Зонд для измерения напряженности магнитного поля Советский патент 1958 года по МПК G01R33/02 

Для измерения напряженности магнитного поля применяют магнитные зонды с чувствительным элементом в виде плоских пластинок из полупроводниковых материалов. Однако при использовании подобных зондов положение зонда в пространстве влияет на результаты измерения, что требует правильной ориентировки его относительно направления измеряемого поля.

Для устранения этого недостатка в предлагаемом зонде чувствительный элемент выполнен в виде полусферы, покрытой с наружной и внутренней сторон металлическими обкладками, служащими токоподводящими электродами зонда.

На чертеже изображена схема предлагаемого зонда.

Чувствительный элемент зонда выполнен из полупроводникового материала 1, сопротивление которого сильно зависит от напряженности измеряемого поля. Зонд изготовлен в виде полой полусферы. Внешняя и внутренняя поверхности полусферы покрываются слоем проводящего металла 2 (катодным, а затем гальваническим способами). К полученным таким образом обкладкам подводится постоянный или переменный ток, который равномерно растекается по всей толЩ,е полусферы в радиальном направлении. Сопротивление такого чувствительного элемента не зависит от положения полусферы в измеряемом поле.

Для повыщения чувствительности зонда может быть применен магнитный концентратор поля в виде шаря 5. изготовленного из магнитного сплава с высокой магнитной проницаемостью.

Предмет изобретения

1. Зонд для измерения напряженности магнитного поля с чувствительным элементом из полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью устранения влияния положения зонда в пространстве

№ 113418. - 2 -

,

на результаты измерения и исключения иеобходимости его ориентировки относительно направления измеряехмого поля, указанный чувствительный элемент выполнен в виде полусферы, покрытой с наружной и внутренней сторон мерллич кими обкладками, служащими токоподводящими электродами зрнда. , .:««/

2. В зонде по п. 1 применений для концентрации измеряемого магнитного поля шара из материала повышенной магнитной проницаемости, соприкасаюш,егося с внутренней поверхностью полусферы.