Способ перекристаллизации кристаллов Советский патент 1958 года по МПК C30B1/02 

Изобретение относится к способам перекристаллизации кристаллов, обладающих пьезоэлектрическими свойствами.

Отличительной особенностью предлагаемого способа является то, что перекристаллизацию ведут в электрическом статическом поле при вращении или кристалла, или электрического поля.

Кроме того, Перекристаллизацию можно также 1производить при сообщ.ении кристаллу винтового перемещения.

Сущность способа заключается в следующем. Кристалл, обладающий пьезоэлектрическими свойствами, помещают в статическое поле, образовавщееся между соответствующими электродами, и вращают либо сам кристалл, либо электроды {или то и другое вместе) навстречу друг другу. Такое вращение вызывает условия, благоприятствующие возникновению одной из разновидностей (правой или левой) пьезокристалла.

Если питать электроды токами, сдвинутыми по фазе и создающими электрическое поле, то можно вращать кристалл с такой необходимой скоростью, которая способствует получению оптимальных условий для избирательной перекристаллизации.

Иногда может возникнуть необходимость сообщить кристаллу винтовое движение. В этом случае пользуются любым из известных механических или электрических приспособлений.

Предмет изобретения

1.Способ перекристаллизации кристаллов, в частности кристаллов; обнаруживающих пьезоэлектрические свойства, отличающийся тем, что перекристаллизацию ведут в электрическом статическом поле при вращении или кристалла, или электрического Поля.

2.Видоизменение способа по п. 1, отличающееся тем, что кристаллу сообщают вместо вращения винтовое перемещение.