Устройство для моделирования биполярного транзистора Советский патент 1986 года по МПК G06G7/62 

1 П5

Изобретение относится к радиоэлектронике, точнее к исследованию и измерению параметров транзисторов, и мо- может быть использовано для анализа работоспособности радиоэлектронных 5 устройств в условиях понижения температуры.

Целью изобретения является повышение точности моделирования входной характеристики при пониженной темпера- О туре путем улучшения ее линейности в области малых токов,

На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.

15

Устройство для моделирования биолярного транзистора содержит два усилительных транзистора 1 и 2 (разного типа проводимости) и токозадаю- щий переменный резистор 3, одновре- 20 менно включенный в базовые цепи усиительных транзисторов, эмиттер усилительного транзистора I является базовым выводом устройства, коллектор усилительного транзистора 1 и эмиттер 5 усилительного транзистора 2 объединены и образуют эмиттерный вьшод устройства, а коллектор усилительного транзистора 2 является коллекторным вывоом устройства,30

Устройство работает следующим обазом.

Усилительный транзистор совместно с переменным резистором 3 служит для моделирования уменьшения коэффициента передачи транзистора 2 (параметры которого подлежат моделированию) по току при уменьшен ии температуры. Входной ток устройства Г, является суммой эмиттерного тока Ig, транзистора I и тока 1 через резистор 3, а ток 1 определяется разностью базовых токов и 1 транзисторов 1 и 2.

Коэффициент передачи устройства

по току кг J выраженный через .

зодые токи и коэффициенты передачи усилительных транзисторов, определяZJ

выражением

-ЧГ

| а

И зависит

от соотношения токои

5,

-г- ,которое, в

$2

,

свою очередь, определяется величиной сопротивления резистора 3,

При сопротивлении резистора 3R-О TOKlg.OM р устройства равно значению коэффициента передачи ft транзистора 2, а при токи 15-, и коэффициент передачи устройства становится равным Tip

-р-Эмиттерный переход германиевого транзистора 1, включенный последовательно с базой транзистора 2, создает дополнительное напрялсекие между базой и эмиттером устройстве и тем саг-гым имитирует увеличение напряжения Ug-, при уменьшекии температуры.

Для создания устройства могут быть использованы серийные транзисторы.

Форму J и 3 о б р е т е и и к

Устройство моделированял би- голярного транзис;тораj co/j,epjKan;ee два усилительных транзистора и токо- задающий переменный резистор, один вывод которого подключен к базовому выводу устройства, другой вьшод то- козадающего переменного резистора соединен с базой первого усилительного транзистора, коллектор и эмиттер второго усилительного транзистора являются соответственно коллекторным и эг-гиттермым выводами устройства, отличающее с я тем, что, с це.гью повьшения точности моделирования входной характеристики при пониженной температуре, в нем эмиттер первого усилительного транзистора соединен с базовым выводом устройства , коллекаор первого усилительного транзистора, подкл)чен к эмиттерному выводу устройства., базы первого к второго транзисторных усилителей объединены,

Редактор К.Волощук

Составитель И.Дубинина

Техред О,Сопко Корректор И.Муска

Заказ 4414/48Тираж 671 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная,4

Изобретение относится к области радиоэлектроники и электронной техники и может быть использовано на любом предприятии, занимающемся исследованием и прогнозированием работоспособности радиоэлектронной аппаратуры на биполярных транзисторах в условиях пониженной температуры. Цель изобретения - повьшение точности моделирования входной характеристики при пониженной температуре путем улучшения линейности. Новым в устройстве для моделирования биполярного транзистора является то, что структура устройства представляет собой последовательное соединение базоэмит- терных переходов усилительных транзисторов разного типа проводимости, что позволяет уменьшить количество элементов схемы устрюйства по сравнению с прототипом. 1 ил. (Л го ел ю со