Датчик параметров полупроводниковых материалов Советский патент 1985 года по МПК G01N22/00 

Изобретение относится к технике измерений на СВЧ и может использоватьел для иэмерения удельного сопротив..пения., прем-сии житии постелий заряда гю.ггупроводникопых материалоя.5 (ихся ис:ходнь;м сырьем для производстза полупрояодиикот и1х прибоР I -TIM I ipj г| ч полх 1 II II It111- И1 iP jjitpiFiO i п Iп 1П( и и ntчI рот 1 ip J I 1-ii I (ои I I П i ри I 1 - т f 11 1 ь 1 i J и I I I 1 fi iir п( L 1п Iis 1 Ill iIII I 1I 1 1fill) IIII/О 1 I 11м1 к I1 11 II I - 2j I1П 1I I I I I - Зи 1 г , I 1 Т , IT II 1IIII - 111I111 I 1 1t I11 ,иh-50 I I п 1 If fг1 II J IIIIIIIм в 1тt55 III к I I I I 1 1т -,1-1I с; ным источником питания, при этом w ппетоизлучаюдай полупроводниковой плоской структуре выполнено отнерстие. соосное с; измерительньм отверстием, а его диаметр равен диаметру измерительноо от} е:зстия. На чертел е приведена конструкдия датчика параметров подупроводниковых материалов. Латчнк сод,ержит цилуитдрически резонатор 1, па одной из торцовых стенок которого закреплен индуктивный стержень 2, а на /фугс.й выиолнено измерительное отверстие 3, в которос введен свобод} ый конед иддуктпвь П1-о стержня 2., злемЕПгп- 4 и-; с:цязи дилиндрического резонатора i с (Л;1-геиера;ором 6 п индика ором де показан) vi лс 1Ч1Ч}п-1к оптичсчжого излучения. ; Ь;И ч; еннь1Й в зи;1е ветоиз лу чак)цей Т1олуптк ь; днир:с1 ой ПЛОСКО с )-рукт рм V, кг-сорпя разчеIUiia па ловс)хчс1Сги орп. CTciHKii с измирИТел ,11ым отвспс-Tvu - j и с:о(д,инсна с введенным ис-jO4;ii;KoM 8 цмшпя. при зто-г в ciiC- лмз.1 -лаю;дей :;Ол Тглоти)ч;;ик СГ --.юско;: CipyKiypC / BllJ : ГлЧПСЛС ГТВС ; - : CfJOCHO:.: С ИЗМе ;ИТ1С1ЬЧ;.М ОТ-iicp;.; i4i;M 3, а cio дча:5е1) iiancH чгамстру );ггельчо.гс отве)стг1л 3. лс-1 :;-;|ик iO СИМ и детектор 1;. ;;-;TiiiK раПо-ает сзедующи -- оОра- О-; , мо;;а1-ей накряж.нля питания ст :: с r; -;ii;i ra О CJI-I-iСне Га Iop 6 воз :дасТСЯ и с peгyJ Иj) i-;ii ди.;ил:;п;иче коI о зезона; ор- i я е-:сптч;м 5 пастр mssется в i;:(;;-i илтя 1няа П1я лпстч) :;,ч:чи1дри. 1,п:ЗС дпЧро-1 L Пелбходи)ая OiMr- i:Ha связи коитроли1)ует:я по /оку ci-fcKTOj i 11. ,ат-ии параметров зо,суи;)оьо ;г:;1ковых мате иалов .л| i-;a ибрую7 „ д,1я п ф 1КС -1рованисч Д|;.;;кгк ие раостчих частот,, оиреде я;з. :( nuaii i3 r;HOM затягилания, из меняют ,:гЧ1Л -гг.лV си) na-ia нл выходе дл;;ект(.)ра 1 в {лучас отсу ч:твия нсслсдус -- сс: ViRpaci.ua 12 и для иссчедуе-- Mhix оГрязч,з; 2 с 1звес11Ым удельiihiM С.чг : ;:;ти; л счием. Стсчэится калибэозочный rpailiiiKj по KoropoNy в ла:1ьией1 1см сдсчитьпается удельное сопротинлсние исслед,у( (бг)азда 12, Измере)П1а сводится к ),- амидиту;7Ы выходног(1 сл-сгчала с HCCce iyei-sijiM о раздо 12 при условии luvyiep311491484

живания с помощью элемента 4 связимости исследуемого образца 12, регизаданной при калибровке амплитудыстрируется на экране осциллографа,

сигнала без исследуемого образца 12.и время жизни неосновных носителей

Для измерения времени жизни не-заряда рассчитывается по времени основных носителей заряда светоиз- 5спада этого сигнала в е раз. Измелучающая плоская полупроводниковаярение времени жизни для неосновных структура 7 запитываетс5 от генера-носителей заряда дпя каждого полутора импульсов прямоугольной формы.проводникового исследуемого образПоявившийся на выходе сигнал-отклик,да 12 осуществляется с высоко пропорциональный току фотопроводи- 10точностью (до 10%).

ДАТЧИК ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ,содержащий цилиндрический резонатор, на одной из торцовых стенок которого закреплен индуктивный стержень, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного стержнй, элементы свя1273 3 1I к длох( t nduKOWU зи цилиндрического резонатора с СВЧ-генератором и индикатором и источник оптического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерен1-ш времени жизни неосновных носителей заряда, источник оптического излучения выполнен в виде светоизпучающей полупроводниковой плоской структуры, которая размещена на внешней поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием и соединена с введенным источником питания, при этом в светоизлучающей полупроводниковой плоской CTpyKTyjie выполнено отверстие, соосное с измерительным отверстием, а его диаметр (Л равен диаметру измерительного отверстия , x& jtaxa Г7771. 0 30 II CiMi ш|11| .