Вихретоковый способ контроля толщины диэлектрических покрытий на немагнитном основании Советский патент 1984 года по МПК G01N27/90 

Изобретение относится к нераэруш щему контролю и может быть использовано для измерения толщины диэлек трических покрытий (зазоров) на эле тропроводящем немагнитном основании Известны способы вихретокового двухпараметрового контроля, заключающиеся в том, что в контролируемо изделии возбуждают вихревые токи, и меряют реакцию на них вихретокового преобразователя (ВТП), определяют изменение реакции при изменении кон ролируемого параметра и подавляют ее изменение при изменении мешающег параметра С 1. Однако отношение полезный сигнал/помеха при этом недостаточно, что ограничивает чувствительность КОНТРОЛЯуказанным способом. Наиболее близким к предлагаемому является вихретоковый способ контроля толиины диэлектрических покрытий на немагнитном основании, за- . ключающийся в том, что вихретоковый преобразователь размещают над контролируемым изделием, включают его в колебательный контур, ударно возбуж дают контур и измеряют парметр переходного процесса - среднее значение амплитуды свободно затухающих колебаний и по нему определяют конт ролируемый параметр C2J. Недостатком способа является понижение точности при изменении элек тропроводности контролируемых изделий. Цель изобретения - повышение точности контроля. Поставленная цель достигается тем, что в вихретоковом способе конт роля толщины диэлектрических покрытий на немагнитном основании, заключающемуся в том, что вихретоковый преобразователь размещают над контролируемым изделием, включают его в колебательный контур, ударно возбуждают контур и измеряют параметр переходного процесса, преобразователь предварительно размещают поочередно над образцами с различной элек тропроводностью, регулируют частоту затухающих колебаний до получения гданимальной разницы результатов измерения декремента колебаний, а в ка честве параметра переходного процесса используют декремент колебаний. На фиг. 1 и 2 изображены годографы вихретокового преобразователя, по ясняющие предлагаемой способ. Годографы контролируемого парамет ,ра - толщины покрытия h (фиг.1) представляют собой пучо линий, близких к прямым и исходящих из точки с коор динатами (.0:1. Годографы мешающего параметра - обобщенного параметра 1Ь близки к дугам окружностей, исходящих из же точки, при этом /3 (j 1 диаметр ВТП; электропроводность основания;магнитная постоянная; выносимое сопротивление; частота колебаний; емкость колебательного контура;. . индуктив.ность колебательного KOHtypa. Отстройку от-измененийэлектропроводности основания (иг.2| обеспечивают перемещениемрабочей точки по гСдографу обобщенного параметра , а именно изменением частоты затухающих колебаний выбирают на годографе /5 рабочую точку А, лежа-, щую ниже точки касания К годографа ;/i касательной ОК, проведенной из начала координат. При незначительном изменении электропроводности основания участок ВС годографа, по которому перемещается рабочая точка, можно считать прямым с наклоном, зависящим от расстояния АК. Еслк из-за изменения электропроводности основания рабочая точка перемещается из точки А в точку В, то имеем отклонение.вв от прямой ОА постоянного отношения -ц-г пропорционального декременту колебаний R/2l, т.е. дополнительное увеличение сопротивления. С другой стороны, из-за увеличения индуктивности имеет уменьшение частоты, а следовательно и сопротивления. Действительно, если при изменении частоты пренебречь перемещением рабочей точки по годографу, fi , ТО вносимое активное сопро- . тивление прямой пропорционально частоте, поскольку по оси обсцисс отложена. величина -(-. Тогда 4( ди)Х-о,5Д1 ((значок S перед соответствующей величиной означает ее относительное приращение при изменении электропроводности контролируемагх изделий). Выбором положения точки А можно добиться взаимной компенсации этих приращений. Используя в качестве измеряемого параметра декремент колебаний R/2L вместо среднего значения напряжения на контуре, легко видеть, что при этом повьниается точность контроля, поскольку измеряется величина декремента колебаний, а не результат интегрирования затухающих колебаний, при котором происходит сглаживание переходного процесса, результат которого в меньшей мер зависит от декремента, а следовательно, и от толщины контролируемого диэлектри

ВИХРЕТОКОВЫЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА НЕМАГНИТНОМ ОСНОВАНИИ, заключающийся в том, что вихретоковый пре.образователь размещают над контроляруемым изделием, включают его в колебательный контур, ударно возбуждают контур и измеряют .параметр переход-, ного процесса, отличающийс я тем, что, с целью повышения точности контроля, преобразователь предварительно размещают поочередно над образцами с различной электропроводностью, регулируют частоту затухающих колебаний до получения минимальной разницы результатов измерения декремента колебаний, а в качестве параметра переходного процесса используют дек{)емент колебаний. СХ) 4i О) Ф