название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ИЗЛУЧАЮЩАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ ИНЖЕКЦИИ | 2012 |
|
RU2576345C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ МНОГОПРОХОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА | 1982 |
|
SU1165211A1 |
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МНОГОПРОХОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА | 1983 |
|
SU1163777A1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ МНОГОПРОХОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА | 1983 |
|
SU1157994A1 |
Полупроводниковая гетероструктура для импульсного излучателя света | 1990 |
|
SU1837369A1 |
МАТРИЦА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2014 |
|
RU2571434C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР | 2004 |
|
RU2301486C2 |
МНОГОКАСКАДНЫЙ ЛАВИННЫЙ ФОТОДЕТЕКТОР | 2008 |
|
RU2386192C1 |
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР НА ОСНОВЕ МНОГОПРОХОДНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ) | 2006 |
|
RU2351047C2 |
ФОТОДЕТЕКТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2023 |
|
RU2806342C1 |
Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по крайней мере не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, при этом разница ширин запрещенных зон Δ по крайней мере на одном из гетеропереходов между дополнительным слоем и областью излучательной рекомбинации связана с параметрами области излучательной рекомбинации и дополнительного слоя соотношением
где d0, τ0, P0, S0 - соответственно толщина, время жизни неосновных носителей, концентрация основных носителей, скорость рекомбинации на гетеропереходах, относящихся к дополнительному узкозонному слою, d, τ, P - те же параметры для области излучательной рекомбинации, Lэф - эффективная диффузионная длина неосновных носителей в той части области излучательной рекомбинации, для которой справедливо соотношение /I/.
2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что дополнительный слой выполнен из материала, время жизни неосновных носителей в котором не меньше, чем время жизни неосновных носителей в области излучательной рекомбинации, при этом толщина дополнительного слоя не превышает толщину области излучательной рекомбинации, а энергия активации центров излучательной рекомбинации, образованных легирующей примесью в этой области, не превышает разницу ширин запрещенных зон упомянутой области и дополнительного слоя.
3. Гетероструктура по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что она содержит p-n-переход, расположенный в дополнительном слое, и омические контакты к n-p-слоям.
Авторы
Даты
2012-07-20—Публикация
1982-10-01—Подача