Л7
о
о
4 1 11 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано в запоминающих и логических устройствах, в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (1ЩЦ). Известен узел для растяжения ЦВД содержащий магнитоодноосную пленку, на которую -нанесены изолированные слои проводника с периодически расположенными отверстиями, вьщолненны ми в виде шевронов D Однако в этом устройстве для рас ширения ЦМД требуется ток, вращающийся в плоскости проводникового сл что существенно усложняет проектиро вание ЦМД кристалла. Кроме того, пр продвижении растянутого ЦВД вдоль к нала продвижения изменение длины ЦМД носит существенно неравномерный 1сарактер. Расширение ЦМД происходит лишь на 1/4 части пространственного периода схемы и , в то время как на пути 3/4 расширения не происходи это влечет за собой увеличение размеров узла считывания, что ведет к (увеличению энергопотребления и снижению надежности устройства. Наиболее близким к изобретению по технической сущности является уз для растяжения 1ЩЦ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои, в кото рых выполнены группы периодически расположенных отверстий 2 J. Однако в известном устройстве изменение длины ЦЩ носит пульсирую щий характер, ЦМД за один такт раст .гивается на величину шага удлинения ли, далее в течение одного так та сжимается на ту же величину и за следующие два такта растягивается на величину 2 ДЪ. Таким образом, ЦМД эффективно растягивается только в течение полупериода, т.е. на половине пространственного периода | , что значительно снижает эффективность работы устройства. Эт вызывает необходимость увеличения размеров узла для растяжения ЦМД для обеспечения требуемой длины домена. За счет увеличенных геометрических размеров устройства увеличивается значение рабочих токов управ ления, что ведет к увеличению .перегрева и снижает область устойчивой работы устройства. Кроме того, уве1личенные размеры узла для растяжения ЦМД снижают плотность записи информации на ЦМД-крйсталле. Целью изобретения является расширение области устойчивой работы узла для растяжения цилиндрического магнитного домена. Поставленная цель достигается тем, что в узле для растяжения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои, в которых вьшолнены группы периодически расположенных отверстий, последние в каждом токопроводящем слое вьтолнены трапецеидальными, причем длины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы больше длин других Оснований соответствующих трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена и меньше длин прилежащих оЬнований смежньпс трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена. На чертеже изображена конструкция предлагаемого узла для растяжения ЦМД. Узел для растяжения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои (не показаны) , в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий 2 и 3 трапецеидальной формы, образованные основаниями 4 и 5 и боковыми стенками 6. На участке расширения доменов основания 4 и 5 последовательно увеличиваются в направлении о-т входа узла 7 к его выходу 8, а на участке стягивания домена - уменьшаются. Устройство работает следующим образом. Цри пропускании через первый . и второй токопроводящие слои управляющих токов 1,, и 1 . соответст:венно под основаниями отверстий 4 и 5 поочередно генерируются магнитостатические ловушки, обеспечивающие растяжение круглых ЦМД 9 в растянутые домены 10 и их перемещение от входа 7 к выходу 8. При этом длины оснований отверстий 2 и 3 последовательно изменяются не только при переходе от отверстия к отверстию, как в известном устройстве, но и в самих отверстиях за счет их трапецеидальной формы. Поэтсзму изменение длины растянутого домена при его. движении от входа к выходу носит монотонный характер, т.е. обеспе;чивается последовательное изменение ддины домена при переходе его в каждую из своих четырех устойчивых позиций (во всех четырех тактах), на всем периоде схемы Л . В предложенном устройстве при том же шаге удлинения домена на один такт за один период Т домен растягивается на величину AdL, а в известном устройстве - на величину 2дЬ.
Таким образом, для растяжения домена на какзпо-то длину в предлагаieMOM устройстве требуется примерно Вдвое меньшее число периодов про,движения Л.
5 Уменьшение размеров узла для растяжения ЦМД позволяет вдвое снизить амплитуду рабочего тока, протекающего через токопроводящие слои, и позволяет существенно умень0 шить рассеиваемую мощность. Это приводит к уменьшению нагрева ЦМД-кристалла и увеличивает область устойчивой работы устройства. Кроме того, уменьшение размеров устройства
5 позволяет увеличить плотность записи информации на ЦМД-кристатшё.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для неразрушающего считывания цилиндрических магнитных доменов | 1983 |
|
SU1123059A1 |
Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов | 1983 |
|
SU1127003A1 |
Многофункциональный пороговый элемент | 1984 |
|
SU1246365A1 |
Накопитель информации | 1983 |
|
SU1133618A1 |
Переключатель цилиндрических магнитных доменов | 1982 |
|
SU1083230A1 |
Магнитный пороговый элемент | 1984 |
|
SU1246366A1 |
Переключатель цилиндрических магнитных доменов | 1983 |
|
SU1089626A1 |
Репликатор цилиндрических магнитных доменов | 1982 |
|
SU1083231A1 |
Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах | 1988 |
|
SU1608749A1 |
Трансверсальный фильтр | 1981 |
|
SU1083344A1 |
УЗЕЛ ДЛЯ РАСТЯЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ . МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои. в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий, о тличающийся тем, что, с целью расширения области устойчивой работы узла для растяжения цилиндрических магнитных доменов, периодически расположенные отверстия . группы в калодом токопроводящем слое выполнены трапецеидальными, причем длины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы больше длин других оснований соответствзгющих трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена и меньше длин прилежащих оснований смежных трапецеидальных отверстий (О группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Патент США № 4181978, кл | |||
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба | 1920 |
|
SU11A1 |
Способ получения фтористых солей | 1914 |
|
SU1980A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Патент США № 4142247, кл | |||
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба | 1920 |
|
SU11A1 |
Дверной замок, автоматически запирающийся на ригель, удерживаемый в крайних своих положениях помощью серии парных, симметрично расположенных цугальт | 1914 |
|
SU1979A1 |
Авторы
Даты
1985-06-07—Публикация
1984-01-16—Подача