Способ определения распределения радионуклидов по глубине при поверхностной активации изделий Советский патент 1986 года по МПК G21H5/02 

Изобретение относится к использованию излучений от радиоактивных источников в качестве следящего индикатора и может быть применено при активации изделий, исследуемых на сопротивление механическому износу и истиранию.

Цель изобретения - повьппение точности.

Изобретение .поясняется чертежом, где hepBoe изделие 1, второе изделие 2, эталон 3, пучок заряженных частиц 4,

Способ осуществляется следующим образом.

Изделия 1 и 2 устанавливают под заданным малым углом tp между их поверхностями, а биссектрису этого угла располагают вдоль оси ионопровода ускорителя. Между изделиями 1 н 2 под углом 90° к указанной биссертрисе устанавливают эталон в виде стопки фольг. Проводят облучение пучком заряженных частиц 4. Из-за наличия углового разброса пучка заряженных частиц для всех существующих конструкдай ускорителей при активации на малые углы значения углов облучения первого и второго изделий в, и в с достаточной степенью точности не.известны. Поэтому для их определения порле облучения в одинаковых условиях измеряют интенсивность N, NX рентгеновского и Ny, Ny гамма-излучений для первого и второго изделий соответственно. Определяют величину отношения

N,

N,

R, i- / Sii. . Ny, N,,

В общем виде это отношение для заданного материала определяется только величинами углов 0, и в г . Поэтому до осуществления настояще способа определяют градуировочную функцию

(0,, I /

Ny Ny,j

по всему диапазону изменения углов для исследуемых материалов.

Точные значения углов 6, и б,, вычисляют из следующей системы уравнеНИИ:

fR(e,,0,)

l4-V9z

По полученным значениям 9, и 5.j и измеренному методом послойного анализа наведенной активности радионукли дов по глубине (х), где х - глубина, определяют распределение радионуклидов по глубине для первого и второго изделий по следующим соотношениям:

f

Лх)Лх)81пе,,

fj(x)-f(x)sine2.

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РАДИОНУКЛИДОВ ПО ГЛУБИНЕ ,ПРИ ПОВЕРХНОСТНОЙ АКТИВАЦИИ ИЗДЕЛИЙ, включающий в себя облучение эталонного образца изделия пучком ускоренных заряженных частиц под углом Q к поверхности и определение распределения наведенных радионуклидов по глубине X методом послойного анализа, отличающийся тем, что, с целью повьппения точности, дополнительно облучают по крайней мере еще одно изделие, расположенное под заданным углом if относительно первого изделия, измеряют интент сивность рентгеновского N,, гамма-излучения N, N для обоих изделий в одинаковых для каждого вида излучения условиях, рассчитывают „ NX, , NX, отношение к -- / -- , вычисляют углы S, и Sj, между направлением падающего излучения и поверхностями изделий по величине отношения R и углу if между поверхностями издеяий из системы уравнений (б,,ег) (О ,+ в. где 9 (). градуировочная зависимость, и определяют распределение радионуклидов по глубиW не для обоих изделий f, (х) и ff (х) соответственно из следующих соотношений; ,(х)(х)81пв,, (2) f(x)-fo(x)sinej. где fд(х) - распределение радионукли9д да по глубине для эталона, облученного перпен 1 дикулярно поверхности.