Устройство для моделирования входных характеристик транзистора Советский патент 1983 года по МПК G06G7/62 

вя

Г)

4 :0

СО

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА, содержащее переменный резистор, первый транзистор, коллектор котороро соединен с базой второго транзистора, коллектор которого подключен к эмиттеру первого транзистора, о тличающееся тем, что, с целью повышения точности,в него введены резистор температурной компенсации и дополнительный транзистор, эмиттер и база которого объединены и через резистор температурной компенса ции подключены к базе первого транзистора , эмиттер которого соединен с базой дополнительного транзистора |и является эмиттерным выводом устройства, базовый вывод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора и с базой первого транзистора, коллектор которого подключен к первому выводу переменного резистора, g второй вь№од которого подключен к W эмиттеру второго транзистора и является коллекторным выводом устройства.

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а точнее к области исследования и измерения параметров транзисторов, и может быт использовано для анализа работоспособности радиоэлектронных устройств в условиях повыиенной температуры. Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее операционные усилители, переменный резистор и транзистор. Это устройство позволяет моделироват ияменение коэффициента передачи по току транзистора l . Недостаток устройства заключается в том, что точность моделирования определяется точностью совпадения парноподобных транзисторов. Кроме того., устройство не обеспечивает одновременное изменение входного сопротивления и коэффициента передачи по току, что не позволяет моделировать поведение транзистора при повышенной температуре. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее транзистор, в эмиттерную цепь которово вклкзчен переменный резистор, а (Также дополнительный транзистор, в базу которого включена диодно-резистивная цепочка, резистор которойи нижний вывод переменного сопротивления объединены с эмиттером составного транзистора 2 . Недостаток известного устройства заключается в неточности имитации входной характеристики изгза наличия в цепи Е-Э двух р- ц переходов. Цель изобретения - повьпиение точности моделирования входных характеристик моделируемого транзистора в области повышенной температуры. Поставленная цель достигается тем, что в устройство, содержащее переменный резистор, первый транзистор, коллектор которого соединен с базой второго транзистора, коллектор которого подключен к эмиттеру первог транзистора, введены резистор температурной компенсации и дополнительны транзистор, эмиттер и база которого объединены и через резистор темпера турной компенсации подключены к оазе первого Транзистора, эмиттер которого соединен с базой дополнительного транзистора и является эмиттерным Выводом устройства, базовый вь1вод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора и с базой первого транзистора, коллектор которого подключен к первому выводу переменного резистора, второй вывод которого подключен к эмиттеру второго транзистора и является коллекторньтм выводом устройств.а, На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство. Устройство содержит транзисторы 1 и 2, дополнительный транзистор 3, переменный резистор 4, резистор 5 температурной компенсации. Устройство работает следующим образом. Составной транзистор, состоящий из транзисторов 1 и 2;служит для имитации коэффициента усиления транзистора Р с ростом температуры. Транзистор 3 совместно с переменным резистором 4 служит для имитации изменения входной характеристики транзистора под действием температуры. Переменный резистор 5 предназначен для установки требуемого коэффициента усиления по току р . Подбирая значения резистора 4, можно установить требуемое для данной температуры положение входной характеристики транзистора. Нужное для данной температуры значение устанавливается движком переменного резистора 5. В данном случае исходное значение р является . максимальным и равным приблизительно произведению коэффициентов усиления транзисторов 1 и 2, т.е./1 /3(2 где р - коэффициент усиления транзистора 1; /3 - коэффициент усиления по току транзистора 2, Под действием температуры происходит сдвиг входной характеристики влево. Преимущество использования темпе-, рат урной физической модели транзистора состоит в том, что на исследуемую схему накладываются ограничения по габаритам, в то время как температурная камера накладывает подобные ограничения.