Транзисторный ключ Советский патент 1985 года по МПК H03K17/60 

Описание патента на изобретение SU1175027A1

Входы

3

1 ймод

Похожие патенты SU1175027A1

название год авторы номер документа
Высоковольтный транзисторный переключатель 1983
  • Овдин Виктор Иванович
  • Лях Лариса Ивановна
SU1127091A1
Транзисторный инвертор 1988
  • Скачко Валериан Николаевич
SU1818673A1
Транзисторный ключ 1983
  • Ландышев Александр Борисович
  • Филиппов Дмитрий Павлович
SU1129735A1
Полупроводниковый ключ 1984
  • Машуков Евгений Владимирович
  • Кабелев Борис Вениаминович
  • Сергеев Виктор Васильевич
SU1182659A1
ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕГРУЗКИ 2002
  • Чумаков Н.П.
  • Тимофеев П.Г.
RU2231213C2
Транзисторный ключ 1991
  • Долинский Игорь Владимирович
  • Сидорович Олег Леонидович
  • Мачинский Ярослав Антонович
SU1812632A1
Транзисторный ключ 1984
  • Беспрозванный Николай Николаевич
  • Коротков Сергей Васильевич
  • Кривцов Александр Николаевич
SU1218458A1
Транзисторный ключ 1988
  • Байтлер Дмитрий Александрович
  • Ицкович Александр Викторович
  • Когутенко Александр Степанович
  • Литвин Валентина Митрофановна
  • Мерзляк Александр Ефимович
  • Рыбаков Юрий Витальевич
SU1525902A1
Транзисторный ключ 1985
  • Машуков Евгений Владимирович
  • Кабелев Борис Вениаминович
  • Сергеев Виктор Васильевич
SU1283957A1
Транзисторный ключ 1985
  • Машуков Евгений Владимирович
  • Сергеев Виктор Васильевич
SU1283960A1

Реферат патента 1985 года Транзисторный ключ

ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, триггер, первый, второй и третий резисторы, причем коллектор первого транзистора подключен к выходной шине, эмиттер через первый резистор соединен с общей шиной, а база через второй резистор подключена к выходу триггера, информационньгй и тактовый входы которого соединены со- . . . bJifcjiLijliiiiA ;ответственно с первой и второй :входными шинами, а вход установки в О подключен к первому выводу третьего резистора и коллектору второго транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной,вто;рой вывод третьего резистора подключен к шине источника питания, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД, введены ;третий транзистор другого типа проводимости и четвертый резистор, причем коллектор третьего транзистора соединен с общей шиной,баi за подключена к эмиттеру первого транзистора, а змиттер соединен с базой второго транзистора и через четвертый резистор - с шиной источника питания.

Формула изобретения SU 1 175 027 A1

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в импульсных транзисторных усилителях.

Цель изобретения - повышение КПД транзисторного ключа за счет снижения мощности, рассеиваемой на резистивном датчике тока.

На чертеже представлена схема . транзисторного ключа.

Транзисторный ключ содержит первый 1 и второй 2 транзисторы одного типа проводимости, третий транзистор 3 другого типа проводимости, триггер 4, четыре резистора 5-8, причем коллектор первого транзистора 1 подключен к выходной шине 9, эмиттер через первый резистор 5 соединен с общей шиной 10, а база через второй резистрр 6 подключена к выходу триггера 4, информационный и тактовый вхЬды которого соединены соответственно с первой 11 и второй 12 входными шинами, а вход установки в ноль подключен к первому выводу третьего резистора 7 и коллектору второго транзистора 2,эмиттер которого соединен с общей шиной 10, второй вывод третьего резистора 7 подключен к шине 13 источника питания, коллектор третьего транзистора 3 соединен с общей шиной 10, база подключена к эмиттеру первого транзистора 1,

750272

а.эмиттер соединен с базой второго транзистора 2 и через четвертый резистор 8 - с шиной 13 источника питания.

5 Транзисторн1 1й ключ работает следующим образом.

При соответствующих сигналах на первой 11 и второй 12 входных шинах на выходе триггера 4 устанавливается потенциал высокого уровня, который приводит к отпиранию транзистора 1« Выходной ток транзистора 1, проходя по его эмиттерной цепи,создает на резисторе 5 падение

tS напряжения, которое передается эмиттерныМПовторителем, выполненньм на транзисторе 3, на базу транзистора 2. Входное напряжение транзистора 2 состоит из суммы падения

20 напряжения на резисторе 5 и напряжения база - змиттер транзистора 3. При нормальной работе этого напряжения недостаточно для открьгаания транзистора 2, так как падение напряжения на резисторе 5 мало.

В случае возникновения перегрузки по току транзистора 1 падение напряжения на резисторе 5 увеличивается, а следовательно увеличивается напряжение на базе транзистора 2. Транзистор 2 открывается, в результате чего триггер 4 устанавливается в ноль и транзистор 1 запирается.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1985 года SU1175027A1

Электроника, 1975, № 12, с
Способ окисления боковых цепей ароматических углеводородов и их производных в кислоты и альдегиды 1921
  • Каминский П.И.
SU58A1
Способ получения на волокне оливково-зеленой окраски путем образования никелевого лака азокрасителя 1920
  • Ворожцов Н.Н.
SU57A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
:

SU 1 175 027 A1

Авторы

Стрюков Виктор Николаевич

Даты

1985-08-23Публикация

1984-03-19Подача