Устройство формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах. Известно устройство формирования вращающегося магнитного поля, содержащее ортогональные катушки индуктивности, транзисторные ключи и блоки управления ключами 1. Недостатками этого устройства являются сложность конструкции и низкая надежность, связанная с большим количеством сильноточных ключевых элементов. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее ортогональные катушки индуктивности, четыре транзисторных ключа и блок управления ключами 2. Недостаток этого устройства - неудовлетворительная надежность. Цель изобретения - повышение надежности устройства формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах. . Поставленная цель достигается тем, что в устройство формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, а базы транзисторов подключены к соответствующим шинам управления, введен блок согласования в виде двух трансформаторов, выходные обмотки которых подключены к соответствующим индуктивным обмоткам, первый вход первого трансформатора подключен к коллектору первого транзистора, второй вход - к коллектору второго транзистора, первый вход второго, трансформатора подключен к коллектору третьего транзистора, второй вход - к коллектору четвертого транзистора, средние точки входных обмоток трансформаторов подключены к первой шине постоянного напряжения а эмиттеры транзисторов - к второй шине постоянного напряжения. На чертеже показано предлагаемое устройство. Устройство содержит блок 1 управления, шины 2-5 управления, транзисторы 6-9, трансформаторы 10-11, индуктивные обмотки 12 и 13. Устройство работает следующим образом. Логический сигнал от блока 1 по шинам 2-5 поступает на входы транзисторов 6-9. Фазы логических сигналов на шинах управления сдвинуты на 0-90-180-270°. Сигнал щйнЫ 2 открывает транзистор 6, создавая при этом импульс тока в первой половине первичной обмотки трансформатора 10. На выходной обмотке трансформатора индуктируется напряжение, вызывающее ток в обмотке 12. Разряд запасенной в обмотке энергии происходит через вторичную обмотку трансформатора 10. В результате в обмотке 12 происходит формирование импульса тока треугольной формы. Сигнал с шины 3 открывает транзистор 7, создавая импульс тока во второй половине первичной обмотки трансформатора 10. На выходной обмотке трансформатора индуктируется напряжение, вызывающее в обмотке 12 ток обратного направления. Когда оба транзистора закрыты, разряд запасенной в катушке энергии происходит через вторичную обмотку трансформатора в противоположном направлении, в результате чего в обмотке 12 формируется двунаправленный ток треугольной формы. Аналогичные процессы происходят со сдвигом по фазе на 90° во второй части устройства с обмоткой 13. Надежность устройства существенно повышается, так как индуктивные обмотки не имеют гальванической связи с выходами ключей и источником питания, что защищает об.мотки от перегрузки в случае выхода из строя любого из ключей, и позволяет защищать запо1 1инающее устройство от помех.

УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером ч€ твертого транзистора, а базы транзисторов подключены к соответствующим щинам управления, отличающееся тем, что, с целью повыщения надежности устройства, в него введен блок согласования в виде двух трансформаторов, выходные обмотки которых подключены к соответствующим индуктивным обмоткам, первый вход первого трансформатора подключен к коллектору первого транзистора, второй вход - к коллектору второго транзистора, первый вход второго трансформатора подключен к коллетору третьего транзистора, второй вход - к коллектору четвертого транзистора, средние точки входных обмоток трансформаторов подключены к первой шине постоянного напряжения, а эмиттеры транзисторов - к второй щине постоянного напряжения. I к