Датчик магнитостатических волн Советский патент 1984 года по МПК G01R21/06 

Описание патента на изобретение SU1091084A1

11 Изобретение относится к твердотельной СВЧ электронике и может быть использовано для высокочувствительно го детектирования магнитостатических колебаний в широком диапазоне длин волн. Известен СВЧ датчик, содержащий четырехслойную пленку, состоящую из металлического слоя, полупроводника р(п)-типа, полупроводника п(р)-тш1а и второго металлического слоя, разме щенную на поверхности среды с магнитостатическими колебаниями, нижняя и верхняя металлические пленки которого служат для подключения измерительной аппаратуры, предназначенный для детектирования магнитостатически колебаний в р-п- переходе 1 . Недостаток датчика - сложность технологии выпол1 ения омических контактов в тонкой металлической пленке низкая чувствительность, определяема малой подвижностью зарядов в полупроводнике, и высокая температурная нестабильность, определяемая свойствами р-п-перехода. Наиболее близким к предлагаемому является датчик магнитостатических волн, содержащий чувствительный слой из полупроводникового материала с электрическими контактами на краях, служащими для подключения измеритель ной аппаратуры 2}. Недостатками известного устройств являются низкая чувствительность и темпёр|1турная нестабильность, опреде ляемые свойствами полупроводникового материала, а также технологические трудности выполнения омических конта тов в месте подключения к полупровод нйковому слою. Цель изобретения - повьщ1ение чувствительности и температурной стабильности при упрощении технологии изготовления. Поставленная цель достигается тем что в датчике магнитостатнческих волн содержащем чувствительный слой с злектрическими контактами на краях. служащими для подключения измерительной аппаратуры, чувствительный слой выполнен из металла и имеет толщину d, удовлетворяющую условию 20 Ч;где п - концентрация свободных электронов в металле; 84 t(t глубина скин-слоя электромагнитной волны в металле на частоте магнитостатической волны. На чертеже схематически изображен датчик магнитостатических волн. Датчик магнитостатических волн содержит чувствительный слой 1 с электрическими контактами 2 и 3 по краям, служащими для подключения измерительной аппаратуры. Датчик работает следующим образом. При размещении датчика магнитостатических вЬлн на поверхности среды с распространяющейся магнитостатической волной поперечное электрическое и магнитное поля магнитостатической волны проникают в чувствительный слой 1, где воздействуют на свободные электроны с силой Лоренца и вызывают движение электронов в направлении распространения волны. Величина возникающего при этом электрического тока регистрируется с помощью измерительной аппаратуры, подключенной к электрическим контактам 2 и 3 на краях датчика. При выполнении чувствительного слоя 1 датчика из металла толщиной меньше скиновой глубины достигается высокая чувствительность детектирования магниТОстатической волны, составляющая десятки мА/Вт, так как ограничение, толщины чувствительного слоя сверху уменьшает экранирующее действие металла на электромагнитные поля внутри него и на границе среда с распространяющейся магнитостатической волной, металл. При создании металлического чувствительнрго слоя 1 толщиной,меньшей скин-слоя, возникают островки неоднородности чувствительного слоя, приводящие к резкому снижению его электропроводности и, как следствие, к понижению чувствительности датчика. Повьшение температурной стабильости датчика обеспечивается высокой емпературой стабильности подвижноси электронов в металле. Упрощение технологии изготовления бусловлено простотой создания электических контактов 2 и 3 с металлиеским чувствительным слоем на его раях.

31091084А

Таким образом, предлагаемый датчик турнойстабильности при упромагнитостатических волн обеспечивает- щениитехнологии изготовлеповьшение чувствительности и темпера- ния.

Похожие патенты SU1091084A1

название год авторы номер документа
Устройство для детектирования сверхвысокочастотных сигналов 1986
  • Высоцкий Сергей Львович
  • Казаков Геннадий Тимофеевич
  • Сухарев Алексей Григорьевич
  • Филимонов Юрий Александрович
SU1364995A1
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЧ-МОЩНОСТИ И ПРЕОБРАЗУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НЕГО 2005
  • Попова Наталья Федоровна
  • Веселов Александр Георгиевич
  • Мещанов Валерий Петрович
RU2295137C1
ФОТОПРИЕМНАЯ МАТРИЦА ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ БАРЬЕРОВ ШОТТКИ С ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ В СУБМИЛЛИМЕТРОВОМ ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН 2006
  • Иванов Владислав Георгиевич
  • Иванов Георгий Владиславович
RU2304826C1
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ГРАНИЧНОЙ ВОЛНЫ ИК-ДЕТЕКТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ, ИК-ДЕТЕКТОР И ФОТОПРИЕМНАЯ МАТРИЦА, ЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ К ИК-ИЗЛУЧЕНИЮ 2006
  • Иванов Владислав Георгиевич
  • Иванов Георгий Владиславович
  • Каменев Анатолий Анатольевич
RU2335823C2
ДАТЧИК 1991
  • Ковалевская Галина Григорьевна[Ru]
  • Мередов Меред Мелеевич[Tm]
  • Руссу Емил Васильевич[Md]
  • Слободчиков Семен Вавилович[Ru]
RU2035806C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВНЕШНЕГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА СРЕДУ ИЛИ ОБЪЕКТ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1993
  • Никитин Петр Иванович
  • Белоглазов Анатолий Анатольевич
RU2021590C1
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С СИММЕТРИЧНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ СИГНАЛОВ СВЧ-ТГЦ ДИАПАЗОНОВ 2011
  • Шашкин Владимир Иванович
  • Востоков Николай Владимирович
RU2477903C1
МЕТАЛЛОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 2014
  • Юркин Василий Иванович
RU2559161C1
Детектор электромагнитного излучения 2023
  • Бочаров Алексей Юрьевич
  • Домарацкий Иван Константинович
  • Кащенко Михаил Алексеевич
  • Кононенко Олег Викторович
  • Мыльников Дмитрий Александрович
  • Сёмкин Валентин Андреевич
  • Свинцов Дмитрий Александрович
  • Шабанов Александр Викторович
RU2816104C1
Двухколлекторный металлополупроводниковый прибор 2016
  • Юркин Василий Иванович
RU2629712C1

Реферат патента 1984 года Датчик магнитостатических волн

ДАТЧИК МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН, содержащий чувствительный слой с электрическими контактами на краях, .служащими для подключения иэмерительной аппаратуры, отличающий с я тем, что, с целью повьппения чувствительности и температурной стабильности при упрощении технологии изготовления, чувствительный слой выполнен из металла и имеет толщину , удовлетворяющую условию , СХ СК где п - концентрация свободных- лектронов в металле; i глубина скин-слоя электромагнитной волны в металле на (Л частоте магнитостатической волны. со а 4;:

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1984 года SU1091084A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Сверхвысокочастотный селективныйдАТчиК 1979
  • Вашковский Анатолий Васильевич
  • Зубков Виктор Иванович
  • Кильдишев Виктор Николаевич
  • Кузнецов Петр Иванович
SU813284A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Медников A.M
и др
Увлечение электронов поверхностной спиновой волной в тонкопленЬчной структуре ЖИГ-n-GaAs
ФТТ, 1981, т
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб 1921
  • Игнатенко Ф.Я.
  • Смирнов Е.П.
SU23A1

SU 1 091 084 A1

Авторы

Бугаев Александр Степанович

Галкин Олег Львович

Гуляев Юрий Васильевич

Зильберман Петр Ефимович

Даты

1984-05-07Публикация

1982-04-23Подача