Устройство для форсированного включения электромагнита Советский патент 1984 года по МПК H01F7/18 H01H47/32 

.4 СП

со I ii Изобретение относится к электромагнитной технике и может найти приме нение в схемах форсировки включения электромагнитов. Известно устройство для форсированного включения электромагнита, содержащее транзистор, подключенный параллельно токоограничивающему резистору, конденсатор и резистор, включенные в цепь базы транзистора 1 Данная схема на обеспечивает ключевого режима работы транзистора, подключенного параллельно токоограни чивающему резистору, имеет больщое время возврата в исходное состояние после отключения электромагнита ввиду того, что на разряд конденсатора, включенного в цепь базы транзистора, шунтирующего токоограничивающий резистор, требуется длительное время. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство для форсированного включе ния электромагнита, содержащее токоо раничивающий резистор, транзистор, подключенный параллельно токоограничивающему резистору, конденсатор и зарядный резистор, триггер Шмидта, резистор и три диода, причем конденсатор , зарядный и дополнительный резисторы образуют последовательную це соединенную с клеммами для подключения источника питания, резисторы зашунтированы двумя диодам точка соединения зарядного и дополни тельного резисторов подключена к вхо ду триггера Шмидта, выход которого через третий диод соединен с базой транзистора 2 . Недостатком известного устройства является большое время возврата в ис ходное состояние после отключения электромагнита ввиду того, что разря конденсатора происходит через сравнительно большое сопротивление резисторов, уменьшение величины которы ведет к увеличению потребляемой устройством мощности. Цель изобретения - повьппение быст родействия путем уменьщения времени подготовки к следующему циклу включения без увеличения потребляемой устройством мощности. Поставленная цель достигается тем что в устройство для форсированного включения электромагнита, содержащее выводы для подключения обмотки элект ромагнита, токоограничивающий резистор, транзистор, конденсатор, зарядный и дополнительный резисторы, триггер Шмидта, два диода и вьгаоды для подключения источника питания, причем выводы для подключения обмотки электромагнита и токоограничивающий резистор включены последовательно и соединены с выводами для подключения источника питания, конденсатор, зарядный и дополнительный резисторы также включены последовательно и соединены с вьщодами для подключения источника питания, точка соединения зарядного и дополнительного резисторов подключена к входу триггера Шмидта, выход которого через первый диод соединен с базой транзистора, эмиттерно-коллекторный переход которого подключен параллельно токоограничивающему резистору, введен второй транзистор, причем второй диод включен между конденсатором и выводом для подключения источника питания, эмиттерно-коллекторный переход второго транзистора включен параллельно конденсатору, а эмиттерно-базовый переход второго транзистора - параллельно второму диоду. На чертеже приведена схема устройства для форсированного включения электромагнита. Устройство для форсировки катушки электромагнита 1 содержит транзистор 2, шунтирующий токоограничивающий резистор 3. База транзистора 2 через диод 1 подключена к транзистору 5 триггера Шмидта. База транзистора 5 подключена к коллектору транзистора 6, база транзистора 6 через резистор 7, конденсатор 8, диод 9 подключена к плюсу, а через резистор 10 - к минусу источника питания. Эмиттерноколлекторный переход транзистора 11 включен параллельно конденсатору 8, а переход база - эмиттер транзистора 11 включен параллельно диоду 9. Диод 12, резисторы 10 и 13 обеспечивают релейный режим работы транзисторов. Резисторы 14 и 15 и диод 4 определяют режим работы транзистора 2. Параллельно катушке электромагнита 1 включен диод 16. Устройство работает следующим образом. При включении устройства под наряжение зарядный ток конденсатора 8 через резистор 7 открывает транзисор 6, транзистор 5 закрывается, а

транзистор 2 открывается, шунтируя токоограничивающнй резистор 3. Происходит форсированное нарастание тока в катушке электромагнита 1. При этом во время подачи питания транзистор 11 будет закрыт, так как на его базу будет подано положительное напряжение.

После заряда конденсатора 8 транзистор 6 закрьшается,.транзистор 5 открывается, закрьгоая транзистор 2, и токоограничивающий резистор дешунтируется.

При отключении устройства от сети происходит быстрый разряд конденсатора 8 через эмиттерно-коллекторный

переход транзистора 11 (при отключении устройства от сети происходит отрытие транзистора 11 - с конденсатора В через резистор 7, резистор 10, резистор 15, диод 4, резистор 14 на базу транзистора 11 подается отрицательное напряжение). В связи с тем, что сопротивление включенного транзистора незначительно, предлагаемая схема имеет малое время возврата в исходное состояние.

Достоинство предлагаемого устройства - высокое быстродействие, которое достигается без увеличения потребляемой мощности.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРСИРОВАННОГО ВКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТА, содержащее выводы для подключения обмотки электромагнита, токоограничивающий резистор, транзистор, конденсатор, зарядный и дополнительный резисторы, триггер ИЫидта, два диода и вьгооды для подключения источника питания, причем выводы для подключения обмотки электромагнита и токоограничивающий резистор включены последовательно и соединены с выводами для подключения источника питания, конденсатор, зарядный и дополнительный резисторы также включены последовательно и соединены с выводами для подключения источника питания, точка соединения зарядного и дополнительного резисторов подключена к входу триггера Шмидта, выход которого через первый диод соединен с базой транзистора, эмиттерно-коллекторный переход которого подключен параллельно токоограничивающему резистору, отличающееся тем, что, с целью повьшения быстродействия устройства, в него введен второй транзистор, причем второй диод включен между конденсатором и выводом для подключения источника питания, эмиттер но-коллекторный переход второго тран- Л/f зистора включен параллельно конденсатору, а эмиттерно-базовый переход второго транзистора - параллельно второму о диоду.

ОР

Г

,1/р

ук

Ав

7f