Способ определения структурной упорядоченности кристаллов мусковита Советский патент 1985 года по МПК G01N21/47 

1 Изобретение относится к исследованию кристаллов и может быть использовано для определения структурной упорядоченности кристаллов мусковита. Целью изобретения является повышение надежности определения структурной упорядоченности. . Способ основан на новой экспериментально установленной связи между изменением интенсивности полосы отражения, отвечающей антисимметричному колебанию атомов типа Е по отношению к интенсивности полосы отражения, отвечающей симметричному колебанию атомов в алюмосиликатных тетраэдрах решетки мусковита и положением плоскости оптических осей доменов относительно кристаллографи ческих осей мусковита СХ- и t . Чем меньше интенсивность полосы, отвечающей колебанию типа Е, тем больше значение угла поворота оптических осей относительно кристаллографической оси . Способ осуществляется на серийны спектрометрах или спектрофотометрах например на ИКС-21 или ИКС-22, с 73 приставками для -измерения зеркального отражения, например ИПО-22. Для осуществления способа ориентируют образец мусковита плоскостью третьего пинакоида так, чтобы угол падения излучения составлял не более 10 к нормали плоскости третьего пинакоида. Облучают кристалл мусковита эллиптически поляризованным излучением. Измеряют величину интенсивности отраженного излучения для полосы, отвечающей антисимметричному колебанию атомов в алюмосиликатном слое типа Е с волновым числом 1040 см, и для полосы, отвечающей симметричному колебанию типа А с волновым числом 1070 см. При измерении отрал ения нет необходимости вращать кристалл мусковита относительно электрического вектора Е инфракрасного излз чения, так как при использовании эллиптически поляризованного излучения интенсивности полос типа Е и типа А не меняются при повороте кристалла. Затем определяют структурную упорядоченность кристалла по отношению измеренньпс интенсивностей.

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРНОЙ УПОРЯДОЧЕННОСТИ КРИСТАЛЛОВ МУСКОВИТА, включающий облучение кристалла потоком электромагнитного излучения, измерение интенсивности отраженного от кристалла излучения и определение структурной упорядоченности кристалла по результатам измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности определения, кристалл облучают эллиптически поляризованным излучением, измеряют интенсивности отраженного от кристалла излучения при волновых числах, равных 1040 и 1070 см и определяют структурную упорядоченность кристалла р по соотношению Р, (Л с где . р- интенсивность отраженного от кристалла излучения при волновых числах, равных 1040 и 1070 см соответственно. CD vl со