СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ Советский патент 2013 года по МПК G02F1/13 

Похожие патенты SU1176728A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1985
  • Гурский Л.И.
  • Готлиб С.О.
  • Зеленин В.А.
  • Снитовский Ю.П.
SU1321261A1
Матричный индикатор на жидких кристаллах 1981
  • Кириченко Геннадий Борисович
SU972460A1
Жидкокристаллический индикатор 1990
  • Аристов Вячеслав Львович
  • Митрохин Валерий Викторович
  • Севостьянов Владимир Петрович
SU1744691A1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ АМПЛИТУДОЙ И НАПРАВЛЕНИЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В СЛОЕ ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА, УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ АМПЛИТУДОЙ И НАПРАВЛЕНИЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В СЛОЕ ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР СВЕТА 2014
  • Палто Сергей Петрович
  • Барник Михаил Иванович
  • Палто Виктор Сергеевич
  • Гейвандов Артур Рубенович
RU2582208C2
ИНДИКАТОР НАЛИЧИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 2005
  • Чижевский Ян
  • Хубер Роберт
  • Люто Мариуш
RU2370779C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ 1984
  • Гурский Л.И.
  • Зеленин В.А.
  • Снитовский Ю.П.
  • Готлиб С.О.
  • Тарасевич А.И.
SU1294144A1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Ниияма Сатоси
  • Танака Реми
RU2415452C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ И КОМПЕНСАЦИИ АСТИГМАТИЧЕСКОГО ВОЛНОВОГО ФРОНТА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2019
  • Самагин Сергей Александрович
  • Котова Светлана Павловна
  • Майорова Александра Михайловна
  • Прокопова Дарья Владимировна
RU2726306C1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ИНДИКАТОР НАЛИЧИЯ НАПРЯЖЕНИЯ 2004
  • Чижевский Ян
RU2328750C2
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ И УСТРОЙСТВО ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ 2009
  • Исихара Соити
  • Сакурай Такехиса
  • Кодзаки Сюити
RU2444035C1

Реферат патента 2013 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий нанесение на две стеклянные подложки групп прозрачных токопроводящих областей, контактных площадок и внешних электродов, нанесение поверх них защитного диэлектрического слоя двуокиси кремния, разделение подложек на пластины, нанесение на пластины слоя, задающего ориентацию жидкого кристалла, соединение пластин попарно по периметру герметизирующим веществом, удаление участков диэлектрического слоя с внешних электродов путем травления в кислородсодержащей плазме, заливку жидкого кристалла в пространство между пластинами, герметизацию и создание контакта между внешними электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных жидкокристаллических индикаторов, удаление участков диэлектрического слоя с внешних электродов осуществляют перед разделением подложек на пластины, при этом подложку ориентируют перпендикулярно вектору напряженности плазмообразующего электрического поля и накладывают на нее магнитное поле, средняя величина тангенциальной составляющей индукции которого в пределах площади, занимаемой внешними электродами, лежит в пределах 0,04-0,08 Тл, а на остальной площади подложки не превышает 0,02 Тл.

SU 1 176 728 A1

Авторы

Гурский Л.И.

Готлиб С.О.

Зеленин В.А.

Снитовский Ю.П.

Даты

2013-09-27Публикация

1984-03-29Подача