Изобретение относится к области технологии нанесения тонких покрытий.
Существующие способы- получения тонких пленок путем испарения наносимого вещества в вакууме, катодного распыления и осаждения из растворов не позволяют получать пленки равномерной плотности и толщины.
Контроль процесса образования пленки при этих способах затруднен, и поэтому получение серии идентичных пленок практически невозможно. Кроме того, весьма ограничены возможности этих способов для изготовления слоистых пленок.
В описываемом способе указанные недостатки устранены тем, что подлежащее нанесению вещество предварительно подвергают ионизации и в виде ионного луча, управляемого отклоняющей системой направляют па покрываемую поверхность так, что различные участки поверхности последовательно облучаются пучком ионов малых энергий, причем нейтрализовавшиеся ионы остаются на покрываемой поверхности в виде атомов или молекул, образуя тонкую пленку.
Схема получения пленки показана на чертеже.
В ионной пушке / нейтральные молекулы подлежащего нанесению вешества ионизируются одним из обычных способов и формируются в ионный луч. Система 2, аналогичная системе отклонения электронного луча в электронно-лучевой трубке, разворачивает вышедший из пушки ионный луч таким образом, что он последовательно строка за строкой обходит предназначенное для покрытия поле подложки-коллектора 3.
Энергия ионов непосредственно у коллектора не должна превышать несколько десятков электронных вольт во избежание разрушения слоя (точное значение максимально допустимой энергии ионов необходимо определять экспериментально в каждом конкретном случае). Необходимое торможение ионов может, например, создаваться подачей на коллектор соответствующего тормозящего потенциала. Некоторое размытие луча, связанное с торможением, благодаря непрерывному перемещению луча по покрываемой подложке, сказывается только вблизи контура покрываемой поверхности. Нейтрализуясь на коллекторе, ионы создают пленку одинаковой толщины и плотности.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ распределения массы пленки | 1955 |
|
SU110532A2 |
Способ нанесения пленок элементов или изотопов | 1955 |
|
SU113051A2 |
Способ неразрушающего измеренияТОлщиНы ТОНКиХ плЕНОК | 1977 |
|
SU687900A1 |
СПОСОБ ПРОВЕДЕНИЯ ГОМОГЕННЫХ И ГЕТЕРОГЕННЫХ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАЗМЫ | 2002 |
|
RU2200058C1 |
Масс-спектрометр | 1958 |
|
SU121965A1 |
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ МЕТОДОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ | 2001 |
|
RU2205893C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР | 2003 |
|
RU2228900C1 |
Способ увеличения адгезии тонких металлических пленок к подложкам | 1981 |
|
SU1019965A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР | 2006 |
|
RU2319663C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АТОМНО-ТОНКИХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК | 2009 |
|
RU2413330C1 |
Авторы
Даты
1957-01-01—Публикация
1955-10-28—Подача