СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Советский патент 2013 года по МПК G02F1/13 

Похожие патенты SU1321261A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ 1984
  • Гурский Л.И.
  • Готлиб С.О.
  • Зеленин В.А.
  • Снитовский Ю.П.
SU1176728A1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ИНДИКАТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1995
  • Кузьмин Н.Г.
  • Бондарь С.К.
  • Клименко А.З.
  • Рожков Ю.С.
  • Федотова Н.Г.
RU2088961C1
Способ изготовления радиоприёмного устройства 2017
  • Сауров Александр Николаевич
  • Козлов Сергей Николаевич
  • Живихин Алексей Васильевич
  • Павлов Александр Александрович
  • Кицюк Евгений Павлович
RU2657174C1
Жидкокристаллический отражательный индикатор на эффекте взаимодействия "гость-хозяин" и способ его изготовления 1977
  • Майнольф Кауфманн
SU689631A3
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ 2004
  • Кардаш Игорь Ефимович
  • Пебалк Андрей Владимирович
  • Маилян Карен Андраникович
  • Телешов Эдуард Никанорович
  • Чвалун Сергей Николаевич
RU2317313C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МАТРИЦ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭКРАНОВ 1994
  • Казуров Б.И.
  • Сулимин А.Д.
  • Шишко В.А.
  • Приходько Е.Л.
RU2069417C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА 1988
  • Боднарь Д.М.
  • Кастрюлев А.Н.
  • Корольков С.Н.
SU1589932A1
Жидкокристаллический индикатор 1990
  • Аристов Вячеслав Львович
  • Митрохин Валерий Викторович
  • Севостьянов Владимир Петрович
SU1744691A1
УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2011
  • Мориваки Хироюки
RU2521223C1
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ИНДИКАТОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ 1998
  • Беляев С.В.
  • Малимоненко Н.В.
  • Мирошин А.А.
  • Хан И.Г.
RU2140663C1

Реферат патента 2013 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ИНДИКАТОРОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на две стеклянные подложки последовательно наносят электропроводящее покрытие, содержащее группы прозрачных областей, контактные площадки и внешние электроды, и защитный диэлектрический слой двуокиси кремния, удаляют участки диэлектрического слоя с внешних электродов ионно-химическим травлением в скрещенных электрическом и магнитном полях, разделяют подложки на пластины, наносят на пластины ориентирующий жидкий кристаллический слой, соединяют пластины попарно путем установки по периметру между ними прокладки, герметизируют их по периметру, заливают жидкий кристалл в пространство между пластинами через заливочное отверстие, герметизируют заливочное отверстие и создают переходной контакт между внешними электродами пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности индикаторов путем снижения сопротивления контактных площадок, участки диэлектрического слоя удаляют с внешних электродов в плазме кислорода и фреона при давлении 0,1-6 Па, после чего на вскрытые области внешних электродов наносят оловосодержащую пленку в плазме аргона при давлении 6-10 Па.

2. Устройство для изготовления жидкокристаллических индикаторов, содержащее планарный реактор, соединенный с вакуумной системой и системой газоснабжения, расположенную в реакторе пару электродов, соединенных с высокочастотным генератором, и систему формирования магнитного поля, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности индикаторов, система формирования магнитного поля установлена между парой электродов и выполнена в виде постоянного магнита с расположенными над ним с зазором полюсными наконечниками.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что в качестве полюсных наконечников используют биметаллические свободные маски, нижний слой которых выполнен из магнитомягкого, а верхний - из оловосодержащего материала.

SU 1 321 261 A1

Авторы

Гурский Л.И.

Готлиб С.О.

Зеленин В.А.

Снитовский Ю.П.

Даты

2013-09-27Публикация

1985-04-17Подача