название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2410794C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2401480C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2009 |
|
RU2417482C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2408111C2 |
Способ изготовления силового полупроводникового транзистора | 2016 |
|
RU2623845C1 |
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КВАНТОВОГО ВЫХОДА ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2010 |
|
RU2463617C2 |
БЛОКИРУЮЩИЙ ДИОД ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ | 2011 |
|
RU2457578C1 |
КОНСТРУКЦИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С ДВУСТОРОННЕЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ | 2009 |
|
RU2432639C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ С МОДИФИЦИРОВАННОЙ СТРУКТУРОЙ ВНУТРЕННЕГО ЗАТВОРА | 2005 |
|
RU2376678C2 |
ФОТОЭЛЕМЕНТ ПРИЕМНИКА-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В КОСМОСЕ | 2011 |
|
RU2487438C1 |
Многопереходный фотопреобразователь, содержащий полупроводниковую пластину с множеством чередующихся вертикальных легированных зон n- и p-типа проводимости и электрические контакты на тыльной поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования путем устранения рекомбинационных потерь и уменьшения последовательного сопротивления, легированные зоны одного типа проводимости изолированы от контактов, соединяющих слои p+- и n+-типа, которые сформированы на тыльных поверхностях соседних вертикальных зон второго типа проводимости и образуют на каждой из них рабочий и изотипный переходы, при этом толщина полупроводниковой пластины меньше длины диффузии неосновных носителей заряда зоны второго типа проводимости.
Авторы
Даты
2008-04-27—Публикация
1982-09-01—Подача