Способ и устройство для обнаружения дефектов электрофотографического носителя Советский патент 1984 года по МПК G03G13/00 

:о

со о:)

У1

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что эа регламентированный уровень тока зарядки принимается величина тока 0,3-1,0 величины тока при сканирующей зарядке электропроводящей поверхности.

3.Устройство для обнаружения дефектов электроФотографического носителя, содержащее электропроводящую основу для размещения на ней носителя, средство для электрического контакта электропроводящего слоя носителя с основой, измерительную ЕСцепь, соединенную с электропроводящей основой, высоковольтный и низковольтный источники напряжения, одни одноименные полюса которых подключены соответственно к коронирующей

нити электризатора и управляющему лектроду, а другие - к второму RC-цепи,и схему анализа зарядного тока,подключенную к RC-цепи, о тличающееся тем,что,с целью повышения информативности и производительности,схема анализа состоит из пи кового детектора,вход которого через прерыватель подключен к НС-цепи,делиля напряжения, связанного с выходом пикового детектора, блока сравнения напряжений, первый вход которого подключен к RC-цепи, а второй - к выходу делителя напряжения, и регистратора, подключенного к выходу блока сравнения, при этом ,управляющий электрод электризатора выполнен в виде узкой щели,

1. Способ обнаружения дефектов электрофотографического носителя, включающий сканирующую зарядку его поверхности с одновременным измерением тока зарядки, по которому судят о наличии дефек.та, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности, осуществляют предварительную зарядку носителя до уровня, превышающего на 1-100% егорабочий потенциал, после чего проводят сканирующую зарядку до потен-; циала, не превышающего потенциал . предварительной зарядки.§

Изобретение относится к электрофотографии, в частности к области из мерения параметров электроФотографического носителя, и может быть использовано для выявления дефектных мест носителей записи оптической информации, особенно предназначенных для микрофильмирования. Известен способ обнаружения дефек тов электрофотографического носителя включающий сканирующую зарядку его поверхности с одновременным измерением тока зарядки, по которому судят о наличии дефекта. Известно также устройство для реализации этого способа, содержащее электропроводящую основу для размещения на ней носителя, средство для электрического контакта электропроводящего слоя носителя с основой измерительную RC-цепь, соединенную с электропроводящей основой, высоко вольтный и низковольтный источники напряжения, одни одноименные полюса которых подключены соответственно к коронирующей нити электризатор и управляющему электроду, а другие к второму выводу ЕС-цепи и схему анализа зарядного тока, подключенную к ЕС-цепи ij . Недостатк ами известного устройства являются низкая информативност и производительность, а следователь но, и способ характеризуется низкой .информативностью. Цель изобретения - повышение информативности и производительности. Поставленная цель достигается те что согласно способу для обнаружени дефектов электроФотографического но сителя, включающему сканирующую зарядку его поверхности с одновременным измерением тока зарядки, по которому судят о наличии дефекта, предварительную зарядку носителя осуществляют до уровня, превышающего на 1-100% его рабочий потенциал, после чего проводят сканирующую зарядку до потенциала, не превышающего потенциал предварительной зарядки. При этом за регламентированный уровень токозарядки принимают величину 0,3-1,0 величины тока при сканирующей зарядке электропроводящей поверхности. В устройстве для обнаружения дефектов электрофотографического носителя, содержащем электропроводящую основу .для размещения на Ней носители, средство для электрического контакта электропроводящего слоя носителя с основной, измерительную RC-цепь, соединенную с электропроводящей основой, высоковольтный и низковольт ный источники напряжения, одни одноименные полюса которых подключены соответственно к коронирующей нити электризатора и управляющему электроду, а другие - к второму выводу НСцепи и схему анализа зарядного тока, подключенную к RC-цепи, схема анализа состоит из пикового детектора, вход которого через прерыватель подключен к НС-цепи, деЛ 1теля напряжения, связанного с выходом пикового детектора, блока сравнения напряжений, первый вход которого подключен к ЕС-цепи, а второй - к выходу дели.теля напряжения, и регистратора, подключенного к выходу блока сравнения, при этом управляющий электрод электризатора выполнен в виде узкой щели. Во время первой электризации на поверхности слоя осаждаются ионы и слой заряжается. При повторной корон ной электризации зарядами той же полярности ток вторичной сканирующей зарядки через слой определяется зна- чением напряжения на управляющем электроде сканирующего электрйзатора а при напряжении, меньшем или равном потенциалу первичной (однородной зарядке слоя), этот ток практически ра вен нулю. При помещении сканирующего электрйзатора над проводящей подложкой, ток электризации постоянный и обусловлен лишь параметрами электриэатора. При перемещении сканирующего электрйзатора над поверхностью элект рофотох рафического слоя с микродефек тами происходит вторичное корониро- . вание и наблюдаются скачки тока величина которых может превышать величину тока На металл. На фиг. 1 изображены графики последовательностей операции определения дефекта ЭФС; на фиг. 2 - блоксхема устройства для осуществления предложенного способа. На фиг. 1а изображен график изменения тока сканирующего электрйзатора; на фиг. 16 - график напряжения на выходе блока памяти; на фиг. 1в график напряжения на выходе блока де лителя; на фиг. 1г - графики напряжений на входах схемы сравнения; на фиг. 1д - сигналы на входе блока при нятия решения. На фиг. 2 представлена схема предложенного устройства. Устройство для осуществления пред ложенного способа содержит сканирующ щелевой электризатор 1 с коронирующими электродами 2, управляющий элек трод 3, источник высокого напряжения 4 и 5, электрофотографический слой 6 с проводящей подложкой 7 и полупрово никовым слоем 8, металлический держатель 9, ключ 10, блок памяти 11 блок делителя 12, схемы сравнения 13 и блок принятия решения 14. Устройство работает следующим образом. ЭФС 6, помещенный на держателе об разца 9 так, чтобы с проводящей подложкой ЭФС был электрический контаКт предварительно заряжается до потенциала U( на 1-100% больше номинального рабочего значения. Номинальный рабочий потенциал. ЭФС, предназначенный для микрофильмирования, колеблется от -100 до 350 В. Предварительной зарядкой до потенциала U , значение которого превышает номинальный рабочий потенциал, пробиваются электФически слабые места ЭФС и скрытые дефекты становятся видными. На управляющий электрод 3 сканирующего элект,ризатора 1 от источника 5 подается уп- равляющее напряжение Uj, меньшее или равное значению потенциала предварительной зарядки слоя, а на коронирующие электроды 2 сканирующего электризатора подается высокое напряжение с источника 4. Ширина щели в управляющем электроде 3 сканирующего электрйзатора выбирается, примерно, в интерВс1ле 1-10 мм. Расстояние от электрйзатора до поверхности испытываемого ЭФС выбирается, примерно, в интервале 1-10 мм. Выбор таких режимов обусловлен вторичная электризация сканирующим э/ ектризатором не приводит к новым пробоям испытываемо.го ЭФС, а фоновый ток минимален. Затем щель сканирующего электрйзатора устанавливается над проводящей по.верхностью держателя 9. Проводящее основание держателя 9 через RC-цепь соединено с заземленными плюсами ис{точников напряжений 4 и 5. Постоянная времени КС-цепи выбирается в пределах с.Ключ 10 замыкается и фиксируется блоком памяти II (например, пиковым детектором, схемы их общеизвестны) значение тока электризации 1( поступает на проводящее основание держателя (на фиг. 1а значение этого тока соответствует интервалу 0-1). С выхода блока памяти 11 сигнал (фиг. 16) подается на вход блока делителя уровня 12, сигнал на выходе блока 12 изображен на фиг. 1в, Затем ключ 10 размыкается и при перемещении щели электрйзатора над поверхностью ЭФС получаем вторичное распределение тока электризации (фиг. 1а интервал 1-10) и на второй вход схемы сравнения Поступает текущее значение тока электризации Л:2 . Сигналы на входах схекы сравнения изображены на фиг. 1г. Сигнал на выходе блока 12 и на одном входе схемы сравнения изображен на фиг.; 1в. Деление уровня выбирается примерно 0,3 от уровня зафиксированного значения тока 5, на металлическую подложку ЭФС. Такое деление вполне оправдано, так как в случае микродефекта с диаметром от десятков до сотен микрон с поверхности ЭФС происходит вторичное коронирование и скачок тока и RC-цепи превышает значение тока на металл. При более значительных дефектах, диаметры которых достигают миллиметров и более, скачка тока не наблюдается, но ток возрастает примерно до значения тока на металлическую подложку. Кинетика тока 3:2 превышает заданный уровень, на выходе схе№л сравнения 13 и на входе блока 14 приняты решения, олучаем сигнал, информирующий о наичии дефекта в ЭФС (фиг. 1д). На римере осуществления в интервале 1-3 слой дефектов не имеет, в интерале 3-4 имеется дефект с площадью ревышающей несколько квадратных

миллиметрсЗв, в интервалах 5-6 и 7-8 имеются микродефекты, так как наблюдгиотся скачки тока электризации.

Таким образом, с -помощью предложенного способа выявляются не только

явные, но и скрытые микродефекты диаметром до десятков микрон.

Разбраковка носителей записи оптической информации по дефектности, особенно, предназначенных для микрофильмирования, является важной проблемоЯ, так как дефектные места носителя в явном виде обнаруживаются, только после изготовления микрофиши, . поэтому предложенный способ и устройство определения дефектов позводг1яют не только повысить надежность электрофотографического процесса микрофильмирования, но и избежать повторных рабдт при изготовлении микрофиши. Предложенные способ и устройство дают широкие возможности автоматизации самого процесса разбраковки ЭФС.