещены на 0,25 периода относи тельно отверстий другого слоя,. От---; верстия регистров хранения и канала ввода-вывода ЦМД, сопряженные с переходом, выполнены в разных слоях соосно наложенными друг на друга и имеют разные размеры з каждом из слоев соответственно 1,2. Недостатком такого накопителя является разрушение информации в гистрах хранения при считывании. Цель изобретения - повышение надежности накопителя и повьиение быстродействия путем неразрушающего считывания информации. Поставленная цель достигается тем, что в накопитель для запоминающего устройства, содержащий слой магнитоодноосного материси;а|, на котором расположены регистры хранения и канал вводг1-вывода информации, вы полненные в.виде отдельных изолированных друг от друга двухслойных . проводников с периодически чередующимися отверстиями и торцовыми вы- , езами, ,содержит на слое магнитоодн ,осного материала репликатор ЦМД, вы полненный в виде двухслойного проводника, в торцах которого выполнены вырезы, совмещенные с торцовыми вырезами в д}зухслойных проводниках регистров .хранения и канала вводавывода информации, причем соответст вующие стороны торцовых вырезов в о дельных слоях двукслойного прюводни ка репликатора ЦМД со стороны двухслойного проводника канала вводаывода информации выполнены пересекающимися . На чертеже .изображена конструкция предлагаемого накопителя для запоминающего устройства. Накопитель содержит канал. 1 вводавывода информации, регистр 2 хране ния информации и репликатор 3 ЦМД, выполненные s виде изолированных друг от друга двухслойных проводников соответственно l и l, 2 и 2, З и 3, расположенных на слое магнитоодноосного материала 4. Регистр 2 храневия информации выполнен в виде периодически чередующихся отверстий 5 и б в проводниках 2 и 2. Отверстия 5 сдвинуты относительно отверстий б на четверть периода. На торцахпроводников 2 и 2, обращенных к репликато- ру 3, выполнены вырезы и 8, 9и 10, совмещенные с вырезами ти з, iff в проводниках репликатора З, и з образуя отверстия 7-10. На других торцах проводников репликатора З и Г со стороны канала 1 ввода-вывода информации также выпалены вырезы 11 и 12, совмещенные с вырезами 12, выполненными в проводниках канала 1 ввода-вывода ЦМД l и 1, образуя от- верстия 11 и 12. Причем сторона выре- за И репликатора 3, обращенная к регистру хранения, .выполнена пересекающейся относительно соответствуиадей стороны выреза 12 „ в проводниках 1 и 1 канала 1 ввода-вывода выпол нены периодически чередующиеся отверт стия 13-16, по сторонам которых перемещаются ЦМД 17. Устройства генерации и детектирования доменов, а также внешние управляющие устройства на чертеже условно не поназаны. Работа накопителя основана на взаимодействии ЦМД с локальньлми магнит ными полями,создаваемыми протекающим по проводникам током на сторонах отверстий 5-16. ЦМД 17 зарождаются вканале 1 ввода-вывода, и за счет подачи в проводники 1 и l двухфазных разнополярных импульсов продвигаются по сторонам отверстий 13-16 вдоль канала 1 ввода-вывода информации. Ввод ЦМД 17 в регистр 2 хранения информации осуществляется с верхней стороны отверстия 13 канала 1 ввода-вывода информации.- В проводни л. l и l подаются двухфазные разнополярктсзе импульсы тока и ЦИД 17 Яоследовательно перемещается к нижним стоpoHcLM отверстий 14 и 13 и далее, к вырезам .При подаче двухфазных разнополярных импульсов тока в пррводниках Зи з ЦМД перемещается к вырезу 12 после чего импульсы тока подаются в проводники 2 и 2 регистра 2 хранения информации. ЦМД 17 под воздействием импульсов .тока перемещается последовательно к сторонам отверстий 9 и Ю , 9 и ю . На этом операция ввода ЦМД в регистр 2 хранения информации заканчивается. Поиск адреса осуществляется подачей л|вухфазных разнополярных импульсов тока в проводники 1 и 2 3 и 1, , 2 и З . При этом ЦМД от выреза 7 последовательно перемещается к вырезам 8 , , 8, 11, 12 , Э ,. 10 , 9 , 10 и т.д. Неразрушающее считывание информации в накопителе осуществляется следующим образом. От выреза ЦМД 17 перемещается к вырезам 8 , 7,-8, И , 12 при подаче токовых импульсов в проводники 1 и 1 , и 2 и 2, З .и 3.. При протекании тока соответствующей лярности по проводнику 3 ЦМД зани- , мает место в правом- нижнем углу выреза 12 . При этом повьзшают величину тока в проводнике 3 благодаря чему ЦМД растягивается в полосовой домен вдоль стороны выреза 12 . При поддержании неизменным тока в проводнике 3 в проводники l, 2 и З подают ток соответствующей полярности, притягивающий домен к вырезам 11 и . При этом полосовой домен расположится перпендикулярно стороне выреза 11 , а концы его расположатся у вырезов И и 9. Дополнительное повышение тока в проводнике .з обеспечивает подъем локального магнитного поля у соответствующей стороны выреза 11, который вызывает коллапс центральной части полосового домена. В результате образуются два домена, находящиеся . в магнитных ловушках у вырезов И и 9. При дальнейшем поступлении импульсов тока нормальной амплитуды ЦМД, находящийся у выреза 9 репликатора 3, перемещается к вырезам 10, 9 и 10 и далее в регистр 2 хранения информации, а ЦМД - реплика, находящийся у выреза 11 , перемещается к вырезу 12 нижним сторонам отверстий 13 и 14, верхним сторонам этих же от верстий и далее вдоль-сканала 1 вводавывода информации к устройству детектирования. В режиме считывания информации с разрушением ЦМД 17, находящийся у выреза 7 , при подаче импульсов тока в проводники 1 и 2, -Зи l,, 2 и перемещается последовательно к вырезам 8 , ;7 ,8 ,ll и 12 .Затем ЦМД растягивается и разделяется на два,аналогично неразрушающему считыванию,ЦМД, находящийся у выреза и ,перемещается к вырезу 12 ,а ЦМД,находящийся у выреза 9 , перемещается к вырезу 10. При этом в проводники з подают токи повышенной амплитуды и противоположного направления,и соответствующей полярнос.ти, приводящей к повышению локального, магнитного поля у вырезов 9и соответственно к коллапсу ЦМД находящегося в центре отверстия 9 у выреза 10 , что соответствует разрушению информации в регистре 2. При подаче импульсов тока обычной амплитуды в проводники 1 .и 2 , з.и l , 2 и 3 ЦМД-реплика перемещается к БЫ резу 12, нижним сторонам отверстий 13 и 14, верхним сторонам этих жв отверстий и далее вдоль канала 1 ввода-вывода в устройство детектировггния. Накопитель позволяет осуществить разрушение информации по заданному адресл без ее считываний. Для этого ЦМД, который необходимо сколлап сировать, перемещается к вырезу 10 после чего Б проводники 2 и З подаются токи повышенной амплитуды и противоположного направления, аналогично режиму считывания с разрушением. В результате ЦМД, находящийся у выреза 10, коллапсирует, что приводит к разрушению информации в регистре 2 хранения. Использование предлагаемого накопителя позволяет, повысить надежность и быстродействие ЗУ за счет исключения операции перезаписи информации при неразрутиающем считывании.

0-Г

-16

J

НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий слой магнитоодноосного материала, на котором расположены регистры хранения и кан.ап ввода-вывода информации, выполненные в виде отдельных изолированных друг от друга двухслойных проводников с периодически чередующимися отверстия ми и торцовыми вырезами, о т л и чающийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя и повышения быстродействия путем нераз.pii-TJaioL-jero считывания информации, он со.аержит на слое магнитоодноосного материала репликатор цилиндрических магнитных доменов, выполненный в виде двухслойного проводника, в торцах которого выполнены вырезы, совмещенные с торцовыми вырезами в двухслойных проводниках регистроё хранения и канала ввода-вывода информации, причем соответствующие стороны торцовых вырезов в отдельных слоях двухслойно-, го проводника репликатора цилиндриS ческих магнитных доменов со стороны а с двухслойного проводника канала вводавывода информации выполнены пересек а иди ми с я .