СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ Советский патент 1995 года по МПК H01S3/16 

Описание патента на изобретение SU1102458A1

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к технологии изготовления оптических элементов, служащих для генерации перестраиваемого по частоте излучения и для управления пространственно-временными характеристиками излучения лазеров.

Изобретение может быть использовано при изготовлении активных элементов (АЭ) пассивных лазерных затворов (ПЛЗ), насыщающихся фильтров для синхронизации мод лазеров, элементов для развязки усилительных каскадов лазерных систем.

Известен способ изготовления активного элемента на основе кристалла LiF, содержащего ионы гидроксила для повышения термической стабильности рабочих F2+ -центров, заключающийся в том, что кристалл LiF облучают при комнатной температуре до дозы 107 Р.

Недостатком этого способа является малая концентрация стабильных рабочих F2+ -центров.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ изготовления материала для активных элементов и пассивных затворов лазеров на основе монокристалла фтористого лития, содержащего ионы гидроксила, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучение.

К недостаткам этого способа следует отнести значительную величину неактивных потерь, обусловленных сложными агрегатными центрами типа F3, F4, полосы поглощения которых в LiF перекрываются с полосой поглощения F2+ -центров. Такие сложные агрегатные центры образуются за счет возрастания подвижности анионных вакансий в процессе облучения при повышенной температуре. Другим недостатком способа является то, что часть ионов гидроксила или продуктов их радиолиза связывается этими сложными агрегатными центрами. Об этом говорит тот факт, что в кристаллах LiF-OH концентрация F4-центров выше, чем в чистых LiF.

Указанные эффекты приводят к уменьшению концентрации F2+-центров, снижению КПД и увеличению остаточных потерь АЭ и ПЛЗ на основе LiF-OH с F2+ -центрами.

Цель изобретения повышение КПД генерации и эффективности модуляции лазеров.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления материала для активных элементов и пассивных затворов лазеров на основе монокристалла фтористого лития, содержащего ионы гидроксила, включающем облучение монокристалла ионизирующим излучением, облучение производят при температуре от -195оС до -40оС дозой в интервале от 108 до 109 Р.

Параметром, характеризующим преобразование энергии накачки в энергию генерации АЭ, является отношение величины поглощенной энергии Епв активном элементе к энергии генерации Ег, т.е. КПД лазера. Как известно, основной причиной, приводящей к снижению КПД генерации лазера, является наличие неактивных потерь на длине волны генерации или в спектральной области накачки. Тогда величина поглощенной энергии будет складываться из энергии, необходимой для создания инверсии населенности в активных центрах Еа, и из энергии, поглощенной неактивными центрами Ен, в которых не происходит инверсии населенности. Поскольку КПД определяется как Ега + Ен, снижение Ен приведет к увеличению этого соотношения.

Поглощенная Ен идет на разогрев кристалла или высвечивается в виде люминесценции. Наличие неактивных потерь в кристаллах с центрами окраски прежде всего обусловлено присутствием набора центров, поглощающих на длине волны накачки. Такими центрами в случае АЭ и ПЛЗ на основе LiF OH (F2+) являются F3- и F4- -центры, представляющие собой агрегаты из трех или четырех F-центров. Образование этих центров происходит по механизму, включающему миграцию анионных вакансий Vа+ и захват электронов:
F2+V+a

+ e- __→ F3; F3+ V+a
+ e-__→ F4
Снижения концентрации сложных агрегатных центров можно добиться путем исключения одной из составляющих механизмов их образования, а именно путем исключения процесса миграции анионных вакансий. Процесс миграции Va+ прекращается в LiF при температуре ниже -40оС, следовательно, облучение LiF при температурах ниже -40оС приводит к снижению эффективности образования F3- и F4- -центров.

Другой причиной возникновения неактивных потерь является неоднородность кристаллической матрицы и наличие микровключений, рассеивающих излучение. Это в большей степени свойственно активированным кристаллам. Снизить потери, связанные с этим, можно путем уменьшения эффективной длины кристалла, что достигается путем увеличения концентрации рабочих центров.

Для повышения КПД генерации лазера необходимо также максимально снизить потери в спектральной области генерации. В LiF (F2+) в спектральной области генерации могут поглощать F2- -центры, эффективность образования которых зависит от температуры и дозы облучения. F2- -центры практически не образуются, если облучение производится в интервале температур, при которых не происходит миграции анионных вакансий, т.е. ниже -40оС.

Характеристикой работы ПЛЗ в качестве модулятора добротности резонатора твердотельного лазера может служить эффективность модуляции η, равная отношению энергии моноимпульса Еи к энергии излученной в режиме свободной генерации Есв при одинаковых параметрах резонатора и энергии накачки η= Еп˙Есв. Энергия, равная Еп Есв Еи, так же как в АЭ, затрачивается на создание инверсии в F2+ -центрах, т.е. на просветление ПЛЗ и на поглощение неактивными центрами.

Таким образом, для улучшения параметров как АЭ, так и ПЛЗ необходимо снижать поглощение реактивными центрами Кн и повышать поглощение активными центрами Ка. Понижением температуры облучения LiF OH мы добиваемся как снижения Кн на длине волны излучения накачки и генерации, так и увеличения Ка.

Физико-химические процессы, приводящие к увеличению Ка, могут быть следующими. По механизму, предложенному в прототипе стабилизация F2+-центров, приводящая к их термической и оптической стабильности до Т 400 К, осуществляется за счет О--, в реализуемых в процессе радиолиза ОН- при облучения LiF OH ионизирующей радиацией:
OH- O- + Hoi


O-+ e- +V+a
O--+ V+a

O--+V+a
+F O-- + F+2

В результате образуется дефект типа F2+0--. В процессе облучения при температуре ниже -40оС образование такого дефекта возможно по следующему механизму. Как известно, при T < -40оС в процессе облучения в щелочно-галоидных кристаллах образуются дырочные центры, представляющие собой молекулу х2-, где х атом галоида. В кристаллах LiF OH возможно замещение иона галоида F- ионом кислорода 0-- с образование FO--, термическая стабильность которых может быть выше, чем стабильность F2-. При нагревании LiF- OH после облучения при Т< -40оС до температуры Т> -40оС происходит диффузия центров FO-- к F2-центрам, которые отдают свой электрон атому фтора, образуя F2+0--:
F2+FO-- F+2
O--+ F-
Кроме того, как указывалось выше, облучение при низкой температуре препятствует образованию сложных агрегатных центров за счет низкой подвижности анионовых вакансий. Это способствует как уменьшению потерь мощности накачки, так и увеличению свободных продуктов радиолиза ОН-, участвующих в стабилизации F2+-центров. Облучение при Т< -40оС также не дает образования F2- -центров, полоса поглощения которых, перекрывающаяся с полосой излучения F2+ -центров, приводит к возникновению потерь на длине волны генерации F2+ -центров.

Наиболее удобно производить облучение при температуре кипения жидкого азота Т -195оС, непосредственно помещая кристалл в дьюар с жидким азотом или обдувая его парами азота. Снижение температуры облучения ниже -195оС нецелесообразно ввиду того, что при этом необходимо применять в качестве хладагента жидкий гелий и при этих температурах снижается эффективность образования первичных дефектов F и F2-центров, что усложнит процесс облучения и увеличит затраты времени.

Оптимальная доза облучения должна выбираться исходя из того, что доза меньше, чем 108 Р, не дает достаточной концентрации первичных радиационных дефектов при т< -40оC и соответственно концентрации F2+-центров. Доза более чем 109 Р приводит к выпадению колоидов и, следовательно, к увеличению остаточных потерь за счет рассеяния на них излучения.

П р и м е р. Для выращивания монокристаллов использовалось сырье марки "ХЧ ИКК" Ленинградского завода "Красный химик". Содержание ионов гидроксила контролировалось по поглощению в области 3715-3725 см-1. Коэффициент поглощения для выращенных кристаллов составлял α≈1 см-1.

Облучение образцов производилось пучком электронов с энергией Е 5,6 МэВ до доз 108, 5˙108 и 109 Р. Охлаждение кристаллов осуществлялось путем обдувания парами жидкого азота, что позволяло задавать температуру кристаллов в интервале от -195оС до -40оС в зависимости от скорости испарения азота.

Измерение КПД генерации производилось при накачке рубиновым лазером кристаллов, изготовленных по предлагаемому и известному способам.

Измерение эффективности модуляции η производилось при перемещении ПЛЗ на основе LiF-OH в резонатор рубинового лазера путем измерения энергии моноимпульса и энергии в режиме свободной генерации. Полученные результаты по измерению Ка, КПД и η приведены в таблице.

Как видно из таблицы, в результате применения предлагаемого способа при изготовлении АЭ и ПЛЗ на основе LiF с F2+ -центрами получено увеличение КПД генерации более чем в 4 раза и эффективности модуляции почти в 1,5 раза. Необходимо отметить, что одни и те же кристаллы могут использоваться как в качестве АЭ, так и в качестве ПЛЗ.

Увеличение концентрации стабильных F2+ -центров в LiF-ОН позволило получить квазинепрерывную генерацию на этих кристаллах при накачке 2-й гармоникой лазера на гранате, поскольку небольшая длина АЭ позволила эффективно сфокусировать излучение накачки и достичь пороговой плотности мощности. Снижению порога генерации способствовало также снижение неактивных потерь за счет уменьшения поглощения сложными агрегатными центрами и F2- -центрами. Уменьшение эффективной длины АЭ привело также к уменьшению суммарного рассеяния на неоднородностях кристалла и экономии исходного сырья для выращивания кристалла.

Использование кристаллов LiF-OH с высокой концентрацией F2+-центров в качестве ПЛЗ или насыщающихся фильтров для пассивной синхронизации мод позволит снизить порог генерации лазеров, уменьшить длительность генерируемых импульсов.

Кроме того, использование кристаллов LiF OH, изготовленных по предлагаемому способу в качестве развязок усилительных каскадов лазерных установок или элементов для обращения волнового фронта также приведет к повышению контраста и коэффициента обращения.

Похожие патенты SU1102458A1

название год авторы номер документа
МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРОВ, ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ И АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ 1982
  • Лобанов Б.Д.
  • Максимова Н.Т.
  • Парфианович И.А.
  • Цирульник П.А.
  • Волкова Н.В.
  • Исянова Е.Д.
  • Васильев С.Г.
  • Симин Б.А.
SU1123499A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ 1984
  • Ахвледиани З.Г.
  • Иванов Н.А.
  • Михаленко А.А.
  • Хулугуров В.М.
  • Шкадаревич А.П.
SU1276207A1
ЛАЗЕРНАЯ АКТИВНАЯ СРЕДА 1986
  • Мартынович Е.Ф.
  • Барышников В.И.
  • Григоров В.А.
  • Щепина Л.И.
  • Колесникова Т.А.
SU1407368A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ 1983
  • Иванов Н.А.
  • Михаленко А.А.
  • Парфианович И.А.
  • Хулугуров В.М.
  • Чепурной В.А.
  • Шкадаревич А.П.
  • Шнейдер А.Г.
SU1152475A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА 1985
  • Иванов Н.А.
  • Михаленко А.А.
  • Хулугуров В.М.
  • Непомнящих А.И.
SU1331394A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ 1981
  • Иванов Н.А.
  • Михнов С.А.
  • Хулугуров В.М.
  • Чепурной В.А.
  • Шкадаревич А.П.
  • Янчук Н.Ф.
SU1064835A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОБРАЩЕНИЯ ВОЛНОВОГО ФРОНТА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ 1986
  • Иванов Н.А.
  • Иншаков Д.В.
  • Махро И.Г.
  • Хулугуров В.М.
SU1396795A1
ЛАЗЕРНОЕ УСТРОЙСТВО ОДНОМОДОВОГО МОДУЛИРОВАННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ 1993
  • Кравец А.Н.
  • Кравец С.А.
RU2044066C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА 1979
  • Хулугуров В.М.
  • Шнейдер А.Г.
  • Иванов Н.А.
  • Бубнова Л.И.
SU814225A1
ЛАЗЕРНОЕ ГЕНЕРАЦИОННОЕ УСТРОЙСТВО ОДНОМОДОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 1992
  • Басиев Т.Т.
  • Кравец А.Н.
  • Федин А.В.
RU2038666C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 102 458 A1

Формула изобретения SU 1 102 458 A1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ на основе монокристалла фтористого лития, содержащего ионы гидроксила, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД генерации и эффективности модуляции лазеров, облучение производят при температуре от -195 до -40oС дозой в интервале 108 109Р.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года SU1102458A1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА 1979
  • Хулугуров В.М.
  • Шнейдер А.Г.
  • Иванов Н.А.
  • Бубнова Л.И.
SU814225A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 102 458 A1

Авторы

Иванов Н.А.

Хулугуров В.М.

Чепурной В.А.

Шнейдер А.Г.

Даты

1995-06-09Публикация

1982-12-22Подача