Пьезоэлектрический микрофон Советский патент 1984 года по МПК H04R17/00 

f Изобретение относится к акустике а именно к пьезоэлектрическим прием .никам звукового давления, и может быть использовано, например, в промышленности средств связи. Известен пьезоэлектрический микр фон, содержащий биморфную пьезогшас тину, обе пЬловины которой размещены с двух сторон металлической мембраны симметрично относительно ее плоскости и имеют противоположно на правленную поляризацию l . Недостатком такого микрофона является то, что в нем часть полезной энергии акустического сигнала тратится на изгиб металлической мёмбра .ны, что понижает его чувствительность. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является пьезоэлектрический микрофон, содерж биморфную пьезопластину, шарнир но закрепленную по контуру на корпусе, с противоположно направленной поляризацией ее половин 2j . Однако известный микрофон обладает недостаточной чувствительность из-за неравномерного распределения механических напряжений в пластине под действием акустического давления, - Цель изобретения - повьшение чув ствительности микрофона. Поставленная цель достигается те что в пьезоэлектрическом микрофоне. содержащем биморфную пьезопластину, закрепленную по контуру на корпусе, биморфная пластина вьшолнена в форме усеченной пирамиды и жестко закреплена над полостью корпуса, при этом средняя линия боковых граней т расположена против внутренних кромок торца корпуса, а отношение толщины пьезопластины к длинесредней линии боковой грани составляет 0,3. На фиг. 1 представлен предлагае мый микрофон (разрез А-А на фиг. 2) на фиг. 2 - разрез Б-Б на фиг. 1. Пьезоэлектрический микрофон содержит биморфную Цьезопластину 1 с противополшсной поляризацией ее половин, выполненную в форме усеченной пирамиды с основанием на72пример, в виде квадрата, корпус 2 с торцами 3, средняя линия 4 боковых граней 5 пьезопластины расположена напротив внутренних кромок 6 корпуса. На верхнее и нижнее основания биморфной пластины нанесены контактные электроды 7 и 8, соединенные гибкими выводами с клеммами 9 и 10 соответственно. В средней плоскости биморфной пьезопластины расположен поляризационный электрод 11Пьезоэлектрический микрофон работает следующим образом. Под действием акустического давления биморфная пьезопластина 1 изгибается с растягивающими и соответственно сжимающими деформациями оснований 7 и 8. Благодаря жесткому закреплению края биморфной пьезопластины и выполнению ее в форме пирамиды деформации в материале располагаются таким образом, что вблизи внутренней t кромки 6 торца они отсутствуют и достигают максимума на боковых гранях 5. Растягивающие деформации на боковых гранях пьезопластины параллельны вектору поляризагщи, вследствие чего пьезоэлектрический заряд на этих местах пластины генерируется более эффективно, чем в центральной части. Кроме того, меньщая толщина сечения пьезопластины на краях, обеспечиваемая наклоном боковых граней, приводит к перераспределению механических напряжений в сторону их выравнивания во всем объеме пьезопластины . Полученный в результате деформации пьезопластины сигнал с электродов 7 и 8 выводится и при помощи гибких выводов передается на клеммы 9 и 10. Предлагаемая конструкция микрофона обладает повьпиенной чувствительностью за счет более эффективного использования объема пьезоматериала, а также более высокой надежностью за счет жесткого крепления мембраны к корпусу.

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МИКРОФОН, содержащий биморфную пьезопластину, закрепленную по контуру на корпусе, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, биморфная пластина выполнена в форме усеченной пирамиды и жестко закреплена над полостью корпуса, при этом средняя линия боковых граней расположена против внутренних кромок торца корпуса, а отношение толщины пьезопластины к длине средней линии боковой грани составляет 0,3.