Коллектор вторичных электронов растрового электронного микроскопа Советский патент 1983 года по МПК H01J37/244 

Изофетение относип:я к электронаооптическое п{Л1бсфостроенвю, в частности к коллекторам вторичных электронов электромно-вондовых приборов, например растровых электронных микроскопов (РЭМ Известен коллектор вторичных элйкт ; ронов растрового электронного микрсскопа, содержавши сцинтшшятор с входным ОКН.ОМ, размешенный сбоку над исследуемым объектом-и подключенный к блоку преобразования сигнала 1 . Недостатком коллектора является зависим осп величины сигнала медленных вторичньтх электронов с объекта от положения объекта и величины магнитного поля формирующей линзы РЭМ, Это приводит к снижению отношения сигнал-шум в сигнале медленных вторичных электронов с объекта и к снижению достоверности исследований в РЭМ, Кроме того, боковое расположение сцинтиллят(Ч)а относительно объекта оказывает отклоняющее воздействие на первичный пучок. Известен также коллектор вторичных электронов, содержащий экранированный сцинтиллятор с плоским входным окном, размещеннь1й сбоку от о.бъекта и снабжен . ный механизмом перемещения вдоль объе та, и блок преобразования сигнала, подключенный к выходу сцинтиллятора. Коялектор обеспечивает некоторое уравнива:ние величины сигнала медленных вторичных электронов с объекта, в зависимости от положения сцинтиллятора, за счет перемещения сцинтиллятора и умень шения влияния поля сцинтиллятора на первичный пучок путем экранирования сцинтиллятора {2j , Однако при регистрации медленных вторичных электронов с объектов с развитым микрорельефом, например, при индикации меток на интегральных схемах (НС), при исследовании их качества в РЭМ, коллектор также не обеспечивает необходимого (с точки зрения точнослги индикации) отношения сигнал-шум в сигнале медленных вторичных электронов. Это обусловлено тем, что коллектор регистрирует преимущественно : медленны вторичные электронь, вылетевшие из орн ной стороны от исследуемия о элемента микрорельефа, а также быстрые вторичные электроны, поскольку входное окно сцинтиллятора обращено к объекту. Кроме того, имеет место влияние поля маг нитной линзы на медленные вторичные электроны, что также приводит к уменьшению величины сигнала с объекта. Целыр изобретения ятляется повышение точности регистрации за счет увеличения огаошения сигналниум. Указанная цель достигается тем, что коллектор вторичных электронов РЭМ, содержащий экранированный сцинтиллятор с плоским входным окном, подключенный к бтзку преобразования сигнала, содержит Д(жолн и тельный Экранированный сцинтиллятор, при этом оба сцинтиллятора установлены симметрично относительно электронно-чдатической оси, а плоскости их входных окон совпадают, с плоскостью, проходящей через указанную ось. На фиг, 1 .показано расположение сцинтилляторов в направлении электронно-оптической , на фиг, 2 - пространственное размещение элементов коллектора. Первый сцинтиллятор 1 имеет входное окно 2 в экране 3, а дополни тель« ный сцинтиллятор 4 - окно 5 в экране 6, Оба сцинти,Ш1Ятора подключены к блоку 7 пресрбразования сигнала. На электронно-оптической оси размещен исследуемый объект 8, Входные окна един тилля торов расположены в одной, проходящей через электронно-оптическую ось РЭМ плоскости 9, Показаны (фиг, 2) также траектории 10 и 11 медленных вторичных элeк ронов, вышедших с разных сторож исследуемой области объекта, итраектория 12 быстрь1х вторичных электронов. Блок 7 преобразования сигнала представляет Собой электронное устройство (например, последовательно соединенные дифференцирукяшй и интегрирующий блок и сумматор), осуществляющие обработку сигнала с каждого из сцинтилляторов и последующее суммирование их значений по абсолютной величине в заданных соотношениях. Устройство работает следующим обраavM. Под действием движущегося сфокусированного пучка электронов объект 8 эмитирует медаеНные и быстрые вторичные электроны. Медленные вторичные электроны попадаю в магнитное поле линзы и под действием этого поля и электрического поля, сформированного симметрично размещенными относительно электронно-оптаческой си РЭМ сцинтилляторами с экранами, находящимися под нулевым лотенциалом, ДЕ&игаются по спиральным траекториям 10 и 11, Медленные вторичные электроны, вылетевшие под углом сбора входного окна 2 из микронеровности объекта 8 со сторо

КОЛЛЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА, содержащий, экранированный сцинтиллятор с плоским входным окном, подключенный к блоку преобразоъаякя сигнала, отличающийся тем, что, с цепью повышения точности регистрации за счет увеличенир отношения сигнал-члум, он содержит дополнительный экранированный сцинтиллятор, при этом оба сцинтиллятора установлены симметрично относительно электронно-юптической оси, а плоскости их входных окон совпадают с плоскостью, проходтцей через указанную ось. (Л о in 35 СлЭ СО