Способ коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии Советский патент 1986 года по МПК H01L21/312 G03F7/26 

4i

сл

00 4йь Изобретение относится к электронНОР технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов. Известен способ коррекции экспозиции, основанньй на определении фун кции рассения электронов, включающий нанесение на подложку резиста,экспонирование пучком электронов Структуры в виде квадратов с различной длиной стороны,проявление резиста,причем экспонирование проводят множество раз,варьируя дозу экспонирования, а после проявления резиста определяют дозы, при которых квадраты каждого вида проявились до подложки, и по найденным данным строят кривую рассеяния электронов. Недостатком этого метода является невысокая точность. Наиболее близок способ, включающий нанесение резиста на подложку, экспонирование тестовой структуры из множества рядов одинаковых квадратов на большом расстоянии друг от жруга, с увеличением дозы экспониро вания от ряда к ряду в 1,044 раза, проявление резиста и определение до экспонирования, при которых в точка между квадратами и между рядами ква ратов резист проявился до подложки,пос ле чего на основании этих данных проводят расчет параметров функции рассеяни Данный способ исходит из даданного аппроксимированного вида функту и рассеяния и позволяет найти параметры аппроксимации, к тому же обладает высокой сложностью и ме//остаточной точностью. Целью изобретения является увеличение точности и упрощение процесса Цель достигается тем, что в известном способе коррек1.щи экспозиции при электронно-лучевой литографии, включающем нанесение резиста на подложку, экспонирование тестовой струк- 50

туры, проявление резиста, и определение доз экспонирования 5 экспонирование проводят с линейно нарастающей дозой до получения тес уовой структуры прямоугольной формы, после чего экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой.

. понируют прямую линию с дозой облучения 2,8-10 к/см , Расстояние между метками 10 мкм соответствует увеличению дозы на 8,8 . Ширина клина экспозиции 20 мкм, длина 300 мкм, ширина линии О,1 мкм. Резист проявляли в смеси МЭК: ИПС 1:3 в течение 50 с. Поскольку в резисте происходит сложение формы, то для экспонирования линии и клина экспозиции, образуемого при экспонировании тестовой структуры прямоугольной формы, то после проявления граница резиста (линия с суммарной дозой облучения До, необходимой для проявления резиста до подложки) представляет собой явный вид функции рассеяния электронов. Для удобства определения численного значения величины дозы экспонирования рядом с клином экспонируют метки отсчета. Точность полученной функции рассеяния при постоянных условиях нанесения резиста и прявления определяется точностью измерения дозы экспонирования и разрешением резиста и не зависит от конкретного закона нарастания дозы при экспонировании прямоугольной тестовой структуры, поскольку при его изменении меняется только масштаб получаемого рисун1 :а. Ограничение на размер экспонируемой прямой линии в 0,1 мкм определяется наглядностью получаемой картины. 3kcперимента-пьно установлено, что наиболее приемлемыми размерами линии является 0,1 мкм и менее. При данном способе экспонирования полученная функция представляет собой функцию рассеяния линии, что упрощает определение скорректированных доз экспонирова шя. Например, при расчете доз периодических структур двумерная задача коррекции сводится к одномерной. Пример. На кремниевую подложку наносят резист ЭЛП-40 толщиной 0,3 мкм. Электронным лучом с энергией 30 кэВ экспонируют тестовую струк-, уру прямоугольной формы, вдоль большей стороны которой доза экспонирования линейно увеличивается от О до величины Д 2,8-10 к/см , образуя, таким образом, прямоугольный клин экспозиции. По клину экспозиции вдоль большей его стороны экс311458474

Таким образом, полученный способ функции рассеяния электронов, в репозволяет корректировать экспозицию зультате чего точность врзрастает на основе полученной в явном виде при одновременном упрощении процесса

СПОСОБ КОРРЕКЦИИ ЭКСПОЗИЦИИ ПРИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение реэиста на подложку, экспонирование тестовой структуры, проявление резиста и определение доз экспонирования, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности и упрощения процесса, экспонирование проводят с линейнонарастающей дозой до получения тестовой структуры прямоугольной формы, после чего экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой. (Л