Элемент памяти Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

т 177 Р71 177} rZI

/ // / ////

J

/

ю

;о

О)

ел

со

Изобретение относится к вычислительной технике с оптической обработкой информации, а именно к устройствам ввода, обработки и запоминания информации.

Известен способ создания элементов , по которому к пластине ортоферрита, обработанной с помощью спецшлифовки под нагрузкой в магнитном поле, прикладывают стеклянную пластину с нанесенными на нее взаимно ортогональными токопроводящими шина-ми 1.

Элементы памяти, созданные таким способом, имеют большую энергию переключения.

Известны также элементы памяти, созданные на высококоэрдитивной пластине граната системой взаимно ортогональных токопроводящих шин 2 .

Однако переключение такого элемента памяти требует также больших энергетических затрат (ток переключения 0,6 А на ячейку).

Цель изобретения - снижение энергоемкости переключения элементов памяти.

Поставленная цель достигается тем, что в элементе памяти, содержащем прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи, нанесенных друг на друга через изолирующий слой диэлектрика, в слое магнитного диэлектрика выполнены области с

коэрцитивностью, большей крэрцитивности магнитного диэлектрика, в виде двух групп пересекающихся полос, компланарно которым нанесены на слой магнитного диэлектрика шины записи.

На чертеже показан предлагаемый элемент памяти.

Элемент включает подложку 1, слой 2 магнитного диэлектрика, щины 3 записи и изолирующий слой 4. Для создания областей с высокой коэрцитивностью используют локальное ионное легирование. На висмутсодержащий гранатовый слой с низкой коэрцитивностью наносят двуокись кремния, с помощью фотолитографии вскрывают области, которые должны подвергаться ионному легированию. После проведения имплантации структура состоит из элементов памяти с низкой коэрцитивностью (0,1-0,5 Э), разделенных группой пересекающихся полос с высокой коэрцитивностью (50-100 Э) Переключение осуществляется воздействием на элемент памяти тока подающегося системой ортогональных шин, компланарно нанесенных на высококоэрцитивные полосы. Наличие вокруг элемента памяти доменов разных знаков, являющихся зародышами для переключения низкокоэрцитивного элемента, реализует переключение элемента через менее энергоемкий механиам - движением доменной стенки. Это позволяет значительно снизить энергию, расходуемую на переключение элемента, в сравнении с прототипом.

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи, нанесенных друг на друга через изолирующий слой диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью снижения энергопотребления, в слое магнитного диэлектрика выполнены области с коэрцитивностью, больщей коэрцитивности магнитного диэлектрика, в виде двух групп пересекающихся полос, компланарно которым нанесены на слой магнитного диэлектрика щины записи.