Генератор синусоидальных колебаний Советский патент 1984 года по МПК H03B5/00 

. Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться для генерирования синусоидальных колебаний, например, в.радиоприемных устройствах. Известен генератор синусоидальных колебаний на транзисторах с подключенными к ним колебательным контуром и источниками питания 1J. Однако в спектре сигнала данного генератора синусоидальных колебаний велик уровень высших гармонических составляющих, Наиболее близким к предлагаемому является генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник постоянного напряжения и три транзисто ра однбго типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединей с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора между эмиттером второго транзистора и эмиттером первого транзистора вклю чен первый резистивный делитель напряжения, отвод которого соединен с базой третьего транзистора, при этом база первого транзистора через резистор соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с общей шиной, а коллектор второго транзистора являет ся выходом генератора синусоидальных колебаний, при этом эмиттер первого транзистора соединен через соответствующий резистор 1C общей шиной, а коллектор третьего транзистора соединен с вторым выводом колебательного контура 2. Однако известный генератор синусоидальных колебаний не обеспечивает достаточной стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний вследствие того, что стабилизация амплитуды производится за счёт изменения напряжения питания частотозадающего транзистора, коллекторная емкость которого (Сц)в значительной степени и нелинейно зависит от напряжения, прикладываемого к промежутку коллектор-база () Крутизна этой зависимости является наиболее высокой при малых значениях , что имеет место в известном генераторе синусоидальных колебаний. Поэтому с изменением температуры окружакщей среды или параметров транзистора от воздействия других факторов схема стабилизации амплитуды вносит дополнительное изменение частоты колебаний. Коэффициент стабилизации амплитуды колебаний при этом равен коэффициенту усиления третьего транзистора. Цель изобретения - повышение стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний. Поставленная цель достигается тем, что в генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник по-; стоянного напряжения и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго, транзистора и эмиттером первого транзистора включен первый резистивный делитель напряжения, отвод которого соединен с базой третьего транзистора, при этом база первого транзистора через резистор соединена с эмиттёром второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с об- щей шиной, а коллектор второго транзистора является выходом генератора синусоидальных колебаний, введен, дополнительный транзистор того же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с общей шиной, выход источника постоянного напряжения соединен с вторым выводом колебательного контура, и между точкой их соединения и общей шиной введен второй резистивный делитель напряжения, при атом коллектор третьего транзистора и базia дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и вторым отводами второго резистивного делителя напряжения, которые через соответствующие введенные конденсаторы соединены с общей шиной. На чертеже представлена структурная электрическая схема генератора синусоидальных колебаний. Генератор синусоидальных колебаний содержит первый второй, третий и дополнительный транзисторы 1, 2, 3, 4, кондёнсатоЕяа 5-8, первый и второй рёзистивиые делители 9 и 10 напряжения, параллельный колебательный контгур 11, резистор 12, источник 13 постоянного напряжения. Генератор синусоидальных колебания работает следующем образом. Резисторы резистивного делителя 9 выбраны таким -образом, что при отсутствии колебаний третий транзистор 3 закрыт и не влияет на условия самовозбуждения автогенератора с внутренней связью, выполненного на транзисторах 1, 2 и 4. При отпирании третьего транзистора 3 увеличение амплитуды колебаний Автогенератора приводит к возрастанию тока третьего транзистора 3, что приводит

ГЕНЕРАТОР СИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙг содержащий источник постоянного нсшряжения и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, вторс вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго.транзистора и эмиттерсям первого транзистора включён лервый резистивный делитель на- . пряжения, отвод которого соединен с базой третье1 о транзистора, при этом база первого транзистс а через резистор Соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединён с общей шиной, а коллектор второго транзистора является выходом генератора синусоидальных колебаний, о т л и ч а ющи и с я- тем, что, с целью повышения стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний/ R него введен дополнительный транзйстйр того же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с общей шиной, выход источника постоянного напряжения соединен с вторым выводом колебательного контура, и между точкой их соединения S и общей шиной введен второй резистив(Л ный делитель напряжения, при этсчл коллектор третьего транзистора и база дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и /вторым отводами второго резистивного s делителя напряжения, которые через соответствукяцие введенные конденсаторы соединены с общей щиной.