Способ распределения массы пленки Советский патент 1957 года по МПК C23C14/48 C23C14/52 

При изготовлении полупроводниковых элементов, например, экранов для счетно-решающих или те.ювизиснных трубок, транзистеров, детекторов и т. п. наносят покрытия металлами или другими веществами в виде тонких, разномерных по всей площади пленок по способу, описанному в авт, св. Лд 109057.

Дальнейщее развитие электронной и полупроводниковой техники ставит задачу получения таких пленок, конфигурация которых и изменение толщины их по площади покрытий должны отвечать заданным функциональныл законам.

Для этого предложено дополнить схему установки для получения пленок: подключить к ионной пущке модулятор плотности ионного тока, изменяющий интенсивность ионного луча по заданному закону и подключить к системе отклонения ионного луча устройство, изменяющее на 1ряжение в ней также по соответствующему закону.

Схема для получения пленок, имеющих конфигурацию и,переменную ТОЛЩИНУ в соответствии с заданными функциональными законами, показана на чертеже.

Ионная пущка / ионизирует нейтральные молекулы вещества, подлежащего нанесению на покрываемую поверхность и формирует ионный луч. С помощью модулятора 5 изменяют интенсивность ионного луча по заданному (желаемому) закону. Ионный луч проходит через систему отклонения 3, связанную с устройством 4, изменяющим напряжение в системе отклонения таким обраЗОЛ1, что развертка ионного луча происходит не по линейному, а по желаемому соответственно заданному закону, путем подачи соответствующего изменения потенциалов на пластины отклоняющей ciiCTeMbi (в случае применения электростатической развертки). Ионный луч, изменяющий во времени по заданным законам свою плотность (количество вещества) и направление, попадает на коллектор ионного тока (экран) 5, в качестве которого служит покрываемая поверхность. Нейтрализованные ионы вещества оседают на . поверхности экрана.

о,браЭуя пленку с требуемой конфигзфЭ.адей и толщиной, зависимой от /коор щнат временного закона.

tr- f

.. -.-у

..;...,

1 р е д м е Т и 3 о б р е т е и и я

--1/ Способ распределения массы пленки по ; ее координатам с помощью ионной пушки и системы отклонения ионного луча по авт. св. № 109057, отличающийся тем, что, с целью получения пленки с

треоуемои переменной толщиной и конфигурацией, регулируют интенсивность ионного луча по заданному функциональному закону с помощью известного модулятора плотности тока, подключаемого к ионной пушке, а развертку ионного луча производят не по линейному, а по copifBptCTBeHHo заданному закону, изменяя потенциалы откло.няющей системы с помощью подключаемого к ней известного устройства.